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杨乔林 《计算机研究与发展》1977,(4)
本文用特征线法求解了描述传输过程的偏微分方程,从而得到了传输线中各点的电压,电流的计算公式和等效电路。并给出了实现该算法的程序框图。对于无损线的情况,运用了上述的结果,得到了无损传输线的数学模型和等效电路,并纳入电路分析系统 DFX-1中,作为该系统可分析处理的一种电路元件。作为例子,本文介绍:磁膜字线中,窄脉冲漏电流的分布;磁心读出线中,讯号和噪音的传输;并联读出线中的讯号传输和逻辑讯号的长线传输,给出了严重失配、二极管匹配、RC 网络匹配几种情况下的瞬态响应波形。 相似文献
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对电流驱动级电性能的要求,主要决定于存贮器矩阵里的磁心数量和排列方法,电流脉冲的幅度和上升时间则与所使用的磁心有关,因为必须使脉冲在时间上重合且读出信号应达到一定的幅度。电流驱动级的最小内阻 R_(i min)主要取决于 相似文献
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众所周知,矩形记忆磁芯读出讯号幅度的大小与其驱动电流大小敏感很大,以使各单位之间及大容量高速计算机的磁芯读出的幅度很难保证统一及一致性。同时根据四机部磁芯测试标准化的需要,我们对脉冲电压校正仪进行了初步的试制,经过初步应用,基本上符合要求。 本仪器产生为20ns左右前沿的毫伏级正负矩形方波,经过连续工作8小时,环境温度在15℃~45℃范围内考核,相对稳定性仍保持±0.1%。 相似文献
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文献上曾介绍过很多种不破坏读出的磁心存储器,这些存储器在读数时利用磁矩转动,而不是畴壁位移的方法来产生输出脉冲。这种方法的一般优点是读数速度非常快,因为磁矩的转动主要是在读数脉冲上升时间内完成的。过去采用的方法往往使读出信号非常小,而且对读数脉冲的宽度与幅度都有严格的要求,元件几何形状也较复杂,并须有高度的—致性。本文所介绍的弗拉克斯洛克(Fluxlok)存储器,用简便的方法把标准的铁氧体记忆磁心 相似文献
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非破坏读出与破坏读出相此,有两个基本优点:①缩短工作周期;②提高可靠性。关于非破坏读出磁膜存贮器有的已经制出,有的正在实验,其中已经成功实现了的有雷明顿—兰德公司所制的 UNIVAC 双心存贮器(BICORE ME-MORY)。现将这些方案的原理和结果介绍如 相似文献
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本文介绍一个读周期为13.5毫微秒,写周期为60毫微秒,容量为4608单元的试验用不破坏读出磁膜存储器的放大器和驱动电路。读出和数位共线所带来的位噪音问题,由于在非线性平衡电路中采用了隧道二极管而得到解决。采用了抑制噪音的非线性负反馈读出放大器,从而进一步提高了信号噪音比。文章还讨论了字驱动电路,它能在50兆周的重复频率下工作,脉宽7毫微秒,脉冲电流达700毫安。 相似文献
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低温红外面阵读出电路中的高性能缓冲器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
使用chrt 0.35μm 3.3V CMOS工艺设计了用于制冷型红外面阵读出电路的高性能输出缓冲器,该缓冲器能在红外读出电路5M/s的读出速度下驱动约25pF的负载电容,在输出幅度为2V的条件下,建立时间为40ns,平均功耗为3.94mA。给出了修改chrt 0.35μm后的模型参数的仿真结果与最后的测试结果,基本满足红外读出电路的设计要求。 相似文献
