S波段负阻振荡器的设计

振荡器是通信系统中的关键器件,其性能对整个系统有着重要影响。文中介绍了利用负阻原理设计2.425 GHz振荡器的方法。根据负阻原理,使用Agilent公司的ADS软件,采用[WTHX]S[WTBZ]参数仿真和谐波分析方法,对振器振荡器进行了仿真设计。根据仿真结果加工了振荡器,并用频谱仪对其进行测量和分析。测得相位噪声为-122 dBc/Hz@100 kHz,谐波抑制为23.6 dB,达到了预期目标。     

频率负阻效应与复合振荡器

本文利用转动变换推导出五种典型放大电路的负阻条件;利用负阻效应特有的复合振荡现象取得了扩展振荡频带、增强振幅的效果;从而表明,在反馈振荡器与负阻振荡器之间存在可供实用的第三种振荡形式。     

RC相移式振荡器的负阻法分析

利用负阻法推出了RC相移式振荡器的振荡条件和振荡频率公式，其结果与传统法推出的完全一致，且其物理概念更为清晰。     

双向负阻晶体管张弛振荡器的研究

本文研究了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器的分段线性(具有四段折线和三段折线)动力学模型。给出了电路和动态方程。讨论了张弛振荡器的一些性质。实验结果与计算结果一致,表明这种动力学模型是适当而有效的。     

用负阻法实现介质振荡器设计

本文介绍了使用负阻法设计9GHz介质振荡器的实例.在设计过程中使用了Agilent公司的Advanced System Design软件,并对最终所设计振荡器的性能进行了评估.     

负阻提升的微波混沌振荡器的设计

将负阻提升技术引入到混沌振荡器的设计中,通过理论推导、数值计算和测试验证来优化电路结构,提供参数选取规则,从理论和实验两方面验证,在双电感的比值达到最优值时振荡器负阻能够得到大幅提升。并基于负阻提升技术提出了双电感结构的微波Colpitts 混沌振荡器。新结构电路的最高混沌振荡基频为1.78 GHz,较经典电路提升了39%;带宽达到4.60GHz(0.80～5.40 GHz),较经典电路提升了119%。测试结果表明,优化的双电感结构能有效提升混沌振荡基频和带宽。     

非线性负阻振荡器频率牵引系数的精确推导

迄今为止,对于振荡器的频率牵引系数,只有近似的关系式可利用。这里介绍了频率牵引系数的精确推导,推导时主要考虑了振荡器导纳的非线性。还介绍了振荡器非线性对频率牵引范围不对称性的影响。     

双向负阻晶体管张弛振荡器分频锁相特性的研究

本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是正确有效的。     

新型负阻HBT构成的非稳多谐振荡器研究

报道了由超薄基区负阻异质结双极晶体管(UTBNDRHBT)构成的非稳多谐振荡器,具有高速、可调控等优点。对其电压控制脉冲频率调制效应进行了实验研究,观察到了仅由基极电压(V_(BE))即可控制脉冲间距和脉冲宽度;对实验现象给出了相应分析,并指出了此电路的应用前景。     

氧化物烧结体的负阻特性及其应用

<正> 一、引言 在一定条件下某些半导体器件会出现电压增加电流反而减小或电压减小电流增加的现象(见图1),器件呈现微分负电阻,这就是负阻效应(Negtive ResistanceEffect)。负阻元件的电流-电压特性曲线呈S型的,其电压随着电流增加而降低,称为电流控制型负阻特性或称S型负阻     

采用虚拟环路模型优化设计的10GHz高效率低噪声负阻振荡器

利用虚拟接地传输分析法（TAVG）建立一个匹配的虚拟的环路模型以辅助负阻振荡器设计,通过该环路模型可以提供了直观的分析视角,对振荡器的噪声和功率特性进行便捷的优化。经测试,所设计制作的基于InGaP/GaAs HBT器件的10GHz振荡器工作于10.028GHz,直流到基波的转换效率超过35%,距离基波100kHz偏移处的相噪低于-107dBc/Hz,振荡器优值达-188dBc/Hz,实测结果与仿真结果高度一致,证明所采用的虚拟环路和准确的电磁场仿真模型在微波振荡器的设计中具有良好的应用效果。     

LC反馈型和RC桥式振荡器起振条件的负阻分析

本文用等效负阻的方法,对RC桥式和LC反馈型振荡器起振条件作了推证,表明g_d>gL和A_(vo)F>1是统一的,并且在数量上建立了等效负阻和正反馈有关参量之间的关系。现在许多资料对LC反馈型和RC桥式振荡器起振条件的推证大都采用     

高功率负阻放大器

分析了采用负阻的功率放大器的某些基本特性、分析放大器输出功率、增益、增益压缩和效率之间的相互影响。放大器功率容量特性为二极管振荡器功率容量所归一化。故此结果可用于设计功率放大器的一般指南。这种分析是基于器件的简化非线性特性,即V=-ai+bi~3,而不包含另外的特性,如热和其它参数影响。在这些分析中引入了“功率增益”的概念,而它的正确性已被严格地证明j了。对砷化(?)雪崩二极管放大器中获得的实验结果与理论特性非常一致。     

高性能微带型介质腔稳频体效应振荡器设计

本文采用 T.Hirota 等人提出的微带振荡器非线性等效模型,对体效应管非线性等效电路参数进行数值拟合,得到体效应管的非线性等效电路;利用介质谐振器作为稳频元件,实现稳频 MIC 体效应振荡器,在三公分波段获得高性能稳定振荡器:在-20℃～+80℃温度范围内,频率稳定度为2.2ppm/℃,振荡输出功率大于110mW。     

砷化镓体效应振荡器

一、引言电子越谷振荡器件是体效应器件之一种,1961年里德菜、华特肯斯等人从理论上预示了导带具有双能谷的化合物半导体(如砷化镓)在偏压超过阈值时,可能产生微分负电导,出现振荡。1963年耿氏从实验上发现这一现象,因此又谓“耿效应”。由于材料的进展,雷达通讯机等的促进,十年来电子越谷振荡器件得到了较大的发展。目前电子越谷振荡器件主要用砷化镓材料。并且,该类器件已进入实用阶段,国外报导已在应答器、相控阵雷达、各种跟踪装置、舰艇雷达、导航信标、信号发生器及本机振荡源等方面使用了。     

分布作用腔振荡器腔频的修正

分布作用腔振荡器(Extended interaction oscillator简称EIO),是一种直射速调管,它采用永磁聚焦收敛电子枪,高频场周期性地均匀分布在具有较大空间的腔中。腔中某一局部几何尺寸变化所引起的腔的等效参     

三腔分离腔振荡器高频特性分析

本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致.     

三腔分离腔振荡器高频特性分析

本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致.