雷达产品静电防护

静电与静电放电(ESD)现象是普遍存在的一种自然现象,静电放电除可造成电子产品失效外,还可能产生电磁脉冲引起雷达产品误动作和信息丢失,本文就雷达产品的静电危害、静电防护的必要性、防护措施作简单介绍。     

电子产品中静电防护问题研究

本文介绍了静电起电、静电放电(ESD)的机理及静电放电的危害,进一步阐述了人体感知静电和产品潜在损伤等问题及其产生的原因.针对静电积聚、静电敏感度和静电耦合能量等产生静电放电的前提条件,按照抑制起电、控制积聚的防护原则,提出了减少静电放电危害,提高电子产品可靠性的具体措施,在设计阶段对产品进行ESD防护网络设计,在生产...     

简谈静电对电子产品的影响及防护

介绍了静电影响电子产品质量的几种主要途径以及一些静电防护方法。     

静电防护系统理论的探讨及其实际应用

静电放电是一种常见的自然现象，它对电子元器件，产品生产制造，组装的危害所造成损失是不可估测的，针对静电放电对电子产品影响这一特点，依据国内现行静电防护标准和同行业的静电防护的实践经验，对公司的电子车间进行了全方位静电防护设计，在探讨静电防护系统理论的同时也详细地介绍了的静电防护设计及应用／     

静电防护措施在电视机生产中的应用

针对电视机生产过程中静电危害,详细分析静电产生以及静电失效机理,并给出具体的静电防护措施.采取静电接地、穿戴静电防护工作服、使用静电防护台面、地面、工具及周转箱、静电防护包装袋等措施,建立静电防护体系.     

基于电子产品SMT生产过程中的ESD防护技术

随着现代电子产品SMT制造业的发展和复杂程度的提高，静电放电对电子产品的危害也越来越严重。本文主要介绍了静电的物理特征、静电放电的原因、静电对电子产品的危害以及静电源。重点提出了如何在SMT生产过程中防护静电放电，避免静电对电子产品的危害，以及静电放电防护的误区解析。     

数字程控交换机的静电防护措施（刊中刊）

本文主要介绍了静电的危害以及程控交换机在生产和用户使用过程中的静电防护措施。     

静电和空间静电的危害及消除方法

静电顾名思义,就是指静止的电荷。静电会在其周围形成静电场从而产生力学效应、放电效应、静电感应效应等。静电在线路板制造过程也随处可见,其主要危害有:线路板面吸附灰尘,可能导致贴膜曝光过程中的开短路问题,或者在阻焊过程中造成油墨下垃圾污染;静电放电会击穿介质,造成短路,也可以把金属层部分熔化,造成开路。基于静电防护的重要性,本文介绍了静电预防的一些常用方式,尤其重点介绍了空间静电的消除方法。空间静电极易导致灰尘黏附在设备和线路板上,从而给板面除尘工作带来了很大难度。若对灰尘杂物处理不当,就会造成线路板开短路或者阻焊杂物等品质问题。所以,空间除静电在线路板生产过程中尤其重要。     

ESD对微波组件的危害及其防护

在微波组件的生产过程中,静电放电(ESD)是导致产品失效的主要原因之一。介绍了ESD损伤的失效类型,分析了ESD对微波组件造成的危害特点,阐述了在微波组件设计和生产中静电防护的重要性,以及所采取的ESD防护管理方法和ESD防护的具体技术措施。     

生产装配过程中的静电防护

随着集成度不断提高,集成电路的内绝缘层愈来愈薄,其互连线与间距愈来愈小,相互击穿电压愈来愈低,静电防护的重要性更加突出.简述了电子产品集成过程中静电防护的实践,在工程中解决了静电接地、静电防护等技术问题.     

三电极全静电摄像管

磁聚焦静电偏转和静电聚焦静电偏转型摄像管具有图像失真小，分辨率高且均匀，电子束易于垂直上靶，阴影小等优点，所以受到人们的重视，但图案偏转电极的形状复杂，非对称场的计算较困难，本文对静电偏转型聚焦偏转系统的结构作了分析研究，运用分离变量法给出了圆柱坐标中静电聚焦（旋转对称）场和静电偏转（非旋转对称）场的解析解，讨论了静电聚焦静电偏转型聚焦偏转系统设计中有关电子轨迹的计算方法，最后给出了计算实例和Ｉｉ     

GaAs MMIC抗静电能力研究

用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究,叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。     

电装车间的静电危害及静电防护

静电放电是一种常见的自然现象,它对电子产品生产、装配的危害所造成的损失是不可估测的.电装车间承担着电子产品装配任务,需要进行元器件焊接、组装、调试、包装等工序,由于接触分离、磨擦、感应等作用产生静电,可随时对产品造成静电危害.分析了电装车间主要静电产生源和静电放电产生的原因、机理及破坏机制,提出了在接地系统、人员、设备以及环境等方面有效的防静电措施.     

CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究

通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装、运输和使用中带来隐患， 提出静电防护措施     

电子计量产品接触式静电放电的接地改良研究

在电子工业中,由于静电会损坏电子元器件、严重影响产品质量的问题尚未得到解决,该文对某电子产品（简称被试系统）进行了静电放电（ESD）抗扰度试验,研究了接触式静电放电模式下系统受ESD干扰的情况。当放电电压低于4.5KV时,ESD对于被试系统基本没有影响;当放电电压大于5KV时,受试设备出现蜂鸣器报警、死机现象。通过改进接地,使其抗压能力提高,并对比分析不同接地措施,对进一步改进静电接地提供参考和依据。     

全静电摄像管的结构设计

本文分析了采用图案型偏转电极的全静电摄像管的特点，介绍了整管的结构设计。设计并制作了两种不同结构、性能良好的２／３英寸全静电摄像管，中心分辨率为４５０电视行，畸变小于１．５％。     

An electrostatically suspended contactless platform

Electrostatic suspension of a silicon disk with explicit control of the lateral translational degrees-of-freedom is reported. The transduction subsystem configures electrode pairs to exert electrostatic forces on the disk and to also measure differential capacitances related to the disk position. Disk sidewall forcing electrodes are not necessary to control the disk’s lateral position because tilting the disk relative to the plane of the electrodes exerts lateral forces on the disk. Despite the fact that the disk’s lateral and angular degrees-of-freedom are strongly coupled, the system is not strongly stabilizable using only the disk’s vertical position and tilt estimates derived from electrode–disk gap measurements. Nevertheless, a stabilizing controller is proposed and lateral position measurements are added for regulating the disk’s in-plane position. Extensive experimental results corroborate the model and analysis.     

梳齿式静电微驱动器的边缘效应影响分析

针对梳齿式静电微驱动器横向静电力的边缘效应问题,采用基于保角变换的修正公式和有限元法分别进行建模分析。采用修正公式虽然可以减小分析误差,但不能准确捕获边缘效应对驱动器驱动性能的动态影响过程,而有限元法能够准确捕获横向静电力受边缘效应影响而发生突变的过程。通过有限元法分析得出,驱动器的结构参数及其工艺误差均对横向静电力的边缘效应有影响,而驱动电压对边缘效应的影响可以忽略;当梳齿接近完全交叠时,边缘效应的影响显著,驱动器驱动性能具有明显的非线性特征。     

2／3英寸全静电摄像管参数测试研究

２／３英寸全静电摄像管是一种新型的摄像管，结合现有条件，参照常规测试方法，对其性能进行测试。主要测试参数有：分辨率、灰度、几何位置失真、气体系数、信噪比、惰性、暗电流、信号电流。最后给出测试结果并对其进行分析讨论。