使用內置線性器並配合共平面波導設計高線性5.2GHz功率放大器電路研製

本論文主要在分析和設計一種內置線性器去改善功率放大器的線性度,功率放大器其製程技術是使用AlGaAs/InGaAs 0.15μm D-mode pHEMT (砷化鎵鋁/砷化鎵銦增強式異質接面場效應電晶體)元件,電路設計的中心頻率在5.2GHz,以兩級cascade的架構,其操作偏壓點於Class A 和Class AB之功率放大器。內置線性器功率放大器的設計使用ADS軟體分析與模擬。並使用測量儀器HP-8510C網路分析儀分別測量出反射損耗(S11)為-15dB,功率增益(S21) 為15 dB、輸出功率為13.3 dBm、功率附加效率(PAE) 21%和IIP3 為 1.4 dBm、 OIP3約22.5 dBm,綜合5.2 GHz 內置線性器功率放大器可增加高頻增益、輸出功率、功率附加效率和線性度等特性,非常適用於微波微波積體電路功率放大器通訊應用價值。     

一種製作互補式金氧半複晶矽薄膜電晶體之製程簡化技術

一種製作互補式金氧半複晶矽薄膜電晶體之製程簡化技術被提出, 其藉由大角度離子佈植摻雜物穿透閘極間隙壁. 藉由此技術方法,可使用同一光罩而同時形成淡摻雜區域於閘極間隙壁氧化層下方且形成高摻雜區域,其可於互補式金氧半複晶矽薄膜電晶體製作時簡化製程步驟.更進一步地,藉由此技術,與傳統的單一高濃度摻雜源汲極技術相較,此方法可得到更好的N型及P型薄膜電晶體特性,且無需增加光罩製程.     

免電源電話小管家

前言在資訊溝通頻繁的今日,相信家家戶戶都有一台以上的電話機,您家必定發生過打完電話後未掛好而造成電話無法打進來的困擾吧。或者您的寶貝姊姊與男朋友電話一打就打了許久又下自知。底下為您介紹一款DIY產品‘免電源電話小管家’供您避免上述現象發生,總共才利用了12個零件(微處理器1個、LED七字顯示幕2個、電容3個、電阻1個、橋式整流子1個、電感1個、石英晶體1個、基納二極體1個、按鍵1個),相信不花您1百元新台幣及1個週末即可組裝完成做出一個前所未有的趣味電子產品。     

接觸電極尺寸對多晶矽p-i-n太陽電池特性之影響

此研究中,針對尺寸為一微米之單位胞元大小之多晶矽p-i-n太陽電池,討論其接觸電極尺寸對電特性之影響。就非透明之鋁接觸電極而言,於一0.05~0.2微米的寬度範圍內,短路電流會隨其接觸電極寬度之增加而顯著地變小,此係由於其電極所產生光反射區域之增加。另一方面,若使用銦錫氧化物之透明導電電極,大面積的接觸電極亦會因有大面積的光吸收區域,因而些微地劣化其短路電流,然而,與一0.1微米的接觸電極寬度相比,一0.05微米之接觸電極寬度則導致一較小的短路電流,此係因一較小的載子收集區域及一較大的接觸電阻。所以,當使用銦錫氧化物之透明導電電極來提高其太陽電池的轉換效率時,須採用一合適的的接觸電極寬度以最佳化其光電特性。     

飛利浦家電自動化數據機為家庭電器提供聯網式控制

飛利浦半導體最近推出一款全新又高度整合的電源供應線路數據機,使家庭用戶可以隨時隨地透過家中的供電線路操控家庭電器。     

美國國家半導體推出LM6172雙組電壓回馈運算放大器

美國國家半導體日前推出LM6172雙組電壓回馈運算放大器。該運算放大器擁有業界最佳的性能,不僅具有快速轉換率(Slew Rate),更具高增益頻寬,高輸出驅動電流、失真度低和功率稍耗低等多項功能。LM6172IM和LM6172IN主要應用在工業領域中。而LM6172AMJ-QML則為軍事與航空應用方面的產品。     

Design Note 122 雙整流器(Regulator)電源Pemtium處理器或昇級式CPU

很多Pentium等級為主的主機板製造南都希望能找到一個省錢的方案,來供應Pentium P54C及下一代昇級CPU的供電問題。目前的CPU使用了一個單一的電源供應,供給微處理器核心及I/O在所供應的最高頻率下,該供電需要3.5V±100mV(VRE規格)。對低頻率的CPU來說,3.3V±5％這個電壓是很適合的。但最近英代爾重新規定3.3V CPU在3.5V之下的操作標準。這使得電壓變成單一的3.5V了。I/O環及晶片組必須和CPU核心使用一樣的電壓,不是3.3就是3.5V。     

