Al2O3-Na2O-CaO-SrO系统富Al2O3区域固态反应的研究

用理学Ｘ射线衍射仪、ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ－４４０ 红外光谱研究了Ａｌ２Ｏ３－Ｎａ２ Ｏ－ＣａＯ－ＳｒＯ系统富Ａｌ２Ｏ３ 区域固态反应。实验结果表明,煅烧过程固态反应的最终物相组成为Ｎａ２Ｏ·１１Ａｌ２Ｏ３,ＣａＯ·６Ａｌ２Ｏ３ ,ＳｒＯ·６Ａｌ２Ｏ３ 与α－Ａｌ２Ｏ３ 共存     

耐1300℃新型Ni-Fe-Cr-Al基高温合金抗氧化机理研究

对新型高温合金（３ＹＣ５２）的抗氧化机理进行了系统研究。结果表明，研制合金（３ＹＣ５２）具有的优异抗氧化性能在于高温下合金表面能形成致密保护层。扫描电镜（ＳＥＭ）、电子探针显微分析（ＥＰＭＡ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）分析表明，１１００℃，合金氧化层的内层为Ｃｒ２Ｏ３，外层为Ａｌ２Ｏ３；１３００℃，合金氧化层为单一的Ａｌ２Ｏ３。差热分析（ＤＴＡ）研究表明（Ａｌ，Ｃｒ）２Ｏ３和α－Ａｌ２Ｏ３的形成分别在１０６０℃和１３５６℃达到最大值。当温度大于１１５０℃时，Ｃｒ２Ｏ３易剥落，因此随着时间的延长，最终留下致密的α－Ａｌ２Ｏ３保护层。     

不锈钢上紫红色铬酸盐转化膜的研究

用化学着色法从铬酸盐溶液中获得了紫红色不锈钢转化膜,ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明,膜层厚度约为１２５ｎｍ,膜层主要是由Ｃｒ,Ｆｅ,Ｎｉ和Ｏ元素组成,这些元素在膜的表面分别以Ｃｒ２Ｏ３,Ｆｅ２Ｏ３和ＮｉＯ状态存在,从ＡＥＳ深度刻蚀曲线的组成恒定区求得膜层的相对原于百分浓度约为：Ｃｒ２８．０,Ｆｅ２．６,Ｎｉ０．５。     

梯度热障涂层热冲击性能研究

采用等离子喷涂的方法,分别获得了２ｍｍ ＺｒＯ２－ＮｉＣｒＡｌ和ＺｒＯ２－Ｎｉ／Ａｌ系梯度热障涂层。热冲击实验结果表明,两种涂层具有不同的失效机理。ＺｒＯ２－ＮｉＣｒＡｌ系的失效是由于基于基体氧化引起的涂层整体脱落;而ＺｒＯ２－Ｎｉ／Ａｌ系的失效是支径向裂纹扩展到Ｎｉ／Ａｌ底层氧化共同作用的结果。     

（Ni,Cr）／Al2O3复合涂层制备工艺的研究

利用粉末热喷涂法制备（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层，采用ＸＲＤ和金相对复合涂层的相结构和相组成进行分析，并分析了喷涂工艺对金属／陶瓷系复合涂层制备的影响。实验结果表明，Ａｌ２Ｏ３粉末的沉积率和喷涂参数是影响（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层相结构和相组成的关键。     

非晶态铬镀层表面的X光电子能谱研究

非晶态铬镀层具有优良的物理、化学和机械性能，根据非晶态铬镀层的特点用Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）对于进行表面元素全分析和Ａｒ＾＋溅射浓度剖析，发现所获非晶态铬镀层由Ｃｒ、Ｏ和Ｃ等元素组成。Ｏ和Ｃ元素不仅存在于镀层表面，而且存在于整个镀层中。其中Ｏ是以－ＣＯＯＨ和吸附Ｈ２Ｏ及Ｃｒ的氧化物形式存在；Ｃ以－ＣＯＯＨ和石墨存在；在Ｃｒ则以Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ２及ＣｒＯＯＨ形式存在。     

高εr微波人质陶瓷的结构,介电性质及其研究进展

讨论了ＢａＯ－Ｌｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２（Ｌｎ为镧系稀土元素，下同）、ＣａＯ－Ｌｉ２Ｏ－Ｌｎ２Ｏ２－ＴｉＯ２、铜基钙钛矿等系列高εｒ微波介质陶瓷的结构、介电性质，分析了其介电性质随不同Ａ位、Ｂ位离子的变化规律。指出Ａ位、Ｂ位离子的性质、晶体结构、晶胞大小、材料组成等对材料的介电系数εｒ、品质因数Ｑ、谐振频率温度系数ιｉ有决定性影响，钛氧八面体的存在是材料产生高εｒ的主要原因。随Ａ位离子半径的增大、Ｂ位离子半径的减小，材料的εｒ升高，Ｑ值降低。传统的极化损耗机制不能完全解释该类材料的介电特性。今后的发展趋势是利用复合效应来得到εｒ更高、Ｑ值更高、同时温度稳定性良好的高性能材料。     

TiO_2对ZrO_2－NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮＩＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用．金相观察表明，ＴｉＯ３的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善．ＸＲＤ和ＥＰＭＡ分析结果显示，ＴｉＯ２偏聚在ＮｉＣｒ金属相中，不影响ＣａＳＺ的稳定性．     

Co基复合镀层对3Cr2W8V钢热疲劳性能的影响

利用自约束热疲劳试验方法，研究了在３Ｃｒ２Ｗ８Ｖ钢表面上沉积Ｃｏ－Ｃｒ２Ｏ３－，Ｃｏ－Ａｌ２Ｏ３及Ｃｏ－ＣａＦ２复合镀层对钢热疲劳性能的影响。结果表明：Ｃｏ－Ｃｒ２ｏ３及Ｃｏ－ＡｌＯ３复合镀层都在不同程度上提高钢的热疲劳抗力，而Ｃｏ－ＣａＦ２则降低钢的热疲劳抗力。     

