等离子体在刚挠印制板中的应用

本文讨论了刚挠印制板的孔内钻污的成因，并重点研究了对刚挠印制板进行等离子凹蚀时影响凹蚀速率的因素；     

正交实验法在研究沉铜微蚀中的应用

文章运用正交实验法对沉铜前处理中的微蚀工艺参数进行了分析,确定了得出了影响微蚀速率的主要因素,得出了最佳生产条件。最后做出直观图验证了实验结果。     

干法腐蚀的抗蚀剂系统研究

本文讨论了干法腐蚀工艺中作掩蔽的抗蚀剂和抗蚀剂系统.分析了在以等离子体为主的干法腐蚀工艺中增强抗蚀剂耐腐蚀能力、降低抗蚀剂腐蚀速率的几种方法.通过实验表明,等离子腐蚀前对抗蚀剂进行等离子体辐照的抗蚀剂处理技术,非常适合于目前国内半导体工艺3～5μm微细加工的需要.     

液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶

本文提出一种独特的激光熔蚀法即在液体中激光熔蚀固体靶制备纳米晶，并且首次在氨水中激光熔蚀石墨靶制备出氮化碳纳米晶。透射电镜（ＴＥＭ）和高分辨率电镜（ＨＲＥＭ）分析表明制备的氮化碳纳米晶由α－Ｃ３Ｎ４、β－Ｃ３Ｎ４和Ｇｒａｐｈｉｔｅ－Ｃ３Ｎ４晶粒组成。     

浅谈液态感光至抗蚀剂在图形转移工艺中的应用

本文主要就PCB图形转移中液态感光至抗蚀剂及其制作工艺，工序注意事项进行论述。     

微蚀体系对挠性基材侧蚀影响探讨

通过试验对比验证挠性印制板生产中常用的过氧化氢-硫酸和过硫酸钠-硫酸两种微蚀体系对三种日系挠性基材的侧蚀影响,从而得出过硫酸钠-硫酸微蚀体系对三种基材铜箔侧蚀影响最小的结论;同时还提出挠性基材铜箔抗侧蚀能力除受微蚀体系影响,还受基材的生产方法和铜箔粗糙度因素影响的推论,以便同行对其他基材抗侧蚀能力研究参考.     

多层印制板的凹蚀与负凹蚀

多层板孔金属化包括去钻污处理和化学沉铜,去钻污过程是对孔壁非导电材料的蚀刻,而沉铜前处理中的微蚀是对内层导电铜箔的蚀刻,当前者的量大于后者时为凹蚀,当后者大于前者时为负凹蚀。本文通过对凹蚀与负凹蚀的形成过程进行分析,提供了两种蚀刻量的测定方法,对航天标准、国军标以及IPC标准中关于凹蚀与负凹蚀的规定进行对比,阐述了如何控制凹蚀与负凹蚀的深度,防止产生过度的凹蚀与负凹蚀,从而保证孔金属化的质量。     

超LSI用的抗蚀剂

图1是DRAM的集成度和最小线宽的关系及其估计使用的抗蚀剂。现在,最小线宽为0.8μm的4MDRAM的集成电路已在大批生产,而0.5μm的16MDRAM的已在试制。本文将对制造超LSI必不可少的微光刻术用的抗蚀剂研制动向和展望进行概述。作为超LSI用的抗蚀剂,根据曝光所用的光源,相应地可举出g线(光波长436nm)、i线(光波长365nm)用的光致抗蚀剂以及激元激光用的抗蚀剂、电子束用抗蚀剂,于显影抗蚀剂、X射线抗蚀剂等等。现以实用性高的g线及i线用的抗蚀剂为中心进行介绍。     

微蚀对沉镍金板抗拉强度的影响

选择性沉镍金在后加工过程中,往往需要通过微蚀来保证铜面的清洁度,同时也作用在金面上。本文主要探讨微蚀对沉镍金板的抗拉强度性能影响。     

氯酸钠/盐酸型蚀刻铜再生剂之论述

简介 氯酸钠/盐酸型蚀刻铜再生剂适合于生产多层板的内层和塞孔与湿膜正片流程的印制-蚀刻板,所采用的抗蚀剂是网印抗蚀油墨或干膜抗蚀剂及液态光致抗蚀油墨、金等,不适合于锡-铅合金及纯锡抗蚀剂。其特点是蚀刻速率容易控制、侧蚀小、容铜量大、易再生和回收,减少污染,蚀铜液在稳定状态(包括工艺参     

抗蚀剂的干法显影技术研究

在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影（等离子体显影）已展示实现的可能性，一方面开发了能够干显影的抗蚀剂，另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术和技术动向，也介绍了我们所做的有关工作。     

灰口铸铁空蚀过程的SEM跟踪观察

灰口铸铁空蚀过程的ＳＥＭ跟踪观察于志伟（大连海事大学金属材料研究所，大连１１６０２４）空蚀是由液体空化产生的气泡受压而溃灭时所形成的高速微射流冲击物体致使其表面物质逐渐发生剥落的现象。本文采用空蚀与定位观察交替进行的方式来研究灰铸铁在自来水中空蚀过程...     

