应用于DBS移动接收中的5位数字移相器——低成本、Ku波段

提出了一种应用于DBS移动接收中的5位数字移相器的设计方案,并通过实验验证了其实际性能。该移相器采用加载线型和反射型移相原理,首先应用ADS软件进行设计仿真;仿真结果显示该移相器具有频带内高移相精度、低插入损耗和低VSWR等性能,符合设计要求。最后使用Agilent矢量网络分析仪对实物进行测试,进而验证了设计方案的正确性。     

X波段五位、C波段六位砷化镓单片数字移相器

南京电子器件研究所成功地研制出Ｘ波段五位、Ｃ波段六位砷化镓单片数字移相器,该移相器具有体积小、性能优、功耗极低、转换速度快、重复性和一致性好、可靠性高等优点。电路设计中,采用开关移相网络、桥Ｔ电路和谐振式电路形式来实现移相功能。电路采用先进的ＭＭＩＣ工艺制作。研制的移相器主要性能指标如下：Ｘ波段五位砷化镓单片数字移相器频　　率：ｆ０±５５０ＭＨｚ位　　数：五位（１８０°、９０°、４５°、２２．５°、１１．２５°）插入损耗：８．５ｄＢ相位精度：ＲＭＳ＜２．６°输入驻波：＜１．５输出驻波：＜１．５各…     

X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz~10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。     

基于ADS仿真设计X波段五位数字移相器

介绍了利用ADS进行X波段五位数字移相器的设计。描述了PIN管的开关特性、X波段五位数字移相器的电气特性、原理、电路设计及仿真情况。移相器采用PIN管管芯作为开关元件,5个移相位将呈线形级联布置。均方根相位误差小于3°,插入损耗在1.7~2.9 dB之间,回波损耗小于15 dB。仿真结果,满足要求。     

X波段GaAs单片五位数字移相器

设计并制作了X波段五位GaAs MMIC(微波单片集成电路)数字移相器,采用MESFET作为开关元件,五个移相位线性级联布置。在9～10GHz的频率范围内,用HP-8510网络分析仪测试得到的微波性能表明:移相器的插入损耗为(7.2±1)dB,RMS(均方根)相位误差小于5°,回波损耗优于-13dB。     

Ka波段4位数字移相器的设计

移相器的应用十分广泛,比如各种通讯和雷达系统,微波仪器和测量系统,特别在相控阵雷达中应用最多。移相器是相控阵雷达T/R组件的重要组成部分。本文主要对Ka波段4位数字移相器进行了研究,并完成了实际电路的设计、制作和测试。在34.2GHz±300MHz频率范围内,所有相移位（16个）的插入损耗都小于10.71dB,输入端和输出端的回波损耗也都小于-14.84dB。另外,所有相移位在中心频率34.2GHz处的相位误差都小于士3.0°,最小仅有0.15°,所有指标均优于设计要求。     

数字式移相器电路研究

作为相控阵雷达的基本单元和关键模块,数字式移相器一直是现代微波电路研究的重点。本文分析了移相器的发展动态,总结了数字式移相器的主要电路结构,给出了电路的基本工作原理,并讨论了各种电路结构的特点和适用范围,对现代数字式移相器设计具有重要的指导意义。     

Ku波段五位数字移相器的设计

本文设计了11.4～12.8GHz频段内五位数字移相器的电路拓扑.采用GaAs MESMET技术建立封须开关模型,对高/低通网络型网络拓扑及场效应管嵌入桥π型电路的移相器拓扑进行仿真,结果表明,当中心须率在12GHz时,达到精确的移相度数,在整个频带内插入损耗小于2dB,移相精度(RMS)小于30,移相前后电压驻波比小于1.35.     

L波段六位数字移相器设计

利用对均匀传输线加载电纳可以改变其传输特性的原理设计了一个L波段六位色散数字移相器.借助ADS软件及25.D仿真器Momentum,建立PIN二极管的SPICE模型,使用Au丝测试得的S参数,在全面考虑实际制作工艺的基础之上,建立准确的电路模型,经过优化,可以得到准确的仿真结果.实际测试结果与仿真相吻合.该方法减少了调试工作,且设计的产品性能优良,体积小,已得到公司规模生产.     