玻璃气泡中常见气体的定量分析

玻璃气泡定量分析的关键在于确定气泡中常见气体的图样系数和相对灵敏度。中给出了Ｎ２,ＣＯ,ＣＯ２,Ａｒ和Ｏ２等的测试结果。用已知配比的混合气体进行校准的结果表明,不同气体成分之间互不干扰,这就为采用灵敏度常数法进行定量分析打下基础。     

NC1000气相色谱在气体中氧氩含量分析的应用

氧气和氩气由于相近的沸点,导致其最难分离;采用MXT-5A分子筛柱,搭载DID检测器,对高纯气体中微量氧氩含量,进行分离并检测。     

氩色谱分析仪的使用和改进

针对DHP-06型氩色谱分析仪在分析使用过程中存在高纯氩载气使用量大和分析工操作时间长等矛盾,介绍了采用氩储槽内的氩净化后做载气的改造方案.     

进口气体分析仪在空分厂的应用

简要介绍了ULTRAMAT6E二氧化碳分析仪、OXYMAT61氧分析仪、K-3000氧中氩色谱分析仪等进口气体分析仪器及使用、维护的方法.     

O2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO2薄膜的影响

采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜.通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响.结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降.O2/Ar气体...     

Ar压强对硅基Al膜应力和微结构的影响

用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5 min和10 min,氩气压强分别为0.7、3、6 Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究.应力分析表明:在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀.结构分析表明:制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7 Pa的Al膜结晶度最好.随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大.     

Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH_4

In this paper, polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition （ECR-PECVD） using SiH4/Ar and SiH4/H2 gaseous mixture. Effects of argon flow rate on the deposition efficiency and the film property were investigated by comparing with H2. The results indicated that the deposition rate of using Ar as discharge gas was 1.5-2 times higher than that of using H2, while the preferred orientations and the grain sizes of the films were analogous. Film crystallinity increased with the increase of Ar flow rate. Optimized flow ratio of SiH4 to Ar was obtained as F（SiH4）： F（Ar）=10：70 for the highest deposition rate.     

压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)

在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响.研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响.在40torr的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长.压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因.在同样的Ar含量下,在5torr下的C2活性基团的浓度高于40 torr的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长.     

Etch characteristics of magnetic tunnel junction stack with nanometer-sized patterns for magnetic random access memory

Etch characteristics of magnetic tunnel junction (MTJ) stack masked with TiN films were investigated using an inductively coupled plasma reactive ion etcher in Cl₂/Ar and BCl₃/Ar gases for magnetic random access memory. The effect of etch gas on the etch profile of MTJ stacks was examined. As Cl₂ and BCl₃ concentrations increased, the etch slope of etched MTJ stack became slanted and the dimensional shrinkage was observed. A high degree of anisotropic etching of MTJ stacks was achieved using Cl₂/Ar gas at the optimized etch conditions.     

Thin transparent W-doped indium-zinc oxide (WIZO) layer on glass

Annealing effect on structural and electrical properties of W-doped IZO (WIZO) films for thin film transistors (TFT) was studied under different process conditions. Thin WIZO films were deposited on glass substrates by RF magnetron co-sputtering technique using indium zinc oxide (10 wt.% ZnO-doped In2O3) and WO3 targets in room temperature. The post annealing temperature was executed from 200 degrees C to 500 degrees C under various O2/Ar ratios. We could not find any big difference from the surface observation of as grown films while it was found that the carrier density and sheet resistance of WIZO films were controlled by O2/Ar ratio and post annealing temperature. Furthermore, the crystallinity of WIZO film was changed as annealing temperature increased, resulting in amorphous structure at the annealing temperature of 200 degrees C, while clear In2O3 peak was observed for the annealed over 300 degrees C. The transmittance of as-grown films over 89% in visible range was obtained. As an active channel layer for TFT, it was found that the variation of resistivity, carrier density and mobility concentration of WIZO film decreased by annealing process.     

O_2/Ar比例对直流脉冲磁控溅射制备TiO_2薄膜光催化性能的影响

利用直流脉冲磁控溅射方法在不同O2/Ar比例条件下制备具有不同结构、性能的TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线衍射仪及紫外-可见分光光度计等仪器,对薄膜的结构、透光性能、光催化性能等进行表征。研究结果表明:TiO2薄膜的结构、光催化性能等强烈依赖于沉积过程中的O2/Ar比例。在低O2/Ar比例条件下制备的TiO2薄膜,薄膜处于O控制生长阶段,相应薄膜处于高速生长状态,薄膜经退火处理后形成锐钛矿(101)相择优取向结构,同时薄膜对甲基橙溶液降解率较低。随着O2/Ar比例的增加,薄膜生长速率逐渐降低,薄膜逐渐呈现多相混合生长,经退火处理后薄膜呈现锐钛矿(101)相与(004)相的混合相结构,相应薄膜对甲基橙溶液降解率增加,在O2/Ar比为6/14时,其对甲基橙溶液降解率达到最大值,为86.45%。继续增加O2/Ar比例,在高O2/Ar比例条件下,薄膜沉积速率较低,沉积离子有充足的驰豫时间释放自身能量以寻找低能位置,因此在薄膜沉积过程中主要形成能量最低的锐钛矿(101)相结构,经退火处理后薄膜呈现锐钛矿(101)相择优取向结构,在O2/Ar比为20/0时,薄膜对甲基橙溶液降解率下降至52.15%。