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1.
将组合材料芯片技术中四元组合法应用于新型发光材料Gd3(1-x)Al5O12:RE3X的RE激活剂和敏化剂种类优选.由Gd3Al5O12基体材料芯片获得如下的研究结果:1)在紫外激发下(254 nm)Gd3(1-x)Al5O3:Eu3x材料具有红色荧光性能;2)Pr(n(Pr):n(Eu)<1:10)、Ce(n(Ce):n(Eu)<1:10)共掺杂时会降低发光强度.光谱分析表明:Pr、Ce能级嵌入,使得激活剂和敏化剂发生共振能量传递,是Gd3Al5O12:Eu(简称为GAG:Eu)发光效率降低的主要原因.筛选结果得到柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体筛选实验结果验证.实验结果表明组合法在发光材料开发上具有高效性.  相似文献   

2.
将组合材料芯片技术中四元组合法应用于新型发光材料Gd3(1-x)Al5O12∶RE3X的RE激活剂和敏化剂种类优选.由Gd3Al5O12基体材料芯片获得如下的研究结果:1)在紫外激发下(254 nm)Gd3(1-x)Al5O3∶Eu3x材料具有红色荧光性能;2)Pr(n(Pr)∶n(Eu)<1∶10)、Ce(n(Ce)∶n(Eu)<1∶10)共掺杂时会降低发光强度.光谱分析表明:Pr、Ce能级嵌入,使得激活剂和敏化剂发生共振能量传递,是Gd3Al5O12∶Eu(简称为GAG∶Eu)发光效率降低的主要原因.筛选结果得到柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体筛选实验结果验证.实验结果表明组合法在发光材料开发上具有高效性.  相似文献   

3.
采用熔融共混的方法制备了聚丙烯(PP)/稀土铝酸锶复合材料,研究了稀土铝酸锶用量对PP/稀土铝酸锶复合材料结晶性能、力学性能和光学性能的影响。结果表明,稀土铝酸锶的加入没有改变PP的晶型;稀土铝酸锶起异相成核作用,结晶度随着稀土铝酸锶含量的增加有不同程度的增加,与PP相比,复合材料的球晶尺寸细小而均匀;PP/稀土铝酸锶复合材料的拉伸强度和断裂伸长率均随着稀土铝酸锶含量的增加出现先增大后减小的趋势;随着稀土铝酸锶含量的增加,复合材料的初始光强度逐渐增大,而发光强度衰减曲线均呈指数规律衰减。  相似文献   

4.
用溶胶-凝胶法合成制备铝酸钡发光材料,由于溶胶-凝胶法能够达到分子乃至原子尺度上的均匀混合,因此制备出的产品颗粒更小,从而弥补了以往高温固相法中,产品制成后需要磨碎、筛分而引起荧光粉亮度下降的不足;而且使用溶胶-凝胶法,使得焙烧温度比高温固相法降低了300℃。实验主要研究了影响凝胶形成的几个工艺条件,如柠檬酸用量、溶液pH值、焙烧温度、焙烧时间等,并逐一进行了讨论。结果确定了用该法制备铝酸钡的各个工艺条件如下:柠檬酸与金属离子摩尔比为1 2,溶液pH>7,焙烧温度为1100℃,焙烧时间为2h。最终产品颗粒尺寸为70nm左右。  相似文献   

5.
围绕燃烧法制备铝酸锶发光材料开展试制研究。考察了铝锶比、激活剂离子、燃烧添加剂的加入量对荧光强度及余辉时间的影响。对制备的荧光粉末进行了XRD、SEM分析检测,XRD分析表明:当铝锶比为1.76时,燃烧法合成的铝酸锶荧光粉主晶相是SrAl2O4;当铝锶比为3.03,合成的主晶相为SrAl2O4和Sr4Al14O25两种晶型。试制结果表明,当Al/Sr(mol比)=1.76,Eu3+与Dy3+加入量分别为0.40mol%,H3BO3加入量为0.05mol,燃烧添加剂脲的加入量为反应物摩尔总量的2.8~3倍时,在600~700℃的电炉中即可燃烧合成得到发光亮度高、余辉时间长达24小时以上的黄绿色蓄能发光粉末材料。  相似文献   

