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本文应用“幸运电子”概念,取代平均电场热载流子模型[1],利用二维数值计算的方法,建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型(包括热电子和热空穴).通过分别对SOI/MOSFET和相应的体硅器件模拟计算得出:栅电流和实验数据符合得很好;体硅器件的注入电流和通常一样,最大值发生在Vg=Vd/2处;然而在薄膜(包括中等厚膜)SOI器件中,由于存在着前栅、背栅的耦合作用,热载流子电流变化较为复杂.栅电流不能完全表现注入电流的变化情况.准确模拟注入电流是研究薄膜(包括中等厚膜)SOI器件热载流子效应所 相似文献
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本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOI MOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方案。LADES7可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起,可准确地模拟SOI MOSFET器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了LADES7软件模拟的部 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模 总被引:1,自引:1,他引:0
小尺寸MOS器件参量具有很强的分布效应,需要二维模型描述,本文从y截面流函数方程求解获得了MOS器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型,模型是横向场Er(y)和纵向场Ex(y)的函数,二维分布模型截有较充分的物理过程,可以基本反映电流密度的实际分布,模型可应用于与电流路径相关的MOS器件特性的研究,特别重要的应用领域是MOS热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模,选和深亚微米MOS器件的横向场 相似文献
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深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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双栅MOSFET的研究与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
具有特殊结构的双栅MOSFET是一种高速度、低功耗MOSFET器件,符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅MOSFET的结构、优点,以及近年来国内外对双栅MOSFET的研究成果。 相似文献
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本研究了77K下薄栅NMOSFET在F-N均匀注入时栅氧化层对电荷的俘获特性,发现沟道区上方栅氧化屋将俘获电荷,使阀值电压下降,而栅边缘氧化层地电子的俘获明显增强,并高于室温一的对应值,从而导致NMOSFET关态特性变差,沟道电阻增大,以及电流驱动能力的显降低,提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷机制。 相似文献
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An analytical direct tunneling gate current model for cylindrical surrounding gate(CSG) MOSFETs with high-k gate stacks is developed. It is found that the direct tunneling gate current is a strong function of the gate's oxide thickness, but that it is less affected by the change in channel radius. It is also revealed that when the thickness of the equivalent oxide is constant, the thinner the first layer, the smaller the direct tunneling gate current.Moreover, it can be seen that the dielectric with a higher dielectric constant shows a lower tunneling current than expected. The accuracy of the analytical model is verified by the good agreement of its results with those obtained by the three-dimensional numerical device simulator ISE. 相似文献
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Two SiO_2/Si interface structures,which are described by the double bonded model(DBM) and the bridge oxygen model(BOM),have been theoretically studied via first-principle calculations.First-principle simulations demonstrate that the width of the transition region for the interface structure described by DBM is larger than that for the interface structure described by BOM.Such a difference will result in a difference in the gate leakage current. Tunneling current calculation demonstrates that the SiO_2/Si... 相似文献
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介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET.运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并对pMOSFET和nMOSFET高k栅结构进行了分析比较.模拟得出栅极电流与实验结果符合,而得出的优化氮含量有待实验证实. 相似文献
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运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流,该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件,还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件。使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等元素对栅极电流的影响。结果显示,为最大限度减少MOS器件的栅电流,需要优化介质中氮含量、铝含量。 相似文献
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针对传统的以霍尔加磁环对电机电流进行检测再保护的电流限制的方法,提出了0C门硬件限流电路,该电路突破了传统的思路,不对电流进行采样,直接通过硬件电路对电机电流进行限州保护,即以设定的最大电流通过开关管所产生的压降作为0C门电路的参考值,以实际电流通过开关管所产生的压降作为比较值与参考值进行比较。当实际电流大于设定的最大电流时,0C门电路的输出关闭驱动开关管的控制电路,从而关断开关管,反之,当实际电流小于最大电流时,开关管正常工作,从而实现了对过电流进行快速的限制保护,确保了保护电路中的电流不会超过设定的最大电流。应用结果表明,该电路具有响应时间短,控制精度高,成本低等特点。所以其具有较高的应用推广价值。 相似文献
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This paper present, the modeling and estimation of edge direct tunneling current of metal gate (Hf/AlNx) symmetric double gate MOSFET with an intrinsic silicon channel. To model this leakage current, we use the surface potential model obtained from 2D analytical potential model for double gate MOSFET. The surface potential model is used to evaluate the electric field across the insulator layer hence edge direct tunneling current. Further, we have modeled and estimated the edge direct tunneling leakage current for high-k dielectric. In this paper, from our analysis, it is found that dual metal gate (Hf/AlNx) material offer the optimum leakage currents and improve the performance of the device. This feature of the device can be utilized in low power and high performance circuits and systems. 相似文献
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YU Guo-yi ZOU Xue-cheng CHEN Wei-bing Department of Electronic Science Technology Huazhong University of Science Technology Wuhan China 《中国邮电高校学报(英文版)》2007,14(1):77-79
A new gate dielectric material HfTiON is deposited by reactive co-sputtering of Hf and Ti targets in N2/O2 ambient, followed by annealing in N2 at 600 ℃ and 800 ℃ respectively for 2 min. Capacitance-voltage and gate-leakage properties are characterized and compared for different anneal conditions. The results indicate that the sample annealed at 800 ℃ exhibits lower interface-state and oxide-charge densities, and better device reliability. This is attributed to the fact that the rapid thermal annealing at the higher temperature of 800 ℃ can effectively remove the damage-induced precipitation, forming a hardened dielectric/Si interface with high reliability. 相似文献