Se薄膜封装层对OLED器件寿命的影响

对于绿光OLED多层器件,在高真空条件下,利用真空蒸镀的方法,在各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层硒薄膜封装层,然后再按一般方法进行封装.对比了正常封装与增加Se薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂.研究发现未加Se薄膜封装层器件的半衰期为2 880 h,增加Se薄膜封装层器件的半衰期接近4 000 h,Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍;研究还发现Se薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能.     

Te薄膜封装层对有机电致发光器件寿命的影响

采用Te薄膜封装层作为OLED(organic light emitting diode)器件的保护层,以达到延长器件使用寿命的目的.在高真空(3×10-4Pa)条件下,利用真空蒸镀的方法,在绿光OLED多层器件各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层Te薄膜封装层,然后再按一般的方法进行封装.对比了一般封装与增加Te薄膜封装层后器件的性能,封装过程均未加干燥剂.研究发现,未加Te薄膜封装层器件的半衰期为2 880 h,增加Te薄膜封装层后器件的半衰期接近5 800 h.由此可见,Te薄膜封装层的增加将使器件的寿命延长两倍多.并且所增加的Te薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、色坐标等光电性能.     

MgF2/Se薄膜封装层对OLED性能及寿命的影响

有机电致发光器件(OLEDs)在使用过程中,易受到 空气中水汽、氧气及其它污染物的影响从而导致其工作寿命降低。本文将具有良好光透过率 和热稳定性的MgF₂薄膜与在水汽和氧气中具有良好稳定性的Se薄膜通过真空蒸镀制成复 合薄膜作为OLEDs的封装层,以达到提高器件使用寿命的目的。器件各功能层蒸镀完成后, 保持真空度(3×10－4 Pa)不变,在阴极表面蒸镀MgF₂/Se薄 膜封装层。比较 了绿光OLED器件(器件结构为ITO/CuPc/NPB/Alq₃:C-545T/Alq ₃/LiF/Al)封装前后的亮度-电压-电流密度特性、电致发光光谱及寿命。研究 发现,经过MgF₂/Se封装后,器件的电流密度-电压特性、亮度和发光光谱几乎没 有受到影响,二者的光谱峰都在528 nm处,色坐标(CIE)分别为(0.3555,0.6131)和(0.3560,0.6104),只是起亮电压由3V变为4V;器件的寿命由原来的175h变为300h,提高了1.7倍 。因此,MgF₂/Se薄膜是一种有效的OLEDs无机薄膜封装层。     

基于OLED器件的封装方法研究

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示因其全固态、自发光、具有高发光效率等优点,市场占有率逐年提高.然而,可靠封装仍然是困扰OLED显示领域的关键技术问题之一.首先从常见的OLED封装方法展开讨论,分析了各种结构特点与缺陷,其次论述了具有广大发展前景的薄膜封装技术封...     

薄膜封装能延长聚合物有机发光二极管的寿命

当有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)在可获利的消费电子产品市场展开竞争时，其有限的使用寿命和较高的生产成本是其在竞争中获胜的主要障碍。虽然OLED的许多优异特性，如较高的亮度、较好的对比度和彩色是大家公认的，但仍受其性能衰减问题的困扰。对     

硫系玻璃基底红外光学薄膜的研究进展

红外光学元件是红外光学系统的核心部分之一,硫系玻璃具有透过波段宽、消色差和消热差性能好、原材料来源广泛的特点,是一类优异的红外光学材料,在红外领域具有广阔的应用前景。但相比其他红外光学材料,硫系玻璃具有热膨胀系数大、软化点温度低的特点,其待镀膜表面的加工和薄膜沉积难度较大。本文介绍了硫系玻璃待镀膜表面的加工方法,综述了在硫系玻璃元件表面镀增透膜和保护膜的方法及研究进展,归纳总结了硫系玻璃待镀膜表面加工和镀膜现状及存在的问题,并展望了其光学表面制备和镀膜的发展趋势。     

柔性OLED器件薄膜封装研究

把有机发光二极管（OLED）制备在柔性基底上,以此来实现柔性显示是未来显示技术发展的一个重要方向。但柔性基底相对于玻璃基底来说对水、氧气的阻挡能力较弱。为了延长柔性OLED器件寿命,就需要在柔性基底上进行有效的封装。文章首先介绍了柔性OLED的器件结构和常规的封装方法,然后重点介绍了目前比较热门的Barix封装技术以及ALD技术,这两种技术都能够对器件进行有效的封装,将薄膜阻挡层的水汽渗透率降到一个较低的范围内,能够满足OLED在柔性显示和发光方面的需要,但是在效率和成本方面仍然需要进一步的改善。     

