陶瓷的钨金属化

实验测定了钨金属化陶瓷的封接特性。纯钨粉成功地用于金属化94％氧化铝瓷。获得的平均封接强度为12000磅/吋~2。对金属化层进行了分析,发现钨没有扩散到陶瓷中去。陶瓷-金属封接最常采用烧结金属粉末法。此工艺所用的金属化配方之主要成份是钼和一些为增加封接强度而用的种种附加物,这些附加物我们都熟悉,常用金属氧化物来代替其纯金属。除某些临界条件应用外,如果涂层厚度和密度能保持各片都均匀,则用这些金属化混合物会得到良好的效果。而在某些条件下,钼-锰或钼-钛金属化的性能反而不利。虽然所用的钼本身并不向陶瓷扩散,但共它成分如锰,     

氧化铍上钼金属化

在烧结高纯度氧化铍基体上用丝网漏印法钼金属化研究表明:金属—陶瓷界面的机械特性对烧结温度是敏感的,但是与烧结气氛的水份含量无关。有迹像表明下列两方面:在钼粉和氧化铍晶粒之间有熔化结合,不存在钼对陶瓷晶格的扩散。这些发现可联想到在Beo-Mo界面间直接化学结合可能发生。也讨论了丝网漏印浓度、颗粒大小分布以及金属化的烧结特性的重要性。     

添加剂SiO2在等离子喷涂陶瓷涂层及其激光重熔中的作用研究

系统研究了添加剂 Si O2 在等离子喷涂陶瓷涂层及其激光重熔中的作用 .添加剂 Si O2 的 液相烧结 作用在高熔点 Zr O2 陶瓷涂层中比较明显 ,而在较低熔点 Al2 O3陶瓷中不明显 .在激光重熔中 ,Si O2 能降低 Zr O2 熔化层应力并阻碍裂纹扩展 ;在 Al2 O3陶瓷涂层中 ,Si O2 还能使熔化层晶粒均匀化 ,并在晶粒间形成连续玻璃质抑制裂纹形成、阻碍裂纹扩展 .而 Al2 O3陶瓷涂层中的Ti O2 ,激光处理时生成 Ti Al2 O5,此相导致熔化层产生巨大的不对称应力使之易出现裂纹 ,但其能提高涂层的致密度和耐磨性     

95％Al_2O_3瓷低温蒸发金属化工艺

一、概述目前通常采用的陶瓷金属封接工艺主要有二种,一种是烧结金属粉末法也叫高温法,如常用的钼锰法,另一种是活性合金法或简称活性法。钼锰法主要是将钼锰等金属细粉按一定配方比例用粘结剂配成膏状,涂复于陶瓷表面,在1300～1500℃左右保护气氛中(一般是氢气或氢氮混合气)烧结,使之粘结于瓷上,形成陶瓷金属化,然后再镀上一层镍层或铜层,便可以用焊料同金属进行各种形式的钎焊。活性法即是将纯钛粉(或锆)用粘结剂配成膏状,涂复于陶瓷表面后再放置焊料在真空炉中进行封接。     

钼离子的氧化对电真空陶瓷管壳的污染

通过对电真空陶瓷管壳在金属化过程中表面产生变色现象的探讨，论述了陶瓷高温烧结中钼离子的氧化造成陶瓷管壳表面污染是产生色变的又一新的原因。     

微波烧结法制备ITO陶瓷

采用微波烧结,在常压、纯氧气氛条件下制备了ITO陶瓷.通过XRD、SEM和金相分析等方法研究了烧结温度和保温时间对ITO陶瓷相对密度的影响.结果表明,微波烧结具有升温速度快、保温时间短的优点,大幅缩短了ITO陶瓷的烧结周期.1550℃微波烧结并保温20 min的ITO陶瓷相对密度达到了99.5%,晶粒大小均匀,结构紧密...     

烧结温度对硼硅酸盐玻璃/氧化铝复相陶瓷性能的影响

采用流延成型工艺制备了硼硅酸盐玻璃/氧化铝陶瓷生瓷带,并经烧结制备了陶瓷试样。研究了烧结温度对所制陶瓷烧结性能、介电性能与微观结构的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,所得陶瓷试样的体积密度、烧结收缩和介电常数均先增大后减小;当烧结温度达到850℃时,陶瓷试样中开始析出钙长石晶相;经880℃烧结所得陶瓷性能较佳:体积密度为3.08 g/cm3,在20 MHz下相对介电常数为7.7,介质损耗为2.0×10–4,25～600℃内线膨胀系数为8.3×10–6/℃,满足LTCC基板材料的应用要求。     

关于钼和锰在氢气中烧结的氧化问题

一、引言在陶瓷一金属封接中、钼和锰是活化钼—锰法金属化膏剂的主要成分,它们在陶瓷金属化烧结中是否发生氧化?生成什么样的氧化物?这些问题是金属化机理研究的重要课题之一。对于 Mo,到目前为止,大部分学者认为,在湿氢中烧结,表面要发生轻微的氧化。但这种看法和热力学计算的结果相矛盾。而且学者们所得结果也不一致。因此,有必要结合我们的实验条件,进行计算和实验。对锰的研究结     

TiAl合金表面激光重熔复合陶瓷涂层温度场数值模拟及组织分析

为了研究激光重熔工艺参数对等离子体喷涂复合陶瓷涂层组织结构的影响,根据激光重熔的特点,采用ANSYS有限元软件的参数化设计语言,建立了TiAl合金表面激光重熔等离子体喷涂Al2O3-13%TiO2(质量分数)复合陶瓷涂层连续移动三维温度场有限元模型,对激光重熔温度场进行了分析.分析结果表明,当陶瓷涂层厚度较大时,受到陶瓷材料导热系数较低的影响,激光重熔时无法使整个陶瓷层实现完全重熔,根据重熔时作用区温度场分布,可将整个涂层分为重熔区、烧结区和残余等离子体喷涂区;在优化的工艺参数下,采用相对较低的激光重熔功率和较低的扫描速度能够获得厚度较大的重熔区和烧结区.实验结果表明,重熔后的陶瓷涂层形成了晶粒细小且致密的等轴晶重熔区、烧结区和片层状残余等离子体喷涂区,并且重熔区和烧结区厚度的计算值和实验值吻合较好.     

