BiCl_3-KCl-As_2S_3系玻璃的形成、性质和结构

报道了BiCl_3-KCl-As_2S_3系玻璃的形成。以BiCl_3和As_2S_3为基础的玻璃的红外透过率直到11μm以后才开始下降,这对CO_2激光(10.6μm)传输非常有利。在BiCl_3-KCl系中引入As_2S_3可显著改善玻璃的化学稳定性。根据喇曼光谱结果,分别研究了BiCl_3-KCl系全氯化物玻璃及BiCl_3-KCl-As_2S_3混合系玻璃的结构。     

横模可控的具有缓冲层和平凸波导(BL-PCW)结构的1.5μm范围的InGaAsP/InP激光器

解析地研究了一种改进的平凸波导结构并成功地应用于1.5～1.6μm波长范围的InGaAsP/InP激光器以实现稳定的横模工作。这些激光器的结构特点是有源层与上包层之间有一标准缓冲层,而有源层与衬底之间具有一厚度不同的波导层。这种结构的理论分析表明:在一定沟道深度下,增加缓冲层的厚度会使基横模工作所允许的衬底沟道最大宽度变得更大。分析结果还证明当缓冲层厚度从0.1μm增至0.3μm时,有源层中的光学限制因子会有所减小。用液相外延制作了具有缓冲层和平凸波导的1.5μm激光器。这些激光器直到I=2I_(th)还是基横模工作。直流阈值电流为100～300mA单面微分量子效率为10～15％。25℃下,实现了2000小时的长时间连续波工作。     

高可靠性GaAlAs可见光MCSP激光器

研究了具有凹形有源层的CSP(平面沟道衬底)激光器作为数字音频唱片和光学视频唱片再现系统的光源,这种激光器被称为改进CSP(MCSP)激光器。本文着眼于有源层厚度和限制层的P-掺杂剂对激光器寿命的影响。同时发表了74只激光器的加速寿命试验结果。将有SiO_2半波长厚度单面保护层的激光器芯片P面朝下用Pb-Sn焊料烧结在热沉上。激光器腔长为300μm。从有源层厚0.025～0.06μm的30多块外     

减小键合应力改进(GaAl)As可见光(740nm)激光器寿命

业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形激光器在50℃的寿命试验说明:采用厚顶层(～40μm)和减薄了的衬底(～80μm)使其寿命得到很大改进。     

用于提高混合集成电路散热性能的Al衬底

据报导,日本研制成一种新的用于混合集成电路的Al衬底。这种衬底是在1～2mm厚的Al板上用环氧树脂作成一层厚度为50～150μm的绝缘层,在绝缘层上再形成一层厚度为35μm的铜箔。和以往的衬底相比,这种Al衬底的热阻大大下降。 绝缘层的电阻率为2.2×10~(15)Ω·cm,耐压为20KV/mm,介质损耗为0.016(100KHz)。     

缺陷为增益介质的光子晶体光放大特性的研究

为了研究含缺陷层为增益介质的三元1维光子晶体的光学特性,采用光学传输矩阵的方法进行了理论分析。结果表明,增益缺陷层厚度及光学常数的变化对于红外区的禁带结构影响不大,增益介质层主要对中心波长为1.8μm所处的透射带带边波长的放大效应特别明显。还研究了增益介质缺陷层的厚度、光学常数的变化对于红外区透射带边(2.1869μm)波长的光放大效应;当增益介质厚度为0.0101μm,n=5.03+0.124i时,可以获得在波长2.1869μm处透射系数为428的光放大。在红外区,光放大波长随着中心波长的变化而变化,但该波长都是在中心波长所处透射带的带边处。该结果可为以光子晶体作为激光增益介质的研究提供理论指导。     

基于表面等离子体激元的硅基激光器

研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层/金属薄膜/硅衬底(Si:SiEr/Metal/Si,SEMS)型硅基激光器结构.利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1.54μm波长点的光学增益特性.通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量,减小表面等离子体激元所带来的光学损耗.结果表明,当金属材料厚度小于20 nm时,硅基激光器的净增益系数范围为1～36 cm-1.     

抽运波长对中红外超连续谱影响的数值模拟

采用数值模拟研究了飞秒脉冲在悬吊芯As_2S_3微结构光纤中传输时,抽运波长对中红外超连续谱产生的影响。通过分步傅里叶算法数值求解广义非线性薛定谔方程,对不同抽运波长的飞秒脉冲在悬吊芯As_2S_3微结构光纤中传输时的传输特性及演化过程进行分析。模拟结果表明,当抽运波长为2300nm时,处于光纤的反常色散区且近零色散波长,可获得宽带且平坦的中红外超连续谱,光谱范围覆盖1.2~7μm;当抽运波长为2500nm时,处于光纤的反常色散区且远离零色散波长,可获得超宽带中红外超连续谱,光谱范围覆盖1.2~7.5μm,但其平坦度略差。该结果对产生中红外超连续谱时选择合适的激光抽运波长,进而优化中红外超连续谱具有重要的参考价值。     

