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本文介绍了开发的蒙特卡罗燃耗计算程序MCNTRANS。MCNTRANS的中子学计算参数直接采用MCNP5程序的反应率计算值,燃耗计算方法采用图论算法跟踪燃耗链,同时,对实际燃耗过程进行详细分析以提高计算精度与程序适用性,并使用预估 校正方法以获取较大的燃耗计算步长。程序计算结果通过OECD/NEA与JAERI燃耗基准题实验结果进行验证,并与其他程序的计算结果进行比较。结果表明,MCNTRANS程序在不同燃耗深度下的计算结果和实验值与其他程序的计算值符合较好,部分锕系核素与裂变产物的计算精度更高。 相似文献
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丰树强 《中国原子能科学研究院年报》2007,(1)
康普顿背散射成像技术的独特优势在辐射成像领域日益得到关注与发展。这种技术可将辐射源与探测器放置在被检测物的同一侧,用于检测大型物体或几何形状复杂的物体,背散射成像对于低原子序数的物质很灵敏,适用于对毒品、炸药等物品的检测,可在打击走私、反恐和安检等领域发挥重要作用。 相似文献
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辐射屏蔽计算是核电厂辐射防护设计和审评的重要内容之一。国际屏蔽计算软件对中国实行"出口封锁",制约了我国核电辐射屏蔽审核计算能力,因此,研发了具有自主知识产权的基于蒙特卡罗方法的辐射屏蔽专用蒙特卡罗软件RShieldMC(Radiation Shielding Monte Carlo)。为了验证RShieldMC程序,进行中子注量率计算的准确性和适用性,利用秦山一期反应堆结构与辐照监督管相关参数,通过RShieldMC可视化前处理模块建立辐照监督管屏蔽计算模型,计算秦山一期反应堆辐照监督管堆芯中平面和上焊缝处的中子注量率。RShieldMC程序计算结果与辐照监督管实验测量值以及MCNP(Monte Carlo N-Particle)、JMCT-S(J Monte Carlo Transport)、TORT(Three-dimensional Neutron/Photon Transport)程序计算结果符合较好,验证了RShieldMC软件在中子注量率计算中的可用性及正确性。 相似文献
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应用低能电子束进行辐照加工需要采用自屏蔽结构来达到辐射防护的要求。自屏蔽防护层的功能是屏蔽由轫致辐射产生的光子。本工作利用蒙特卡罗应用程序EGSnrcMP模拟了低能电子束轰击钢和聚乙烯两种靶材的轫致辐射过程,比较和分析了轫致辐射反射光子的能谱及角分布与靶材料种类、靶材料厚度之间的关系,为优化设计自屏蔽结构提供了基础数据。 相似文献
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康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟 总被引:5,自引:0,他引:5
康普顿背散射成像是利用康普顿效应判断被照射物体内部结构的方法,广泛应用于工业和医学诊断领域。介绍应用MCNP程序模拟康普顿背散城像的问题,计算了250keV电子轰击钨靶产生的X射线潜为源的X射线检测碳和铁的康普顿背散射光子角分布,得到这两种物质的不同散射特性。 相似文献
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当前,核设施与核装备越来越大型化、精细化和复杂化,这种发展趋势将大大增加传统手工编写蒙卡仿真计算模型的难度。针对此问题,本文利用开源几何引擎Open CASCADE开发了蒙卡仿真计算前处理平台,前处理平台提供几何模型的建立与修改、材料模型的创建与输入,以及从CAD模型到蒙卡仿真计算模型的转换等功能,以优化传统手工建模过程。本文主要阐述了前处理平台的总体架构设计、功能模块的实现情况,以及从边界表示法模型到构造实体表示法模型的转换过程,并对不同复杂程度的CAD模型进行了蒙卡仿真计算模型生成验证,初步验证结果表明,前处理平台能自动输出蒙卡仿真计算模型,避免了手工编写计算模型文本,简化了蒙卡仿真前处理过程。 相似文献
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在研究堆中的辐照条件下,U3Si2-Al 弥散型燃料的燃料颗粒和基体界面发生相互扩散。由于相互扩散反应,在每个 U3Si2颗粒的周围形成 U3Al7Si2反应层。反应层厚度随辐照时间和裂变密度而增加。反应层的形成造成了 U3Si2燃料和铝基体的消耗。该过程导致燃料芯体几何结构的演化。根据弥散体中燃料的随机分布特点,作者采用蒙特卡罗方法发展了燃料芯体结构演化的模拟方法。每个颗粒的特性都可以用直径和位置来表示。芯体结构参数包括颗粒尺寸分布、制造状态下的燃料体积分数、反应层厚度、反应层体积、U3Si2燃料体积分数、铝体积分数、接触几率和颗粒相互连接分数。特别是对于制造状态下的燃料体积分数为 43%时,颗粒尺寸较好地服从正态分布。模拟了在 6 mm×6 mm×0.5 mm 的芯体体积中 13 000 个抽样颗粒的情况下,各芯体结构参数随反应层厚度从 0~16 μm 变化时的函数变化情况。 相似文献
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VSOP程序广泛用于球床式高温气冷堆的工程设计,需对VSOP程序进行验证与确认。针对相同的高温气冷堆堆芯定义,比较了VSOP程序和蒙特卡罗程序采用特殊形状的重复结构来模拟随机分布的球床堆芯的建模结果。对VSOP模型中的侧反射层孔道进行均匀化处理,对球床顶锥和底锥的几何进行等效处理,用蒙特卡罗模型详细比较了近似处理为有效增殖因数keff带来的偏差。结果表明,VSOP模型中不同的近似处理方法会带来不同的偏差。但最终VSOP模型与最精细的蒙特卡罗模型在有效增殖因数方面差别不大,进一步说明VSOP模型的可用性和合理性。当然,VSOP程序和模型的验证还需要进一步深入研究。 相似文献
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用蒙特卡罗方法对NaI(Tl)野外γ谱仪刻度进行模拟,计算谱仪的响应系数.通过与实验的比较,研究利用蒙特卡罗方法对NaI(Tl)野外γ谱仪进行刻度的可行性.结果表明,当模拟探测器对137Cs的能量分辨率从8%~14%变化时,模拟结果与实验结果的差别在12%以内. 相似文献
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背散射测厚仪是利用射线打到被测物体上,通过探测背散射的计数率得到被测物体厚度的设备。由于背散射计数与被测物厚度之间不是完全的线性关系,所以简单的数值方法只能用于局部处理,无法得到计数随厚度变化的整个曲线。利用蒙特卡罗方法计算,一方面为检测结果的正确性提供理论验证,另一方面为设备的调试提供很好的数据。 相似文献