硫系玻璃的制备、特性及应用

硫系玻璃具有许多光、电学上的特殊性质，本文对其制备方法、光学特性、热学性能以及其潜在的应用前景进行了较为详实的介绍。     

不同玻璃基板对蓝光OLED的影响

文章使用ADN：TBPe作为荧光金属微腔OLED的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极,以半透明的Al膜作为阳极底电极,在不同的玻璃基板上制备了结构为Glass/Al（15nm）/MoO3（60nm）/NPB（40nm）/AND：TBPe（30nm,3%）/Alq3（20nm）/LiF（1nm）/Al（140nm）的荧光金属微腔OLED,研究了在普通玻璃及粗化玻璃的粗糙面和平滑面上蒸镀器件时的光学及电学性能影响。实验结果表明,当蒸镀面为光面时,其器件效率及亮度都优于其它器件。     

硫系玻璃的制备、特性及应用

硫系玻璃具有许多光、电学上的特殊性质,本文对其制备方法、光学特性、热学性能以及其潜在的应用前景进行了较为详实的介绍。     

非晶硅薄膜晶体管有机电致发光单元像素的设计

介绍了两管薄膜晶体管(TFT)和四管TFT有源驱动有机发光二极管工作原理,结合TFT工作条件限制以及实现显示的要求完成了四管TFT有源驱动有机电致发光单元像素的设计,利用Hspice软件验证了单元像素的设计结果,最大输出电流为2.1 μA,一帧的时间后变化到2.0 μA,变化量小于一个灰阶电流,满足显示要求.     

OLED封装技术进展

有机电致发光器件(OLED)因具有较多的优点,在显示领域有着光明的前景,其最大的优越性在于能够实现柔性显示,制作成柔性有机电致发光二极管(FOLED).OLED对水蒸气和氧气非常敏感,渗透进入器件内部的水蒸气和氧气是影响OLED寿命的主要因素,因此,封装技术对器件非常重要.对现有的主要的FOLED衬底材料和封装方法进行...     

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法非常重要,不同方法制备的薄膜质量不同,这直接影响着器件的效率;制备方法直接影响到产业化中的器件制备成本。根据材料的不同,有机小分子常用真空蒸镀的方法,而高分子材料常用旋涂的方法制备薄膜。随着有机电致发光器件制备工艺的发展,相继出现了其他的制备工艺,如:有机蒸汽喷印(organic vapor jet printing)、有机气相沉积(organic vapor phase deposition)、丝网印刷(screen printing)和喷墨打印(ink jet printing)技术等,这对有机电致发光显示器产业化发展具有巨大的推动作用。文章综述了这些制备方法,比较了它们的优缺点,以及这些工艺对产业化的影响。     

有机电致发光器件的封装技术

有机电致发光显示器件(OLED)被认为是综合性能最理想、最具发展前景的下一代显示技术之一。但由于其使用寿命太短,制约了OLED显示技术的产业化发展。对OLED进行有效的封装是解决这些问题,进而提高其使用寿命的最直接和最有效的方法。文章综述了OLED显示器件老化的机理及其封装技术(物理法、化学法、复合封装法);分析了各种封装技术对OLED显示器件寿命的影响因素及各自的优缺点。     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的. 在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题. 这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

柔性有机电致发光器件的寿命

综述了柔性有机电致发光器件(FOLED)的研究现状和发展趋势;针对提高其寿命问题的研究,选择和比较了聚合物、金属箔片、超薄玻璃3种柔性衬底材料的优缺点及发展概况;结合本课题组的实验分析,说明设计并选择合理的器件结构、发光材料和阴极材料对延长器件的使用寿命非常有效;提高FOLED寿命的另一重要步骤是减少水蒸汽和氧气向器件内部的渗透,最后也简介了以聚合物和超薄玻璃为衬底材料的器件封装方法。     

玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展

近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500～ 600℃)以及与GaN之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展.重点综述了玻璃衬底上生长GaN薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术.分别介绍了两种在普通玻璃上生长GaN的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长(ELO)技术对外延GaN晶体质量的影响.对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展.     

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。