6.
热处理温度对铝酸锶长余辉薄膜结构和发光性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用磁控溅射制备稀土掺杂铝酸锶薄膜前驱体,再将前驱体置于800℃、900℃、1000℃和1100℃弱还原气氛热处理,得到铝酸锶长余辉发光薄膜。薄膜的物相结构随热处理温度升高而发生改变,逐渐由SrAl2O4相转变为Sr4Al14O25相,光致发光性能随之发生改变。  相似文献   

7.
燃烧法快速合成铝酸锶基质长余辉发光材料   总被引:12,自引:0,他引:12  
李峻峰  邱克辉  赖雪飞  李群 《硅酸盐学报》2004,32(12):1560-1562,1559
以燃烧法快速合成了Eu^2 ,Dy^3 掺杂的铝酸锶发光粉,发光粉经自然光激发可观察到明亮的黄绿光,余辉可达12h以上。用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜等分析了合成物的物相组成、显微结构与粒度等。结果表明;合成的发光粉主晶相是SrAl2O4,扫描电镜下呈卷曲片状,透射电镜下的一次粒子呈不规则粒状,粒子直径大多分布在60~100nm以内。通过对荧光分光光度计所测定的合成样品的激发光谱、发射光谱和衰减曲线等光谱分析发现;合成物的发光是Eu^2 的4f^65d^1→4f^7的电子跃迁,而发光体的长余辉特性是由于发光体中Dy^3 的空位陷阱作用。  相似文献   

8.
铝酸锶蓄光型发光材料的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
蓄光型发光材料是近年来应用比较广泛的一种发光材料。笔者选用铝酸锶铕镝体系,以高温固相法、共沉淀法、微波法、溶胶-凝胶法等制备发光材料,并通过控制不同原料的配比、pH值、温度等条件,探讨了上述因素变化与材料发光特性之间的关系。  相似文献   

9.
采用高温固相法制备出初始发光亮度高、余辉时间长的SrAl2O4:Eu 2+,Dy 3+长余辉发光材料,对其发光性能进行了研究。以初始发光亮度为响应指标,采用响应面分析法确定了制备初始发光亮度高的铝酸锶长余辉发光材料最优工艺条件:烧结温度为1 306.74 ℃、激活剂物质的量分数为0.03%,辅助激活剂物质的量分数为0.03%,助熔剂物质的量分数为0.28%,在此条件下得到的初始亮度实际测量值为2 991 mcd/m 2,与理论预测值2 998.71 mcd/m 2基本吻合。该研究可为制备初始发光亮度高、余辉时间长的铝酸锶长余辉发光材料提供参考。  相似文献   

10.
11.
CVD法氮化硅薄膜制备及性能   总被引:12,自引:0,他引:12  
杨辉  马青松 《陶瓷学报》1998,19(2):91-96
氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料,具有优秀的光电性能,钝化性能和机械性能,将在微电子,光电和材料表面改性领域获得广泛应用,本文着重评述了制备氮化硅薄膜的几种化学相沉积方法和一些性能。  相似文献   

12.
唐晓莉  荆玉兰  张怀武  苏桦 《硅酸盐学报》2009,37(11):1895-1898
采用磁控溅射法先在Si(100)基片上沉积适当厚度的Fe薄膜作为底层,通过对Fe底层厚度及氧气流量的控制,使底层Fe形成化学计量的无缓冲层的Fe3O4多晶薄膜。通过X射线衍射和磁强计分析了样品的结构和磁性能。结果表明:当初始氧气流量为1.5mL/s时,在15nm的Fe薄膜底层上可成功制备高晶粒织构的化学计量的Fe3O4薄膜。将Fe3O4薄膜应用到巨磁电阻(giant magnetoresistance,GMR)多层膜中,由于多层膜材料间电阻率的失配,利用Fe3O4半金属薄膜并不能获得预见的大GMR效应。  相似文献   

13.
使用均相沉淀法在单体膜孔表面上镀制了改性膜。比表面测试表明,改性膜增大了单体膜的比表面积。而TEM显微结构表明,改性膜是以微细颗粒形式附着在单体膜孔表面上。  相似文献   

