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掺碳锗硅合金最新研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SiGeC三元合金近几年来受到人们广泛关注,碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性,本文地碳加和锗材料中后应变的缓解及碳对合金能带结构的影响进行了概述,并对其机理做了总结。 相似文献
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UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用超高真空化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜,X射线衍射,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明替代位C的加入,明显缓解了宏观上的应变,但在合金中仍存在着微观应变。 相似文献
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SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。 相似文献
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用真高真空化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜,X射线衍射,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外层进行了检测,结果表明:替代位C的加入,9明显缓解了宏观上的应变,但在合金中仍存在着微观应变。 相似文献
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SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。 相似文献
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采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高的退火温度下(950℃或以上),Si1-x-yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀,减弱了应变的补偿作用,从而增大了合金中的应变,显示出不同于Si1-xGex的弛豫行为. 相似文献
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采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性,在比较高的退火温度下(950度或以上),Si1-x-yGexCy中的替代位的C逐步形成SiC沉淀,减弱了应变的补偿作用,从而增大了合金中的应变,显示出不同于Si1-x-yGex的驰豫行为。 相似文献
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以硅粉、锗粉为原料,用高能球磨法制备硅锗合金。采用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及能谱仪(EDS)研究了粉体随球磨时间的物相转变过程。结果表明,硅粉与锗粉经球磨时间为80h后合成出分散程度较高的SiGe二元合金。 相似文献
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回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响 总被引:2,自引:3,他引:2
结果表明,预应变后的合金经回复应变退火后,组织转变分为三个阶段,形状记忆效应主要产生于475℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变,475℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为500℃。 相似文献
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生物医学钛合金的研究现状及发展趋势 总被引:3,自引:0,他引:3
于思荣 《材料科学与工程学报》2000,18(2):131-134
本文在回顾生物医学钛合金发展历史的基础上 ,综述了国外近年来新开发的生物医学钛合金的组成及性能 ,提出了我国生物医学钛合金的发展方向。 相似文献
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摘要对亚共析U-Nb合金进行了不同形变量和不同拉伸速率的静态拉伸实验,利用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪和透射电镜分析了形变前后亚共析U-Nb合金微观组织结构的变化。结果表明:在低应变率范围内(10^-5~10^-2/s),亚共析U-Nb合金在形变过程中,其变形表面出现浮凸,随着形变量的增加,浮凸台阶增多。内部的孪晶马氏体相互合并长大并发生择优取向为亚共析U-Nb合金变形初期的主要变形机制。 相似文献
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本文综述了目前国内外在工作波长1.3~1.5μm的SiGe/Si超晶格探测器和工作波长为8~12μm的SiGe/Si异质结长波长红外探测器方面的研究进展,并分析了存在的问题和材料的各种生长方法。 相似文献