薄膜热应力的研究

讨论了薄膜热应力的产生原因及其计算方法，热应力与薄膜和基片的热膨胀胀系数，基片温度及其分布密切相关，利用溅射沉积在基片表面上的Ｆｅ－Ｎｉ薄膜热电偶测量薄膜沉积过程中的基片温度及其变化。Ｆｅ－Ｎｉ薄膜热电偶具有易于制作、性好和动态响应等优点，热电热率也较高（０．０２２ｍＶ／Ｃ）。最后，简介介绍了磁控溅射Ｃｏ－Ｃｒ合金膜的热应力和本征应力的研究结果。     

化学镀Co-P薄膜的磁性及研究

采用化学镀法制备了Co-P磁记录薄膜.当薄膜厚度为0.3μm时,矫顽力可达4.54×104A/m,剩余磁化强度为0.068T.X射线衍射分析表明,当Co-P薄膜较薄时,薄膜结构中无明显择优取向,晶粒较小,此时矫顽力较高;当厚度增加至3～4μm以上时,结构中择优取向明显,晶粒较大,此时薄膜的矫顽力较低.将其应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,制成直径φ40mm的磁鼓,当原始充磁磁极对数为512时,脉冲计数完整,输出信号强,波形稳定.     

CoCr基磁性薄膜材料的研究现状和发展趋势

简要介绍了磁记录用介质膜的发展趋势及面临的问题,介绍了垂直记录方式的优点,综述了国内外对垂直磁记录用介质膜材料的分类及研究现状,回顾和评述了CoCr基磁性薄膜的研究现状和发展趋势.     

多晶硅薄膜热应力的在线提取方法

提出了一种薄膜热应力的在线提取方法．建立了多晶硅薄膜的热学模型,计算了电流加热后产生的热应力;然后用双端固支梁静电吸合模型计算出吸舍电压随热应力的变化,此变化与Coventor Ware软件模拟出的结果一致．在此分析基础上,提出了通过测量加热前后双端固支梁吸合电压的变化值来测其热应力的方法,并给出了测试结构．最后用Coventor Ware软件进行模拟,并经过迭代计算,验证了该测试方法的可行性．该方法测量方便,并且以电学量形式输出,对于多晶硅薄膜热应力的在线提取有较高的参考价值．     

不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究

利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性.降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用.     

多层薄膜的热应力研究

薄膜的应力对薄膜性能有着重要的影响.考虑了各个膜层弹性模量不同的情况,建立了多层薄膜热应力的数理模型,计算了典型多层薄膜体系中应力的分布.如果使用0级近似,每层薄膜中的热应力是由基底和膜层之间的热失配决定的,而不受其它膜层的约束;而使用一级近似,每一膜层中的热应力受其它膜层的影响.这种方法为多层薄膜应力的评价提供了依据.     

RF溅射的Fe—N薄膜的磁导率研究

研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况。实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,在1－10MHz的频率范围内,易磁化方向的高频磁导率较小,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达1500,并且基本恒定,说明这种Fe-N薄膜已能满足作为高密度存储写入头材料的要求。     

磁存储技术的研究

21世纪是信息的世界,人们掌握信息量的需求越来越高。在信息存储技术中,磁存储仍然是最重要的存储技术之一。为提高磁信息存储量,就必须不断减小用于记录信息的磁性颗粒的尺寸。但当尺寸减小到一定程度时,超顺磁效应就会影响到记录的磁信息的稳定性。所以研制新型高密度磁记录技术必须要注意介质的退磁场和稳定性的影响。目前商用硬盘的磁记录技术基本都采用垂直记录技术,一般可以获得超过200Gb／in^2记录密度。介绍新近发展起来的热辅助磁记录技术和图案化介质技术原理与优势。     

FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征

采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了（001）择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征．结果表明，在每一个FbPt单元层中能得到较好（001）面择优的fet相FbPt合金，并且随着B4C含量的增大，薄膜的有序度提高．高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明，FePt层为具有（001）织构的fct相Fe55Pt45合金．样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m；平行膜面方向矫顽力很小．     

热载荷条件下TiO2薄膜热应力有限元分析

在高温环境下,由于不匹配性而产生的热应力是影响薄膜结构及性能稳定性的重要因素。本文使用有限元的方法,从热应力的角度研究分析了高温环境下导致薄膜损伤的内在机理及相关可能的改善方法。仿真结果表明,在高温环境下,基板与薄膜匹配性对系统热应力的大小及结构的稳定性有非常大的影响;相比白宝石//TiO2系统, Si//TiO2薄膜存在较高的应力水平及边缘应力集中与突变现象;采用TiO2+SiO2复合过渡层的方法对于降低和调控薄膜-基底应力梯度的变化有很好的作用。     

