SnO_2薄膜气敏元件

<正> 我们利用自制的S枪溅射系统,在微晶玻璃衬底上运用磁控反应溅射技术制备掺Pd的SnO_2薄膜。S枪是一种高速低温的磁控溅射源,又称锥形环状磁控溅射源。它具有体积小、靶形小、换靶易、靶材料利用率高、功率密度大、溅射速率高等特点。而且金属、高熔点材料、合金、陶瓷等均可作为镀膜材料。在反应气氛     

厚膜气敏器件加热器的研究

<正> 1 前言 目前国内外烧结气敏器件虽然商品化,但由于器件电参数离散性大,对满足传感仪器探头的互换和大批量生产还有困难,为此厚膜敏感器件的研究与应用更被人们所重视,厚膜气敏器件采用厚膜印刷工艺,其电参数一致性好,适合大批量生产。它与一般的半导体器件不仅工艺不同,而且其工作原理也有很大差异。厚膜气敏器件工作时,需要     

片状氧化锡厚膜气敏电阻器

<正> 我厂与大连工学院共同研制开发的片状氧化锡厚膜气敏电阻器,采用超精细SnO_2粉末和厚膜印刷工艺。它与简单电路配合,可以快速检出低浓度的有害气体。用作CO、H_2、CH_4、城市煤气、石油液化气、酒精等气体的检漏、防灾、报警方面。片状氧化锡厚膜气敏电阻器工作温度低(150℃),气体敏感度和响应特性好,继之以混合集成化,为实现技术水平更高     

■-Fe_2O_3系气敏器件气敏机理初探

<正> 城市煤气的主要成分甲烷(CH_4)是一种化学性质很稳定的气体,在低浓度域较难进行检测,本课题研制的-Fe_2O_3系气敏器件,可在低浓度域对CH_4气进行检漏报警。 -Fe_2O_3通常情况下几乎不显示气敏性,我们从不同的铁盐用湿法调制出几种微粒状(粒     

Li_2SnO_3厚膜陶瓷湿敏元件及其复阻抗分析

介绍了一种新型Li_2SnO_3厚膜湿敏元件。用X-射线粉末衍射图和电子能谱分析了该湿敏元件感湿体的组成和价态。由这种材料的物理机制和极化机制,建立了等效电路模型。用复阻抗分析法分析了感湿机理并得出如下结论:(1)晶界表面电阻随相对湿度上升而下降,是主要敏感部分。(2)导电载流子不只是氢离子或水合氢离子而且还有锂离子。(3)在高湿下存在电解质电导。     

超微粒SnO_2气敏材料研制现状

介绍了超微粒SnO2材料的几种主要制备方法及由相应材料制成的气敏元件性能特点，探讨了SnO2气敏特性与粉体粒度的关系。     

SnO_2气敏元件常温振荡现象的研究

<正> 最近,我们在研究工作中发现,经过适当施主掺杂的烧结型SnO_2气敏元件,在无需采用加热回路直接在元件两端加几伏直流电压的情况下,通过元件的电流值便产生周期性变化的振荡现象。元件在空气中,通过元件的电流值呈减幅振荡,最后趋于一相对稳定值。将     

SnO_2/ZnO双层膜的表面界面及气敏特性

用溅射法制备了SnO_2/ZnO薄膜,采用XPS,AFS,SEM,等手段研究了薄膜的表面及界面,发现在薄膜中,锌与锡存在不同深度的相互扩散,从SEM的断面观察可看到有一个明显的界面存在。XRD分析则表明:ZnO极易沿(002)面择优取向生长。并且SnO_2/ZnO膜具有良好的气敏性质。     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

掺入SiO2纳米颗粒对厚膜ZnO气敏传感器气敏性能的影响

利用丝网印刷技术,制备出掺入SiO2和未掺入SiO2的ZnO厚膜气敏传感器,测试对甲醇和乙醇的气敏性能,并用场发射扫描电子显微镜(FESEM)来分析表征气敏膜的微观形貌。结果表明SiO2的掺人有效地抑制了ZnO晶粒的长大。在工作温度为400～450℃时,SiO2的掺入显著提高了ZnO厚膜气敏传感器对甲醇和乙醇的敏感度,...     