14.
宋会花  刘文芳 《硅酸盐学报》2007,35(9):1186-1189
用微波法合成了强耐水性SrAl_2O4:Eu~(2 ),MxSr1–xAl2O4:Eu2 (M=CaZn)发光粉体。X射线衍射结果表明:所得SrAl2O4为α-SrAl2O4,单斜晶系,晶胞参数a=0.0844nm,b=0.0881nm,c=0.0515nm,β=93.2491°。扫描电子显微镜观察粉体形貌的结果表明:产品微粒直径在300~700nm之间,无需机械研磨可直接应用。在340nm紫外光激发下,SrAl2O4:Eu2 的主发射峰位于513.4nm处,少量钙离子(Ca2 )的掺入引起发射峰红移;少量锌离子(Zn2 )的掺入引起发射峰蓝移。Ca2 在微波场的作用下,增大了在基质中的极限浓度。  相似文献   

15.
以TiCl4,SrCl2.6H2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备出掺Al^3+的钛酸锶薄膜,分析了薄膜的表面形貌和晶相组成,并比较了铝含量不同的SrTi1-xAlxO3-δ薄膜的氧敏性能,实验结果表明:掺摩尔分类为0.01的铝的钛酸锶薄膜表现出较高的氧敏性,但是,铝的掺入并没有消除钛酸锶薄膜的半导体特在中性气氛附近从n型向p型转变。在此基础上,又合了了SrTi0.99Al0.01O3-δ-CrO  相似文献   

16.
于长凤  朱小平  张脉官  凌青  戴静 《中国陶瓷》2006,42(11):18-20,23
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3 的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平均透光率达到90%以上。对所制备的透明导电膜用XRD、FT-IR、SEM、TEM进行了分析表征。  相似文献   

17.
PVA与壳聚糖共混膜的制备及性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用溶液共混法制备PVA与壳聚糖共混膜,用红外光谱法对共混膜进行了表征,并对膜的吸水率、透光率和力学性能进行测试。结果表明,共混膜中PVA分子链与壳聚糖分子链有一定的相互作用,壳聚糖的引入有利于改善PVA的透光性和降低其吸水率。  相似文献   

18.
简略地介绍了负热膨胀陶瓷材料的性质、结构,包括:β锂霞石、NaZr2P3O12(NZP)族、ZrW2O8族、ZrV2O7族、Sc2(WO4)3族、ReO3和Zn(CN)2.此外,还介绍了一些薄膜的制备工艺和性质.进一步的研究建议包括:控制材料的负热膨胀,改进制备L艺,特别是发展新的薄膜制备上艺和应用开发研究.  相似文献   

19.
含镁铝尖晶石的铝酸盐水泥的制备及其抗侵蚀性   总被引:1,自引:0,他引:1  
以白云石和工业Al2O3为原料,采用烧结法制备了含镁铝尖晶石的铝酸盐新型水泥,利用X射线衍射检测了合成产物的物相组成,采用扫描电子显微镜观察了新型铝酸盐水泥中各物相的形貌和能谱分析了成分分布,测量了这种铝酸盐水泥的凝结时间、耐火度以及其所结合的高铝矾土制成的耐火浇注料的早期强度.选择静态坩埚法进行抗渣性实验,对比了新型铝酸盐水泥和纯铝酸钙水泥结合刚玉浇注料的抗渣性差异.结果表明:这种水泥的物相组成为镁铝尖晶石、一铝酸钙和二铝酸钙;物相分布较为均匀.与纯铝酸钙水泥比较,凝结时间正常,新型铝酸盐水泥结合刚玉浇注料与纯铝酸钙水泥结合刚玉浇注料的抗弯强度相当,耐火度较高和抗侵蚀性较好,其原因在于水泥中存在镁铝尖晶石相,而镁铝尖晶石有较高的熔点和抗熔渣侵蚀能力.  相似文献   

20.
蓝宝石衬底上SiO2薄膜的制备与光学性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
以硅单晶为靶材,高纯的Ar和O2气分别为溅射气体和反应气体,采用射频磁控反应溅射法,在蓝宝石衬底上制备了SiO2薄膜,溅射的工艺参数范围是:射频功率为50~100W,样品托背面温度为25~400℃,沉积速率为4~6nm/min。对影响薄膜质量的工艺参数进行了分析,探索出使蓝宝石镀膜后的红外透过率有最大幅度提高的最佳工艺条件。结果表明,所制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;在3~5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透作用。与其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜。  相似文献   

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