新一代微蚀体系简介

本主要是笔对以杜邦公司的OXONE为主要成份的微蚀体系作一简单介绍。中把OXONE的微蚀体系和现行的过硫酸盐类和双氧水类微蚀体系作了对比,并突出了新一代OXONE的微蚀体系的优点。     

等离子体在PCBT艺中的各凹蚀因素交互作用分析

等离子技术目前已经应用到工业生产的各个领域,特别是在PCB行业,其应用的发展可谓日新月异。就目前来看,等离子体在PCB行业中的应用主要有三种：清洁、活化和凹蚀。其中凹蚀的应用是最为广泛的,但在实际应用过程中,由于等离子体的试验因素较多,因素之间的交互作用较为复杂,如何分析和利用因素之间的交互作用去为生产实践服务,这是一个难题,文章将根据试验着重分析凹蚀因素的交互作用,并对其影响进行评估,其结果可作为凹蚀最优化生产的参考。     

电子束液态曝光技术的甩胶原理研究

在研究液体抗蚀剂受力分析的基础上，对液体抗蚀荆的甩胶原理，甩胶后抗蚀剂的液面形状、抗蚀剂涂层厚度与抗蚀剂黏度和马达转速之间的关系等进行了研究。结果表明，涂层表面形状为平面；随着马达转速的增加，涂层厚度逐渐减小；而随着抗蚀剂黏度的增大，涂层厚度却逐渐增大。在此基础上，以Epoxy618为液体抗蚀剂进行了甩胶实验，得出了不同黏度下的转速．厚度曲线，验证了研究结果的正确性。最后给出了3μm厚的液体抗蚀剂Epoxy618经SDS—Ⅱ型电子束曝光机曝光后固化所得线条的JXA-8800R电子探针图。     

下一代刻蚀用的抗蚀剂材料

现在刻蚀主要利用g线(436nm)和i线(365nm)来光刻。为了适应未来微细化的要求，正在研究超分辨刻蚀、短波长曝光的深紫外刻蚀以及电子束刻蚀(见图1)。本文就刻蚀所需要的抗蚀剂，特别是化学放大抗蚀剂的最新动向和今后的课题作以叙述。     

3 mm波基片精蚀工艺研究

本文分析了在3mm波基片精蚀工艺研究中发现的问题和解决问题的办法,找出了一条利用现有微波生产设备进行毫米波基片研制的途径。     

铸铁在铝液中熔蚀的EPMA研究

铝及其合金在溶炼时所用的铸铁坩锅内壁受铝液的熔蚀作用,不仅使坩锅寿命降低,而且使铝及其合金液质量降低。我们研制了一种稀土Si-Cr合金铸铁,其抗铝液熔蚀性比普通灰铸铁高四倍。本文报导了用电子探针二次电子像、背散射电子像、X射线面扫描及定点定量分析,研究了普通灰铸铁和合金铸铁在铝液中熔蚀反应层的组织形貌及相成份,分析讨论了熔蚀反应过程和抗熔蚀性的相变热力学因素。实验用两种铸铁的化学成份示于表1。将工业钝铝锭2kg分放在两个石墨坩锅中熔化,升温至1043K时,将尺寸为20×10×4mm的两种铸铁块分别吊入两个坩锅的铝液中,恒温保持30小时后取出,待铸铁表面上铝液凝固后制样分析。     

飞秒激光蚀除金属的分子动力学模拟

采用耦合一维双温模型的分子动力学方法，从连续及原子级的角度详尽描述了飞秒激光与金属的相互作用过程。建模时不仅考虑了激光能量的吸收方式、电子热传输及电子一晶格间的能量交换，而且对底部边界进行了特殊处理，采用简单而有效的速度减幅技术，既能防止靶材底部断裂，又能保证有效蚀除。分析了靶材内部温度、压力的分布特征及应力约束条件下的蚀除机制。模拟结果表明，靶材是在卸载波及被反射的压力波的共同作用下发生断裂；较高脉冲能量密度下蚀除产物由多个大团簇组成，而较低能量密度下只包含单个团簇，这是应力约束条件下金属蚀除的主要特征。同时，深入探讨了激光诱导压力波的成因及其传播规律，预测了压力波的波速。确定了蚀除阈值，同实验数据完全吻合，并证明了有过热现象的存在。     

新型环保硫酸-双氧水微蚀体系前处理工艺研究与应用

前处理工艺是印制电路板制作中非常重要的工序,新型环保硫酸-双氧水微蚀体系是目前化学前处理工艺领域的主要研究方向。本文根据化学微蚀的基本原理,分析了新型环保硫酸-双氧水微蚀体系前处理工艺的特点,并列举了该工艺的具体应用。