微电子表面组装焊点二维形态预测研究

微电子表面组装（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，简称ＳＴＭ）焊点形态的预测和控制研究对提高ＳＭＴ工艺设计水平和决策效率，保证焊和组件的可靠性有重要意义，本文基于焊二维形态预测的Ｈｅｉｎｒｉｃｈ模型，考虑元件与基板的高度间隙对焊点形态的影响，建立了进一步完善的ＳＭＴ片式元件焊点形态预测模型，考察了熔融钎料性质、疸对焊点形态的影响。结果表明，焊点钎料量对焊点上下、处圆角形态有不同程度     

AMT保护青铜的研究

采用电化学方法和ＸＰＳ、ＡＥＳ法研究５－氨基－２－巯基－１、３、４－噻二唑（ＡＭＴ）在青铜表面形成的保护膜。结果表明，ＡＭＴ溶液处理后的青铜试片在ｐＨ值为７的０．５ｍｏｌ／ＬＮａ２ＳＯ４和５％ＮａＣｌ溶液中，其腐蚀过程受到了明显抑制，是由于ＡＭＴ在青铜表面形成Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ络合物膜，其结构为Ｃｕ｜Ｃｕ２Ｏ｜Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ。     

GaAs功率场效应管失效中源——漏烧毁现象的SEM／SAM研究

采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧     

GaAs功率场效应管失效中源一漏烧毁现象的SEM／SAM研究

采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧毁源、漏条部位表面化学元素有Ｃ、Ｏ、Ｔｉ、Ｎ和Ｇａ，其中Ｃ、Ｏ在表层几十纳米深度内均有相当高的含量。结合分析结果，讨论了源－漏烧毁的物理机理。     

实验技术新动向

实验技术新动向１９９５年１０月末，在美国俄州克里夫兰会议中心举办了第九届ＡＳＭ／ＴＭＳ材料展览会，有近百家生产厂商、实验室与研究部门展出了他们在先进材料与材料加工、制作以及材料性能表征方法等领域所取得的最新成就，尤其是在有关材料表面变质处理方面新思想...     

Ti(IV)在介孔氧化硅MCM-41中的液相移植

以钛酸丁酯为原料,通过液相移植反应,在介孔氧化硅ＭＣＭ－４１中成功地组装了Ｔｉ（ＩＶ）,利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＦＴ－ＩＲ、Ｎ_２吸附－脱附、^２９Ｓｉ ＭＡＳ ＮＭＲ等多种实验方法对材料进行了表征,并讨论了液相移植反应的机理．实验表明,通过与介孔材料骨架表面Ｑ^３硅原子中的硅醇键（Ｓｉ－ＯＨ）的反应而形成钛－氧－硅（Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉ）键,Ｔｉ（ＩＶ）被成功地固定到介孔材料的骨架上面; ９５０～９６０ｃｍ^－１红外共振吸收的加强是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ键形成的标志．     

新型表面处理技术─粉漆喷涂

新型表面处理技术─粉漆喷涂马俊，张溪，刘无畏ＮｅｗＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＳｕｒｆａｃｅＴｒｅａｔｍｅｎｔ－ＰｏｗｄｅｒＣｏａｔｉｎｇ￥ＭａＪｕｎ；ＺｈａｎｇＸｉ；ＬｉｕＷｕｗｅｉＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｐｏｗｄｅｒｄｃｏａｔｉｎｇｈａｓａｗｉｄｅｐｒｏ...     

横河电机取得ISO认证─—认证中对计量管理的要求之体会

横河电机取得ＩＳＯ认证─—认证中对计量管理的要求之体会日本横河电机株式会社从１９９０年４月开始制订ＩＳＯ９０００认证计划，并接受作为ＩＳＯ９０００认证的第三者机构的日本机械电子检查检定协会（ＪＭＩ）的技术指导，从１９９０年６月正式在全公司开始实施计划...     

a—Si TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究

研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ─ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均匀、性能优良，使复合栅绝缘层ａ─ＳｉＴＦＴ的开启电压（ＶＴ）控制在３─５Ｖ之间，开关电流比（Ｉ（ｏｎ）／Ｉ（ｏｆｆ））大于１０７，场效应迁移率为０．８６ｃｍ２／Ｖ·Ｓ．     

AMT在铜/柠檬酸体系中的缓蚀作用研究

用极化曲线,ＥＩＳ,ＸＰＳ和ＳＴＭ等方法研究了ＡＭＴ在５％柠檬酸／铜体系中的缓蚀行为和机理。研究表明,ＡＭＴ在该体系中具有很好的缓蚀效果。ＡＭＴ的加入不仅增加了电极阴阳极过程的阻力,而且在表面形成螯合物膜,此膜层是由一价铜与ＡＭＴ中的Ｎ,Ｓ原子相互交错成键而成,并至少存在着短程的有序结构。     

Sn—SnOx薄膜的组织结构及湿敏性

报道了一种制备Ｓｎ－ＳｎＯｘ湿敏薄膜的新工艺（ＶＥＴＯ）。首先在１ｍＰａ的真空下蒸发纯金属Ｓｎ质量分数９９９ｍｇ·ｇ＾－１，衬底温度控制在１５０￣２５０℃，蒸发的Ｓｎ膜在空气中缓慢氧化，即可获得湿度敏感的Ｓｎ－ＳｎＯｘ薄膜，利用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了膜的晶体结构和表面形貌，环境温度ＲＨ从１０％变到９７％时，膜阻抗变化的三个量级，膜电导是电子电导和离子电导的混合，在低湿区电子电导是主要的，在高湿区离子     