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本文介绍一台166,000数位的磁膜存贮系统的原理、设计和工作特性。虽然这台紧凑的存贮系统是专门为航空上的应用而设计的,它是导航和控制计算机的一个主要部份,但该设计也适用于其它的军用控制计算机。这台随机取数、并行读出、字选择法的存贮系统包括一台256字,24位的破坏读出的存贮器和一台6656字,24位的非破坏读出的存贮器。在程序下的循环时间为3.0微秒,取数时间为0.7微秒。这台存贮器被设计成在没有温度补偿,以及冲击和震动都相当严重的条件下还能可靠地工作。磁膜存贮元件所固有的装配技术已经能够制成一个包括选择线路在内的存贮体,其重量是16磅,体积大约是0.2立方呎。线路的装配保证了结构紧凑和维护方便。整个存贮系统包括全部联接线路在内需要的功率为50瓦。 相似文献
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引言在实际应用中,由于机械精度的限制,磁头在给定磁道上的定位精度常常成为磁记录技术中的关键问题,当磁头偏离信息记录道时,通常产生某些不良的效应,如:读出信号幅度的降落,由记录道外边的剩磁所引起的噪音,以及相邻道问的串扰等。目前,在数字计算机中常用以下的方法来减小上述不良的效应:1)写入宽而读出窄,2)清除宽而读—写皆窄,3)清除和读出皆宽而写入窄。然而,使用这些方法,需要采用两个或更多的单独磁元件。若采用两个元件,每个元件分别执行一种功能,则由于两个磁头的间隙之间 相似文献
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《计算机研究与发展》1962,(6)
日本正在研制一台基于电感耦合原理的涡流卡片(Eddycard)存贮器。这台存贮器是只能进行读出的半永久存贮装置。其读出周期为100毫微秒。这种存贮器与匀磁线(Unifluxor)存贮器相类似。匀磁线存贮器中读出线是通过小铜块与驱动线耦合的。这样,涡流使得读出线和驱动线之间能产生相互感应,以表示“1”。没有小铜块的地方用来表示“0”。这台存贮器是永久存贮器,但是,所存信息 相似文献
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Dieter Seitzer 《计算机工程与应用》1971,(1)
本文叙述了一个具有150,000单元的20毫微秒不破坏读出的磁膜存贮器的字选择和字驱动方案的设计原理,且通过剖面性实验作了修改。字线的一头配匹,另一头由高速驱动电路驱动,这种电路与集成电路工艺相适配,驱动器和译码矩阵相连接。本文也描述了一个合适的译码矩阵线驱动器,它能提供不同幅度和宽度的脉冲,作为“读”和“写”用,“读”操作50兆周,“写”操作20兆周。对于64个输出的剖面性实验表明,这种系统具有实用性。与存贮器模型连接进行操作表明,存取时间为30毫微秒。 相似文献
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本文介绍了一种类似于光电二极管线阵扫描CCD摄像器的磁场摄像器,其中磁信号是以电流方式被收集并象普通CCD那样读出。磁摄像器采用埋入通道及CCD读出电路,使摄像器像素要以实现最佳化,其灵敏度高达109.7T。 相似文献
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David E.Roop 《计算机工程与应用》1967,(4)
本文叙述一台磁薄膜存贮系统(字长48位,共256字),读取时间40毫微秒,不破坏读周期50毫微秒,写周期150毫微秒。给出了薄膜参数、系统结构和有关电路,并附有图片说明。采用不破坏读出方式来防止破坏读出薄膜存贮器恢复周期产生的恢复问题。80×60密尔的薄膜元件当读电流170毫安时能产生1/2毫伏读出信号。由于存贮体延迟约为8毫微秒,地址译码、读出放大和选通的时间允许为32毫微秒;这就要求一些独特的电路,包括一个隧道二极管译码矩阵和读写两用的单地址驱动器。 相似文献
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在使用TRS-80机研制专用仪器中,可采用BASIC Ⅱ语言对外设直接作数据输入,供要求输入数据速度不太高的场合采用,这样可以充分利用TRS-80微型机已经固化的BASIC语言,将使程序简化并缩短研制周期。这种方法是采用INP(n)作为直接输入语句,当TRS-80运行INP(n)语句时,将在地址总线上输出一个外设地址码,通过译码电路得到一个选片讯号。同时TRS-80又输出一个讯号,并作为另一个选片讯号。将此两个选片讯号接到所用外设上,即可以将该外设的一个字节数据送入TRS-80机内。 相似文献