多孔硅电致发光器件

目前关于多孔硅发光特性研究已成为材料科学中的一个新热点，以电致发光器件为主攻方向的有关多孔硅的可能应用在不断报道。本文就此介绍了目前多孔硅电致发光器件的研究现状并对多孔硅发光器件在应用上存在的问题和研究方向作了一些讨论。     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜     

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。     

多孔硅发光器件的设计与试验

设计了多孔硅电致发光器件，讨论了工艺条件对器件Ｉ—Ｖ特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。     

多孔硅的发光机制与微结构

详细讨论了两种新的多孔硅发光机制理论（无序Ｓｉ网络结构和聚硅烷／氢化物发光）以及相应的实验支持。通过分析多孔硅的各种发光机制和多孔硅微结构研究，作者认为多孔硅不是仅有一种发光机制，不同的微结构和成分构成会产生不同的发光机制，其中量子限制效应和聚硅烷／氢化物发光是受到较多实验支持的，分别有微结构和成分决定的发光理论。     

用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．     

多孔硅(PS)及其光电器件研究进展

综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其其于硅基光电器件制造方面的进展。 ‘     

多孔硅及其在SOI技术中的应用研究

对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。     

多孔硅场发射阴极研究进展

多孔硅(Porous Silicon,PS)平面阴极的场发射电子能量高、发散角小、对真空度不敏感、响应快,尤其适合用作场发射显示的电子源,基于PS阴极的无放电气体激发发光也为新型环保的高效平面光源技术带来了希望。本文介绍了PS阴极的电子发射原理及其研究进展,展望了其在显示技术、无放电气体激发发光技术、金属线沉积、电子束刻蚀以及其他领域的应用前景。     

多孔硅及其在MEMS中的应用

具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的 MEMS中可作为功能结构层和牺牲层。简要介绍了多孔硅的结构和制备方法 ;与体微机械和表面微机械加工技术相比 ,多孔硅技术的优势被详细阐述 ;针对多孔硅材料的性质 ,讨论了多孔硅在不同领域的应用。     

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。     

Waveguide Prism Based on Porous Silicon

The fabrication of the oxidized porous silicon waveguide prism is reported by selectively electrochemical anodisation process. The direction changes of light beams in TE and TM polarization out of this waveguide prism were respectively measured,and the experimental results were analyzed.     

多孔硅的电致发光和发光二极管

本文较详细地描述了多孔硅的电致发光(EL),以及发光的量子限制效应的机制,并且讨论了目前已经制备出的几种多孔硅发光二级管:Ps/电解液型,Schot-tky-Like,PN结等二极管。最后,讨论了多孔硅作为半导体光电材料所存在的一些问题。     

多孔硅的可见光谱发光现象及其应用前景

在可见光谱内,多孔硅的发光现象及其广阔的应用前景激发了人们对这种潜在光电子学材料的巨大研究兴趣。本文介绍了多孔硅的结构、制备方法和形成原理,着重从纳米结构量子尺寸效应的角度,讨论了多孔硅的能带展宽现象和可见光的发射机制,并评述了这种材料在实际应用中的重要价值与原型器件的发展状况。     

注入型多孔硅基发光二极管的研究进展

主要评述了Schottky结和PN结多孔硅基发光二极管的结构和性能及其研究进展。讨论了器件界面态对其性能的影响。最后分析了目前器件研究中存在的亟需解决的问题以及解决方法。     

多孔硅发光材料

扼要叙述多孔硅发光的原理、工艺与应用，并指出应用存在的问题。