用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs1-ySby及其光学和电学性质

用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。     

化学汽相淀积薄膜中的热应力:二元砷硅酸盐玻璃的情况

在硅上汽相沉积的二元砷硅酸盐玻璃薄膜的热处理特性和表面结构对其温度和组分的函数做了系统的研究。起初在 Ar 中用800℃热处理在薄膜中产生的热应力跟硅衬底的膨胀系数失配完全表现出来,对于所观察到的薄膜与衬底分离的温度低,但是当沉积的薄膜中 As_2O_3的总量是明显地降低时[到百分之0.5克分子(m/0)As_2O_3]尽管温度高达1100℃,薄膜的分离可以全部消除。对这些低 As_2O_3薄膜延长热处理可以在硅中产生很均匀的 N~ 扩散层。     

日本电气中央研究所研制出1.5μm波长隐埋波导InGaAsP-InP激光器

<正> 日本电气中央研究所今年10月在日本举行的第41届应用物理学会学术讲演会上发表了关于 InGaAsP-InP 激光器的横模控制的报告。其横模控制是用隐埋的平凸台面肋骨波导(Bu-ried Rib Waveguide:BRW)构造实现的。器件的性能结果良好。器件的制作是:用液相外延法在 InP 衬底上依次生长 n-InP(缓冲层,～3μm)InGaAsP(有源层～0.22μm),p-InGaAsP(波导层0.58μm),p-InP(包层,～1.8μm);接着刻     

发射波长为1.55μm的沟道衬底隐埋异质结构InGaAsP/InP激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野电气通信研究所研制出一种发射波长为1.55μm 的沟道衬底隐埋异质结构 InGaAsP/InP 激光器。这种激光器的制备是采用通常的液相外延方法在 n 型(100)面 InP 衬底上首先生长一层n 型 InP,接着生长一层 InGaAsP 有源层,继之生长一层 p-InP 层,最后生长一层 n-InGa-AsP 顶层。衬底放入坩埚之前表面上用 Br-甲醇溶液沿〔100〕取向刻蚀沟道。沟道深度为1.0～2.0μm,宽约5μm。n-InP 填充层(filling layer)的生长温度为641℃,降温速度为0.8℃/     

GaAs非对称波导形耦合器研究

在(100)GaAs同质结外延衬底上(波导层厚3μm,杂质浓度n~-≈10~(15)/cm~3)研制了非对称波导X交叉型3dB耦合器,对称波导条宽6μm,分叉角0.8°;非对称波导宽臂条宽6.5μm,窄臂条宽5.5μm。分叉角0.4°,波导脊高1μm。实验结果证明,该器件具有良好的3dB耦合特性,并获得15dB的消光比,可以成为集成光学的基础元件之一,在研制2×2集成光学器件方面有广泛地应用前景。     

非晶态As-S系薄膜光学性质的光致变化

本文研究了不同组成As-S系薄膜在Ar~ 激光光照下光学性质的变化过程。实验结果表明,As_2S_3。膜具有最大的光学性质光致变化,且显现出是体效应,并讨论了它的结构变化动力学。本文还研究了新鲜As_2S_3膜在退火-照光循环中折射率的变化行为,可逆的折射率变化约为0.03,不可逆的折射率变化约为0.1。     

ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响

为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术研究分析了GaN外延层的表面形貌、结晶质量和光学特性。结果表明,ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层的特性有着重要的影响,200 nm厚的ZnO缓冲层最有利于高质量GaN外延层的生长。     

低红外发射率TiO2/Ag/TiO2纳米多层膜研究

利用磁控溅射在玻璃衬底上制备了具有良好的光谱选择性透过率的TiO2/Ag/TiO2纳米多层膜.通过用X射线衍射、扫描电子显微镜、UV-VIS-NIR分光光度计、傅里叶红外光谱仪对样品进行表征,优化了薄膜的制备工艺,研究了多层膜的光学特性.结果表明,当Ag膜的厚度为12nm时,多层膜具有高的可见光透过率和优良的导电性能.样品在555nm波长处的透过率最高达93.5%,红外波段平均反射率为90%左右,8μm～14μm波段红外发射率ε＜0.2.Ag层厚度的增加使可见光高透过率波段变窄,透过率下降.内层及外层TiO2厚度的变化引起薄膜可见光透过峰的位置及强度发生变化,外层的影响高于内层.     

Growth of Space Ordered 1.3μm InAs Quantum Dots on GaAs(100) Vicinal Substrates by MOCVD

用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.     

被动宽带长波与中波红外光学限幅器

本发明提供一种可用于保护长波和中波红外探测器的被动式红外光学限幅器。这里的长波红外指的是波长为7至14μm的红外谱区,而中波红外则指的是波长为3至5μm的红外谱区。本发明提供的光学限幅器主要是供长波红外探测器使用的,但它也可以在中波红外谱区使用。该光学限幅器由一层红外限幅层和一个合适的衬底组成,它是通过将辐射导向探测器的方式来限制入射在探测器件上的辐射的量的。     

用MOCVD在偏(100)GaAs基片上生长空间规则排列的1.3μm InAs量子点

用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.     

KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

本文介绍KTP(KTiOPO4)倍频晶体端面等厚度三层倍频双波长增透膜的设计和制备工艺。该膜系结构和制备工艺简单,重复性好,在1.064μm和0.532μm的剩余反射率做到0.15%～0.20%。