一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器

南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程GaAsMMIC五位数字移相器,初步获得了优异性能。五位数字移相器中每一位均采用了新颖的宽带移相电路拓扑,设计中动用了独到的CAD优化技巧,并借助于南京电子器件研究所Φ76mmMMIC工艺线电路模型参数提取系统获取电路模型参数和采用电路模型参数比例缩放技术。芯片制造采用MMIC标准离子注入圆片工艺制造技术和工艺监控(PCM)技术以保证高的成品率和一致性。芯片采用了多重钝化保护技术以保证在微波多芯片模块(MMCM)组装使用中的高可靠性。芯片尺寸为:4.2mm×2.98mm×0.1mm,输入/输出端…     

基于加载线型Ka频段的五位数字移相器

数字移相器广泛应用于相控阵雷达中,本文采用一前一后加载支线的方法设计了 11.25°,22.5°和45°移相单元,以3 dB支线耦合器的形式设计90°和180°移相单元,在Ka频段研制出五位数字移相器。该移相器在30 GHz~31 GHz工作频带内,各移相单元实测相移误差最大为6.5°,最小为0.2°;插入损耗最大为11.8 dB,最小为8.6 dB;输入驻波比小于2,整个电路尺寸为110 mm×55 mm×25 mm。     

一款采用SOI CMOS工艺实现的X波段高线性6位数控移相器

本文基于SOI CMOS工艺实现了一款工作于X波段的高线性6位数控移相器,解决了实现高集成度、低成本、小尺寸T/R组件的关键问题。本文中移相器采用高低通网络结构实现,同时集成了ESD电路和驱动电路。在7.5GHz-10.5GHz范围内,测得的EMS相位误差小于7.5度,输入输出VSWR小于2,插损在8-14dB之间,同频率处插损波动最大为4dB。输入1dB压缩点为20dBm。该芯片采用2.5V电压供电,无直流功耗。     

An X-band 22.5°/45° digital phase shifter based on switched filter networks

The design approach and performance of a 22.5°/45°digital phase shifter based on a switched filter network for X-band phased arrays are described. Both the MMIC phase shifters are fabricated employing a 0.25μm gate GaAs pHEMT process and share in the same chip size of 0.82×1.06 mm². The measurement results of the proposed phase shifters over the whole operating frequency range show that the phase shift error is less than 22.5°±2.5°, 45°±3.5°, which shows an excellent agreement with the simulated performance, the insertion loss is within the range of 0.9-1.2 dB for the 22.5°phase shifter and 0.9-1.4 dB for the 45°phase shifter, and the input/output return loss is better than -12.5 and -11 dB respectively. They also achieve the similar P_1dB continuous wave power handing capability of 24.8 dBm at 10 GHz. The phase shifters show a good phase shift error, insertion loss and return loss in the X-band (40%), which can be employed into the wide bandwidth multi-bit digital phase shifter.     

L波段五位数字移相器的宽带自动修调

以 L 波段五位数字移相器的宽带自动修调为例 ,介绍了激光自动修调系统的组成和工作过程 ,讨论了移相器的可修调设计和修调算法的设计。激光自动修调技术可用于多种微波电路 ,可以缩短调试时间 ,降低生产成本 ,满足大批量生产的要求。     

一种采用新型矢量合成方法的9~12G 5bit有源本振移相器

本文提出了一种采用新型矢量合成方法的应用于9~12G的5bit有源本振移相器。提出的新型矢量合成方法降低了对可变增益放大器的精度要求,从而可变增益功能可以通过开关控制一组输入管来实现而不必通过改变输入管的偏置电流,所以避免了存在于正交矢量合成移相器中的线性度波动和漏源电压波动的问题,可以降低应用于本振移相时移相器的误差。本文提出的移相器采用TSMC 0.13um CMOS工艺设计并流片。测试结果表明该移相器能够实现5bit的移相精度。在9~12G范围内,32中移相状态下的平均转换增益为-0.5~7dB。均方根增益误差和均方根相位误差的最大值分别为0.8dB和4度。在1.2V的电源电压下消耗的直流电流为27.7mA.     

基于加载线型的平面太赫兹移相器设计

移相器是相控阵系统中的重要组成器件,随着频率的增加,金属的趋肤深度及波导表面粗糙度对器件的影响不可忽略,会使移相器的损耗增加。对此,提出一种基于加载线型的平面太赫兹移相器。将2个枝节并联在微带线上,在并联枝节上加载开关二极管,调节两段枝节的电长度得到所需的移相量;控制开关的导通和断开,实现不同的移相角度。仿真结果表明,在192~210 GHz频带范围内,导通和断开的反射系数都小于-10 dB,插入损耗小于0.5 dB,移相误差小于5°,其中在5 GHz带宽范围内,移相误差小于1°。提出的平面型移相器,加工容易,成本低,便于系统集成化,在太赫兹相控阵系统中具有广泛的应用前景。