一种带双向使能的负LDO电路设计

设计了一款带正负双向使能功能的负电压输出的LDO。介绍了LDO的基本工作原理,对比了正、负输出LDO的区别,对双向使能电路结构进行了详细设计。采用Cadence对电路进行直流和瞬态仿真验证,仿真结果表明,该LDO在特定的正负两个使能区间均能完全导通,其开启关断点与电路设计吻合。在设计该双向使能结构的同时,保留了使能电路低功耗的特点。     

带使能端及保护电路的LDO设计

设计了一种带有使能端以及保护电路的低压差线性稳压器(LDO)。这种基于传统结构、带有使能端的LDO可在系统电路不工作时被关断,以减小电路功耗。使能信号可由数字模块输出。该LDO带有过流保护、短路保护以及过温保护电路,在过流、过温以及短路时能受到保护,避免电路被损坏。基于CSMC 0.5 μm单阱工艺完成电路设计,输入电压为5 V,输出电压为3 V,最大输出电流为100 mA,输出瞬态电压最大变化为4.26 mV。     

一种具有过温与过流保护功能的LDO

为了防止功率管的功耗过大导致芯片受损,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种具有过温与过流保护功能的低压差线性稳压器。仿真结果表明,LDO电路具有良好的线性调整率和负载调整率,过温、过流保护电路能够实现对电路的保护。在过热、过流或负载短路的情况下,降低系统的功耗,且当故障排除后,可自动恢复工作。在2～3.6 V的输入电压范围内,电路的稳定输出电压为1.8 V,电源调整率不超过0.194‰,负载调整率不超过1.1‰。     

LDO中过温保护电路的设计

LDO是一个微型的片上系统,他包括调整管、采样网络、精密基准源、差分放大器、过流保护、过温保护等电路。分析了LDO中过温保护电路的设计,主要介绍了LDO中双极型过温保护电路和CMOS过温保护电路。由于双极器件开发早、工艺相对成熟、稳定,而且用双极工艺可以制造出速度高、驱动能力强、模拟精度高的器件,适用于高精度的模拟集成电路。因此,双极型集成稳压器应用广泛,其设计技术和制造工艺比较成熟和完善。但双极型过温保护电路本身存在热振荡的问题。给出一种新型的CMOS过温保护电路,他具有温度迟滞功能,有效地避免了芯片出现热振荡。     

LDO过流与温度保护电路的分析与设计

IC芯片集成密度和功耗密度的增大使得过流和温度保护电路十分必要。过流保护电路将检测电流转化为栅压控制开关管;温度保护电路利用PN结正向导通电压的温度特性,促使比较器输出翻转达到保护目的。分别给出了两种保护电路的多种具体实现结构,基于CSMC0．6μm,给出两种保护电路应用于LDO的Spectra模拟结果,并验证了设计结构具有稳定的保护功能。     

一种用于LDO稳压器的折返式限流电路

本文介绍了一种用于LDO稳压器的折返式限流电路,并针对实际应用中可能出现的问题进行了优化设计。仿真结果表明,对于一款最大带载能力为150mA的LDO稳压器,与常规的恒定电流限制相比,该电路能使系统在限流状态下将功耗减小2/3。     

一种应用于LDO稳压器的 CMOS误差放大电路的设计

本文设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构,并通过嵌套密勒补偿和动态频率补偿技术,显着改善了其性能指标.采用Hynix0.5 μ m CMOS Hspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,增益高于60dB,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70dB左右.     

高性能LDO线性稳压器的设计

为了解决电力载波通信系统中LDO供电模块常用单芯片而导致板上成本及面积增加的问题。文中将LDO集成进系统芯片来为数字及模拟模块分别供电,同时采用平滑极点跟随技术来解决负载电流变化时芯片稳定问题,该方法可使PSRR在低频下达到63dB,并能以IP方式在其他应用中使用。     

一种带过温保护和折返电流限的LDO设计

提出了一种带过温保护电路和折返电流限的LDO,其主环路采用密勒补偿与零点补偿相结合的补偿方式。电路设计基于CSMC的1μm CDMOS工艺,用Hspice进行仿真验证。仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护,并有25℃的迟滞温度;折返电流限可以将过流时的输出电流限制为一个较小的值,并在输出短路时使输出电流保持在30 mA左右;LDO的主环路在轻载和重载下都具有很好的稳定性。     

双极型LDO线性稳压器的设计

在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并实现了一款双极型LDO线性稳压器。采用SA-5V工艺中特有的横向pnp管做调整管,使得调整管集电极寄生电阻RC只有10Ω,工艺流片后测试线性调整率为5 mV,负载调整率为14 mV,最大输出电流为30 mA,最小漏失电压为280 mV,在频率为20 Hz～50 kHz输出噪声为80μVRMS,具有良好的应用前景,可适合大规模批量生产。     

应用于CMOS图像传感器的带保护LDO电路的设计

随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求.为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁,设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路,并加入了LDO的保护电路结构.该保护电路具有欠压保护与过流保护的功能,并能够通过数字电路对LDO进行使能控制.基于0.11 μm CMOS工艺平台对LDO及其保护电路进行仿真与分析,完成了该工艺下电路版图的绘制和验证.     

LDO线性稳压器结构的改进

通过改进传统电路结构,设计出了一种低压差线性稳压器。通过解决系统上电所带来的一些问题,达到了低功耗的设计目的。给出了带隙基准源和误差放大器等关键电路的设计方法,采用和舰0．35μ mCMOS工艺模型Spice进行了仿真,验证了设计的正确性。     

一种应用于LIN收发器的过温保护电路

基于CSMC (Central Semiconductor Manufacturing Corporation)0.5μm CMOS工艺设计一种应用于LIN收发器的过温保护电路.该电路包含比较器,并利用两种不同温度特性的电压作为比较器的输入电压.比较器的输出电压作为过温保护电路的输出信号.使用Cadence Spectre工具进行仿真,仿真结果表明,该电路热关断温度为160℃,热开启温度为120℃,具有40℃的热滞回区间.     

一种新型CMOS误差放大电路的设计

设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过嵌套密勒补偿和动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hy-nix 0.5μm CMOS Hspice模型进行仿真,结果表明,此带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有0.5μV rms,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70 dB左右。     

带修调的高稳定LDO线性稳压器

提出了一种新型高稳定LDO电路。该电路采用折叠型共源共栅运算放大器作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高环路稳定性;并在反馈电路中加入一种新的电压调整模块,以保证输入参考电压在一定范围内发生偏离时都能得到相同的输出电压。基于0.8μm 40VBCD工艺,对提出的LDO电路进行了HSPICE仿真验证。结果表明,在输入参考电压发生±17%的变化时,输出电压仅变化±3.8%。     

极点跟随的LDO稳压器频率补偿方法

提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到了保证。     

DC-DC降压芯片使能保护电路的设计

文中主要对DC-DC降压芯片电路进行研究,重点设计了使能保护电路模块。该电路模块设计了1.5 V和2.5 V两个比较电压点。当UEN小于1.5 V,整个芯片关断。当UEN超过1.5 V但小于2.5 V时,电源供电正常。当使能UEN大于2.5 V后,整个芯片正常工作。电路采用CMSC1μm5 V/40 V HVCMOS工艺中的5 V低压器件来构建,并在Cadence软件下进行了仿真验证。     

一种低压CMOS LDO稳压电源电路

提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路。与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端。通过上述设计,提出的稳压电源电路能在输出电压较低的情况下提供较稳定的输出,同时也能提供稳定的偏置电压及具有较高PSRR的基准输出。对电路进行了仿真,并给出了仿真结果。