定点激光反射热循环测量铜膜应力及屈服强度

采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法，测定了硅片（１００）上四种厚度（０．２４μｍ，０．５３μｍ，１．２８μｍ，３．４２μｍ）磁控溅射纯铜膜应力随温度（２０～３００℃的变化，发现屈服强度与膜厚倒数成线性关系。     

薄膜X射线应力分析的实验方法

提出一种适用于薄膜材料X射线应力分析的试样三维定向模式,在X射线低掠入射的前提下允许按实验所需选择测量方向.高密勒指数晶面衍射和测量方向的合理选择有助于提高测量精度,也利于经典sin2ψ分析法实验线性关系的建立,从而简化了分析和计算程序.     

电沉积铜薄膜中的内应力与织构特征

利用X射线衍射方法分析了电沉积铜薄膜的内应力及其织构特征.结果表明,随薄膜厚度的增加,薄膜内应力增大.电沉积铜薄膜具有较强的(220)丝织构,随着铜薄膜内应力的增加,(220)丝织构增强,同时叠加有板织构的特征.     

薄膜材料X射线衍射物相分析与内应力测定

基于不对称布拉格反射理论，介绍了薄膜材料二维X射线衍射分析方法，并对铝合金表面的TiN薄膜进行了分层掠射分析，证实了该分析方法的可行性。结合掠射、侧倾、内标及交相关函数定峰等技术，改进了常规X射线应力测量方法，测量了上述薄膜中的内应力，表明可显著提高内应力测量精度。     

聚乙烯晶态薄膜表面结构的研究

用离子团束－飞行时间质谱（ICB－TOFMS）系统制备了聚乙烯（PE）晶态薄膜。用透射电子显微镜（TEM）分析了样品结构，得到了结晶完善的晶片和（010）面的晶格结构条纹像。用扫描隧道显微镜（STM）分析了这种样品的表面结构，观察到了PE（001）和（010）面的表面形貌。     

光化学气相沉积薄膜的生长机理及其研究进展

近年，作为固体表面一项新的低温成膜工艺，光化学气相沉积已经取得了显著进展。本文从光化学原理角度出发，介绍了光化学气相沉积反应的能量过程及生长机理，并展望了它的今后发展前景。     

射频溅射Y-ZrO_2薄膜的研究

采用射频磁控溅射法制成含钇的二氧化锆薄膜,借助背散射分析(RBS)、透射电子显微镜(TEM)和X光衍射(XRD)方法研究了薄膜的化学剂量比、微观结构和相结构。同时研究了微观结构与机械性能(显微硬度、韧性、抗磨损性)之间的关系,以及退火对相稳定性的影响。     

类金刚石碳膜的红外特性研究

用射频等离子体方法分解甲烷，在Ge片上制备了类金刚石碳（DLC）膜。该膜折射率在2左右，具有较好的增透作用。双面镀DLC膜系统的红外透射比，随膜厚不同，其极大值在3．8～10．6μm范围内，在10．6μm处红外透射比达94．5％、镀制在直径为100mmGe基片上的DLC／Ge／DLC膜系、在10．6μm处，膜片中心的红外透射比为93．9％，距中心不同距离的5个点的红外透射比为91．1％，该膜系具有非常好的均匀性和红外增透性。通过计算获得了DLC膜的光学吸收系数曲线，该膜在3．8μm附近吸收系数为10cm-1；在10．6μm处吸收系数为600cm-1，并对该吸收曲线进行了讨论。     

薄膜应力的研究进展

薄膜应力对薄膜性能具有重要的影响。主要介绍了薄膜应力形成机理和应力实验的研究进展,并探讨了薄膜应力研究的发展趋势。通过选择适当的工艺条件以及表面处理可以改变薄膜的应力分布,提高薄膜的性能。     

（BiAl）YIG薄膜的生长感生磁各向异性

从理论和实验上分析了Ｆｅ＾３＋和Ｆｅ＾２＋对（ＢｉＡ）ＹＩＧ薄膜的生长感各向异性的贡献，掺Ｂｉ导致的生长磁感生各向异性，来源于Ｅｉ＾３＋改变了Ｆｅ＾３＋的零场劈裂，其大小取决于Ｂｉ＾３＋含量及在十二面体位的择优分布，高价离子和氧空位形成的Ｆｅ＾２＋在八面体位的择优分布，对生长感生磁各向异性也有贡献。