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本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。 相似文献
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本文提出了栅控超导临界温度Tc的高温氧化物超导体场效应晶体管的原理,建立了场控Tc的方程,估算和分析了器件特性,对发展和研究HTOSs-MOSsFET的器件和电路有积极的指导意义。 相似文献
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本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D相似文献
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利用测量瞬态反射谱的方法,探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的InP中载流子寿命,观察到非掺杂InP中载流子寿命最长约60ps,掺锌InP中载流子寿命38ps居中,掺硫和掺铁的寿命最短约1ps掺硫、铁和锌的InP中载流子寿命下降,是由于掺杂引入了复合中心,这一结果已被喇曼光谱所证实。 相似文献
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国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用.InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能.分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在能达到的最高性能及主要生产公司等,其中InP HEMT又分别按低噪声和功率进行了详细介绍.介绍了它们在军事上的主要应用,以具体的应用实例介绍了在卫星相控阵雷达系统天线中的T/R模块中、航天器和地面站的接收机中、以及雷达和通信系统中的应用情况、达到的性能及可靠性等.并根据国外InP器件和电路的发展现状总结了其未来发展趋势. 相似文献
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根据Mie氏散射理论,给出了粒子散射场强度的计算公式,得到了散射强度与散射角及入射波长的关系以及散射强度与参数X的关系.结果表明,粒子的前向散射占优势;入射波长越小,散射越明显;红外区的散射强度接近零,该结论对磷化铟材料光学特性的研究和应用具有指导意义. 相似文献
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InP DHBT 器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大
电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料
结构和版图设计,最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制
得到发射极线宽0. 7 μm 的InP DHBT 器件,并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻,片内器件一致性良好。不断
缩小器件基区台面面积,器件电性能最终实现:最大直流增益β 为30,10 μA 下的集电极-发射极击穿电压BVCEO 为
3. 2 V,截止频率fT 为358 GHz,最大振荡频率fmax 为407 GHz。测试结果表明,该器件可应用于220 GHz 放大器、
100 GHz 以下压控振荡器等数模混合集成电路。 相似文献
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Bulk polycrystalline InP is synthesized from the elements via a gradient freeze process. Hall data for a typical boule are
Nd-Na= 4.7 × 1015/cm3 and Μ77 = 28,000 cm2/V-sec. Photoluminescence data indicate that zinc is present as an acceptor impurity in the polycrystalline InP and in nominally
undoped LEC single crystals grown using the synthesized InP as charge material. A series of doping experiments have determined
the effective segregation coefficient to be 1.6 × 10−3 for Fe in InP. Semi-insulating InP crystals with resistivity > 107 ohm—cm have been grown consistently from melts doped with 150 ppm Fe. 相似文献