台灣IC產業厂商報導

已運轉一年的中德電子材料,基於为美國休斯轉投資的晶圓材料供應商,在台灣有穩定的市場占有與先進的製造技術背景,中德目前月產能已達到85000片八时晶圆,年底將提昇到120000片的月產能,預計明年底就     

SIPEX推出WAN整合多重傳輸模式單晶片

SP504是單一晶片提供8 physical串列介面標準在WAN連結上,SP504主要使用了低耗電BICMOS製程技術,且合併SIPEX所擁有chargepump技術,提供單—5V操作。SP504包括7個驅動器和7個接收器可被組態成或被軟體在任何時間變化成不同的Interface mode。SP504適用於DTE-DCE應用,在V.35上SP504每V.35 driver僅需一外加電阻。     

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.     

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.     

自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究.采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件平均阈值电压为1.15V,单指管子电流增益为50,发射极面积4μm×14μm的单管在IB=200μA和VCE=2V偏压条件下截止频率达到了40GHz.设计并制作了直接反馈和CE-CC-CC两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时分别为50.6dBΩ和45.1dBΩ,3dB带宽分别为2.7GHz和2.5GHz,电路最小噪声系数分别为2.8dB和3.2dB.     

AMD推出新一代震鈴用戶線介面電路

美商超微半導體(AMD)目前推出一款專為零迴路(zero-loop,ZL)應用方案而設計的新一代用戶線介画電路(Subscriber Line Interface Circuit,SLIC),其應用範圍包括整合服務數位網路(ISDN)終端機配接器、家用網路邊界佈線器、以及頂置(set-top)解碼器應用方案     

A 3.4-3.6 GHz power amplifier in an InGaP/GaAs HBT

报道了基于InGaP/GaAs HBT工艺的3.4-3.6GHz功率放大器芯片的设计。针对片外和片内寄生因素引起的谐振点偏移、匹配变差、增益降低等问题,通过优化设计片外匹配电路以及设计输入匹配的片外调整电路,最终取得了较高的增益以及良好的匹配状态。电路测试结果为：在Vcc为4.3V以及Vbias=3.3V下,3.4GHz处的1dB压缩点输出功率达到27.1dBm以上,相应的PAE为25.8%,二次谐波和三次谐波抑制比分别达到了-64dBc和-51dBc。在3.4-3.6GHz频段内,增益大于28dB, S11<-12.4dB,S22<-7.4dB,达到了设计要求。     

220GHz低噪声放大器研究

基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极（Common Base, CB）电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal, MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路,每级都采用共射共基的电路结构,放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V,功耗为234 mW,在224 GHz频点实现了22 dB的增益,3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。     

全民跟著電子產業起舞

記得有次一位朋友的母親竟然跟我討論起SRAM傾銷案,搭計程車時,司機大哥也跟我聊起電子產業的發展,看來全民已經開始跟著電子產業起舞了。近來股票市場動盪不安,主要的漲跌表現,幾乎都集中在電子股,先不管加權指數萬點健不健康,9000點撐不撐的住,還是電子股是不是漲過了頭,但從整個電子產業的發展看來,電子產業的未來發展仍然相當看好。雖然由於半導體晶圓厂的不斷增建,讓人擔心未來市場的供     

IBM全球同步推出第一顆使用銅製程的ASIC發展工具與元件

IBM公司目前全球同步宣佈,正式推出市場上第一套使用‘銅’製程的設計工具軟體以及技術支援服務,將可協助廠商在最短時間内就可利用IBM的銅製程晶片生產技術,發展它們所需要的電子元件。 IBM同時推出兩款利用最先進的CMOS 7S銅製程技術的客戶訂製型特殊應用整合電路(ASIC)元件,分別是SA-27及SA-12E:SA-27擁有強大的功能以及更精簡的晶片設計,特     

一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路

论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试.该电路包含了1个10×100 μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路.在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB.     

Motorola提供Off-line Motor控制解決方案

Motorola公司目前推出一款新型的小型高速光學隔離器—HCPL0453,使得該公司在Off-line Motor控制應用上能夠提供完整的解決方案。這顆元件能夠保護比較脆弱的電子控制線路,避免受到大型電力馬達應用所伴隨而來的高電壓及高雜訊的環境干擾或破壞。     

太克全新射頻量測現場工具具備業界最寬廣的數位信號量測能力

太克公司在日前正式發表了Signal Scout RFM151,這個數位服務與類比視訊傳輸現場工具最大特色之一就是在於:具有儀器界中最寬闊的射頻數位信號量測能力。這個攜帶式工具專為技術人員設計,用以佈