稀土La掺杂SnO_2薄膜气敏特性

用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结果显示:经T=550℃,t=45 min氧化、热处理后,得到n型金红石结构SnO2薄膜。适当掺La可改善SnO2薄膜结晶状况,掺La后SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,在气体体积分数为1×10-2时,掺La(5%)的SnO2薄膜对乙醇的灵敏度为12;掺La(3%)的SnO薄膜对丙酮的灵敏度可达到14。     

SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究

采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。     

厚膜型γ—Fe_2O_3气敏元件的一次烧成工艺及气敏特性的研究

木文研究了以γ—Fe_2O_3为起始原料,一次烧成法制备γ—Fe_2O_3半导体陶瓷新工艺及其影响因素。测定出电阻率——烧成温度特性曲线,并与以Fe_3O_4为起始原料的二次烧成工艺作了比较。借助XRD、SEM分析和观察,认为显微结构的变化是导致气敏元件失效的原因。适当控制一次烧成工艺,可以制备出性能优异的半导体陶瓷气敏元件。     

LaSrCoFeO3系厚膜酒敏材料的研究

LaSrCoFeO3系厚膜酒敏材料的研究     

掺锆SnO_2陶瓷的乙醇气敏特性研究

在研究SnO_2乙醇气体敏感陶瓷中,比较添加物,发现ZrO_2对乙醇气体有较高的灵敏度。进而从工艺上研究了添加ZrO_2时的最佳烧结温度和预烧温度。分析了烧结温度与测试初始电阻的关系。总结出不同条件下乙醇的分解物不同。提出ZrO_2的催化机理是活化表面羟基,释放占有的电子,释放表面的吸附位,从而提高氧离子的效率。     

稀土Nd掺杂纳米SnO_2薄膜气敏特性

用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纯SnO2和掺稀土Nd的SnO2薄膜,在500℃氧气气氛条件下进行45min热处理,获得良好的纳米SnO2薄膜和掺稀土Nd的SnO2薄膜。结果显示掺Nd和热处理使纳米SnO2薄膜的结构、导电性能得到一定的改善。掺Nd5%的SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,其中,对丁烷的选择性、灵敏度最好,在体积分数为7.2×10-3时,灵敏度可达到340,但对乙醇、丙酮气体的敏感性较差。     

SnO_2半导体气敏器件环境可靠度评估

<正> 引言 目前,SnO_2半导体气敏器件(以下简称器件),由于成本低,灵敏度高,响应时间快等优点已商品化,大量投放市场,用于对易燃、易爆、有毒、有害气体的监测,预报和控制工程中,因而器件的可靠性水平高低直接关系到国家财产和人民生命的安全。当前,半导体气敏传感器普遍存在可靠性差的缺点,故提高可靠性水平是当务之急,也是出口创汇的基本条件。     

Pd掺杂对SnO_2气敏性能的影响

在气体传感器中金属Pd被广泛用作的催化剂,利用直流溅射和浆料涂覆的方法制备出SnO2气敏元件,在氧气氛中通过直流溅射对SnO2元件进行Pd掺杂,并对用不同制备方法所得元件的电导、灵敏度等进行比较。结果表明:Pd掺杂降低了元件的电导,并使得电导峰出现的位置从460℃转移到260℃和180℃,这和样品的制备方法有关。Pd掺杂有利于提高SnO2元件的灵敏度,特别在低温区(100~250℃)对不同气体的灵敏度有几十倍提高。     

TiO_2SnO_2系新型湿敏元件的研制

本文提出了一种新型TiO_2-SnO_2系湿敏元件.文中介绍了该器件的主要结构工艺,对感湿机理进行了探讨,并研究其特性.研究结果表明,这种湿敏器件具有良好的湿敏特性,制造工艺简单、成本低等特点.