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ITO透明导电薄膜以其优良的透明导电性能在平面液晶显示(LCD)、电致发光(EC)等多个领域得到了广泛的应用.制备ITO薄膜的方法很多,其中采用溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜具有成本低,设备简单,工艺可控,有利于大面积成膜等优点,因而受到了广泛的关注.较详尽地介绍了ITO薄膜的透明导电机理、溶胶-凝胶法的工艺特征,并初步论述了溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜的应用和发展前景. 相似文献
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有机-无机杂化材料研究进展 总被引:42,自引:0,他引:42
综述了有机-无机杂化材料的制备方法及影响材料结构和性能的因素,并对有机-无机碳化材料在力学,光学,电学等领域的应用进行了简要的评述。这类性能优异的新材料在未来的高科技领域必须有广阔的应用前景。 相似文献
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Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电薄膜 总被引:9,自引:0,他引:9
采用Sol-Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为纤锌矿型结构,表面平整、致密.通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能.实验发现,当Al3+离子掺杂浓度为0.8%时,前处理温度为400℃,退火温度为550℃,真空退火温度为550℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为3.03× 10-3Ω@cm,其在可见光区的透过率超过80%. 相似文献
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随着柔性电子器件的发展,柔性显示器、柔性太阳能电池、柔性传感器等产品已经逐步从实验室走向市场。柔性透明导电薄膜作为柔性光电器件不可或缺的重要组成部分,今后其需求量只会不断增加。目前的光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、可拉伸、低成本等方面发展。氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)是目前使用最广泛的透明导电薄膜,但ITO制备工艺复杂,具有脆性,且铟是稀有金属,储量少,价格昂贵。因此,研制可替代ITO的高性能柔性透明导电薄膜越来越迫切。目前已有研究人员研制出多种可替代ITO的柔性透明导电薄膜,其中基于金属网格的柔性透明导电薄膜是替代ITO的有力竞争者。金属网格柔性透明导电薄膜展示了极好的光电性能和机械灵活性。它最吸引人的地方在于可以独立改变金属网格的线宽和间距,从而在调节薄膜方阻和透光率方面表现出更好的权衡性。目前,已有大量的研究人员研制出可与ITO媲美的金属网格柔性透明导电薄膜。多数研究者通过光刻技术制作出母版,再结合化学镀或电沉积技术进行导电薄膜制作。以光刻技术为基础制备的柔性透明导电薄膜性能良好,但光刻工艺复杂而且设备昂贵。还有研究人员通过其他技术进行研究,如印刷增材... 相似文献
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透明导电薄膜材料的研发态势 总被引:3,自引:0,他引:3
简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态,材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论。 相似文献
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简要概述了石墨烯透明导电薄膜的结构与性质、几种常见的石墨烯透明导电薄膜的制备方法以及潜在应用,对石墨烯透明导电薄膜的研究现状进行了评述。最后,就目前石墨烯透明导电薄膜研究中所面临的问题进行了讨论,并展望了其应用前景与发展趋势。 相似文献
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室温下利用磁控溅射制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明:退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加,薄膜电阻率先降低后升高,光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150℃下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳,最高可见光透光率为90.5%,电阻率为1.28×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.10×1021cm-3。 相似文献
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新型二维材料石墨烯,因其优异特性被认为是众多领域的理想新型功能材料,其产业化应用是当前及未来的重要研究课题之一。综述了针对性提高石墨烯导电薄膜透光率和导电性能的可控制备的最新研究进展,包括可控制备大尺寸、大面积石墨烯,以及通过掺杂或与其他材料形成复合材料等方法有效提高石墨烯薄膜的光电性能,并对石墨烯透明导电薄膜电极在触摸屏、显示屏等的实用化应用进行了探讨和展望。 相似文献
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喷雾热分解法制备SnO2透明导电薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
利用压缩空气气雾化器,通过喷雾热分解法,以SnCl2.2H2O为原料,在载玻片上成功制备了SnO2薄膜,在110℃到365℃间的不同沉积温度下进行镀膜,考察了沉积温度,沉积时间对SnO2薄膜制备的影响,结果表明,在325℃的沉积温度下,薄膜已晶化,随着温度升高,喷雾时间增加,方块电阻降低325℃下的样品在可见光区透射率达80%以上,近红外区透射率达90%以上。 相似文献