MoS2氧化表面的角度分辨X射线光电子谱研究

利用角度分辨Ｘ射线光电子谱方法研究ＭｏＳ２固体润滑材料氧化表面的化学状态，同时，用电子自旋共振法发现氧化物存在未成电子Ｍｏ＾５＋，因而氧化物存在Ｍｏ原子的三种化状态，形成了单电子的传递，转移。ＭｏＳ２的表面数分子层内的Ｍｏ原子氧化程度有差异，这种非破坏性的剖面分析方法有助于深入了解ＭｏＳ２的氧化行为。     

锌表面Mo（W）—S—Zn族合物转化膜的XPS和AES研究

在锌表面获得了多种没颜色且具有金属光泽的不溶性Ｍｏ（Ｗ）－Ｓ－Ｚｎ簇合物的转化膜。所获膜人有良好的耐蚀性能和装饰效果，加热处理后颜色将发生变化，加速腐蚀试验结果表明，金黄色膜耐蚀性最佳。ＦＴ－ＩＲ，ＦＴ－Ｒａｍａｎ，ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，该膜层厚度久为６０ｎｍ，钼在膜表面的价态为＋６价，而在膜内则以＋６、＋４价共存。从ＡＥＳ深度分布曲线可知，其组织为３２．５％Ｚｎ、１９．３％Ｍｏ，３９．４％Ｓ，     

TRAITR晶体管S类功率放大器例作刘高赋——电子管音频放大器制作(二)

尽管ＵＨＣＭＯＳＦＥＴ管（超大电流ＭＯＳＦＥＴ）和ＩＧＢＴ管（绝缘栅双极型晶体管）功放如火如荼，使得Ｒｏｗｌａｎｄ、Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ等名牌功放被称至顶。便毕竟ＵＨＣＭＯＳＦＥＴ管、ＩＧＢＴ管的价格在国内达百多元一对，多管并联时是要经济能力的。因...     

沥青基高比表面积活性碳的物理及化学结构

本文用ＡＳＡＰ２０００吸附仪测定了吸附性能优异的沥青基高比表面积新型活性碳（ＰＨＡＣ）的ＢＥＴ比表面积、用ＢＪＨ和ＤＲＳ法分析了其孔隙结构参数，用ＸＰＳ测定了ＰＨＡＣ的表面元素组成及含氧官能团，对ＰＨＡＣ的表面形态结构进行了ＳＥＭ和ＴＥＭ观察。研究表明：ＰＨＡＣ具有高度发达且均匀的微孔结构，其表面含有一定量的Ｃ－Ｏ－Ｃ、Ｃ－ＯＨ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｃ－Ｏ等多种类型的含氧官能团。     

合成陨硫铁表面的炭丝和炭球

采用电弧放电蒸发和沉淀技术，使用石墨和黄铁矿为原料，在合成的陨硫铁球粒表面发现有空心球体和丝状物质。经ＳＥＭ、ＴＥＭ和ＥＤＸ的研究，证实它们是纳米级的炭球和炭丝。讨论了用电弧放电法合成陨硫铁过程中，天然矿物黄铁矿对炭丝、炭球和纳米碳管形成的催化作用及其关系     

佳能EF28─105mmf／3．5─4．5USM变焦镜头使用体会

佳能ＥＦ２８─１０５ｍｍｆ／３．５─４．５ＵＳＭ变焦镜头使用体会蒋宁佳能（Ｃａｎｏｎ）ＥＦ２８－１０５ｍｍｆ／３，５－４．５ＵＳＭ变焦镜头是佳能公司配合３５ｍｍ自动聚焦单反相机ＥＯＳＳ（在欧美市场上该机型号为眼控聚焦的ＥＯＳＡＺＥ和非眼控聚焦的ＥＯＳ...     

ISO／TC213工作近况分析

ＩＳＯ／ＴＣ２１３工作近况分析１９９６年６月１４日，ＩＳＯ／ＴＣ２１３成立大会在巴黎召开，１４个国家的５１名代表出席会议。会议宣布ＩＳＯ技术管理局（ＩＳＯ／ＴＭＢ）根据原ＩＳＯ／ＴＣ３－１０－５７／ＪＨＧ（联合协调工作组）的建议，决定成立新的技术委员...     

先进制造：将虚拟现实技术与快速原形技术应用于微电子机构系统设计

提出了用虚拟现实技术实现ＭＥＭＳ的快速原形设计的思想,并具体给出了虚拟环境中的实现步骤。核心是在虚拟环境中实现ＭＥＭＳ器件的部件设计,拟实组装,拟实运行。进一步,构建了虚拟现实实验平台;并在此平台上实现了微马达和微泵的心实运行及一个拟产组装的例子,从而验证了上述用虚拟现实技术实现ＭＥＭＳ的快速原形设计的可行性及相应实现步骤的正确性。     

2D─SROP─1型表面粗糙度轮廓仪

２Ｄ─ＳＲＯＰ─１型表面粗糙度轮廓仪华中理工大学王菊香一、引言随着光电技术和计算机技术的迅速发展，近年来世界各国在发展光学检测新技术、研制新仪器方面都是综合利用光、机、电和微机技术来提高测量精度，使仪器在很短时间内或实时的测量各种误差和评定参数，形成...