双粒径组分YSZ陶瓷的烧结致密化研究

为了在低于1400℃的烧结温度下获得相对密度高于95%的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷,将粒径不同的YSZ粉体球磨混合成双粒径组分粉体,采用流延成型工艺制得生坯并分别在1 350,1 400,1 450℃下进行烧结。研究了双粒径粉体的组分对所制YSZ陶瓷性能的影响。结果表明:粗细粉组成的双粒径粉体试样烧结密度较之单一原料粉体有所提高,微米级(中径1.46μm)粉体与造粒后的纳米级(中径90 nm)粉体进行级配(质量比7∶3)后在1 350℃烧结所制的YSZ陶瓷相对密度达到97%。     

陶瓷-金属封接中的玻璃迁移

在烧结时把某些金属粘结到陶瓷上,这种粘结对电子器件中的各种陶瓷件是非常重要的。但对粘结机理的了解还是有限的。本文是一篇有关粘结机理的研究,并且解释了高氧化铝瓷和金属涂层的粘结机理。     

高相对密度低电阻率ZTO陶瓷靶材的烧结与性能

采用传统的固相烧结方法制备了ZnO:Ti(ZTO)陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量及烧结温度对靶材的微观结构、相对密度和电性能的影响。结果表明:添加适量的TiO2能促进ZTO陶瓷晶粒长大及组织均匀化,掺杂过量TiO2使ZTO陶瓷中析出ZnTi2O4;随TiO2掺杂量的增大,陶瓷靶材的电阻率ρ先快速下降后缓慢升高,当掺杂的x(TiO2)为0.5%,烧结温度为1350℃时,其ρ为1.480?.cm,相对密度为97.7%;当烧结温度为1400℃时,陶瓷靶材的ρ最低(0.305?.cm),其相对密度为97.9%。     

氧化铝陶瓷的钨金属化研究

阐述了在真空炉中高温烧结W涂层的基本实验方法和工艺,采用的金相照片,扫描电镜和能谱分析等方法对镀层进行了微观的成分分析.结果显示金属化温度影响W粉的烧结,配方中的氧化钇在连接W和陶瓷基体中起到关键作用.     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。     

低温三氧化钼金属化工艺的研究

(一)引言高温钼锰法是国内普遍采用而且比较成熟的一种陶瓷金属化方法.在此工艺中为保证陶瓷与金属的封接质量,必须采用1450℃～1500℃的高温烧结工艺,由于金属化烧结温度较高,破坏陶瓷的内相均匀性,同时也改变了所设计的陶瓷体的物理性能及介电性能,从而出现瓷体弯曲和尺寸变化等现象.这对于电子器件的高可靠性的提高、保证在复杂的电子陶瓷金属封接装置中的精确公差要求都非常不利.     

气氛烧结BiNbO4微波介质陶瓷介电性能的研究

研究了烧结气氛对BiNbO4陶瓷介电性能的影响。于不同气氛烧结的陶瓷样品,其晶粒形貌差别不大,均为斜方相结构。氮气氛烧结的陶瓷样品具有相对较小的密度、较小的εr和较高的Q。高温下热离子极化,导致各样品的εr和tgδ随着温度的升高而迅速增大,只在氮气氛烧结的陶瓷样品的温谱上观察到明显的弛豫现象。     

高功率微波在先进陶瓷处理中的应用

介绍了国内外近十年来高功率微波（波长１２２～３ｍｍ）在先进陶瓷（包括结构陶瓷、电子陶瓷、涂层）处理方面应用的最新进展，特别是在微波烧结和微波退火方面。     

氧化铝涂层钼模具的制备

采用喷涂法在钼模具基底上沉积一层超细Al2O3,在H2气保护气氛下,经过高温烧结形成一层致密的α-Al2O3氧化膜.制备的模具结构尺寸精度较高,而且涂层氧化铝不与焊料浸润,克服了不锈钢模具配合间隙较难控制,三高石墨蒸散污染以及纯钼模具粘模的缺点.     

镁合金表面激光熔覆Al2O3陶瓷涂层组织分析及数值模拟

本文采用激光重熔等离子涂层的方法在AZ91HP镁合金上制备Al2O3陶瓷涂层,在实验和理论基础上利用有限差分方法对激光重熔过程中的温度场进行模拟.研究结果表明,在激光作用下,相应于不同的温度范围涂层形成了熔凝区(柱状晶)、烧结区(团絮状组织)和残留等离子区(层状结构).与激光功率相比,激光扫描速度对涂层温度分布影响较大.     

镍内电极Y5V特性MLCC烧结工艺研究

制备了镍内电极Y5V特性多层陶瓷电容器(MLCC),采用SEM、DPA等分析手段研究了烧结工艺对样品电性能和可靠性的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分均匀,使陶瓷体致密度高。合适的烧结气氛可以减小样品在烧结时的内部应力,从而防止内部缺陷的发生。烧结温度和烧结气氛的合理匹配,可以使样品的电性能和可靠性达到最优。