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介绍了宽带综合业务数字网(B—ISDN)与城域网(MAN)、局域网(LAN)、综合业务数字网(ISDN)及帧中继间的网络互连。 相似文献
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主要论述了综合业务数字网(ISDN)的概念及特点,简要介绍了ISDN发展的目标———宽带综合业务数字网(B_ISDN)及其实现的技术基础。 相似文献
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信元中继—面向21世纪的交换技术陈锡生通信网将向着宽带综合业务数字网(B—ISDN)发展。顾名思义,B—ISDN不仅能适应窄带综合业务数字网(N—ISDN)的业务,而且要开放很多高速的宽带业务,例如100Mb八以上的高速数据业务和高清晰度电视业务。B... 相似文献
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信元中继──面向21世纪的交换技术陈锡生通信网将向着宽带综合业务数字网(BISDN)发展。顾名思义,B-ISDN不仅能适应窄带综合业务数字网(N-ISDN)的业务,而且要开放很多高速的宽带业务,例如100Mb/s以上的高速数据业务和高清晰度电视业务。... 相似文献
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本文简介了宽带通信业务在美国等发达国家的发展情况以及目前提供宽带通信业务的手段。综述了支持宽带通信业务的新技术。对支持宽带通信的网络进行了前景预测和标准化情况介绍。另外,还介绍了窄带综合业务数字网(N-ISDN)向宽带综合业务数字网(B-ISDN)的发展、虚通道(VP)的应用以及异步转移模式(ATM)为基础建立全国性B-ISDN等开发应用实例。 相似文献
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宽带综合业务数字网技术讲座──第六章 ATM的互通赵慧玲(邮电部电信传输研究所)随着高速数据和高质量图像业务的发展,宽带综合业务数字网(B—ISDN)的研究已面向实施阶段。然而宽带网络的发展不是孤立的,在相当长的时间内B-ISDN与64kb/sISD... 相似文献
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ATM技术的协议结构●赵恩昌异步传递方式(ATM)是实现宽带综合业务数字网(BISDN)的最佳方式。国际电信联盟ITU在1988年正式建议将ATM作为BISDN的交换方式,并在1990年的建议中作了详细说明。一、ATM的技术特点ATM是一种异步时... 相似文献
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宽带综合业务数字网中的拥塞控制技术段强宽带综合业务数字网(B─ISDN)是现代电信网的发展方向,拥塞控制技术则是其中的一个重要问题。由于B─ISDN采用新的信息传递方式─异步转移模式(ATM),使传统的拥塞控制方法不再适用。本文依据国际电信联盟ITU... 相似文献
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A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established 相似文献
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"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略 总被引:17,自引:1,他引:16
随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。 相似文献
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21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。 相似文献
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Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H2 + HBr or H2 + PBr3 gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for AII - BVI compounds. 相似文献