MLCC内电极厚度对其性能影响的研究

贱金属多层陶瓷电容器(MLCC)的内电极镍层厚度对其常规电性能、耐热冲击和绝缘稳定性有严重的影响.通过试验研究发现,镍层厚度在1 μm左右,可获得常规电性能良好和高可靠性的贱金属多层陶瓷电容器产品(BME-MLCC).     

BME MLCC中陶瓷-金属界面行为的研究

针对BME MLCC中陶瓷-金属界面扩散行为,采用SEM、HRTEM、EDS等手段,对MLCC样品的显微结构,陶瓷介质层和镍电极层中的物相进行了表征,给出了各扩散元素的成分分布。结果表明,在BME MLCC的陶瓷-金属界面处存在一定程度的元素扩散,其中Ni元素向陶瓷介质层的扩散较为显著,并导致了钙钛矿结构的晶格畸变。     

制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响

为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度。设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围。生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105～143 μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值。     

试验流程对MLCC质量可靠性的影响

对比了三组不同试验项目顺序的流程下多层瓷介电容器(MLCC)的失效率情况,并对试验中出现的不合格品进行破坏性物理分析(DPA),以研究试验流程对MLCC质量可靠性的影响。结果表明,当流程中的试验项目顺序不同时,MLCC失效率从1‰变为3‰,说明不同的试验流程对MLCC的质量可靠性影响较大,其中将温度冲击和超声波无损检测分别置于试验流程的首位、末位时可更有效地识别和剔除早期失效品。     

MLCC电极质量的显微研究

本文采用扫描电子显微镜分析了MLCC电极的微观结构,发现并研究了其存在的问题:端电极银底层存在较多的空洞及针孔缺陷,银底层与镍层之间结合不紧密等.这些电极微观结构反应出的问题,是降低MLCC可靠性和增加废品率的重要原因.研究结果对于生产工艺及配方的改进有着重要的实用意义.     

01005规格MLCC切割质量影响因素

随着5G时代的到来和智能手机的普及,市场对01005规格的超小型多层陶瓷电容器的需求急速增长.由于尺寸超小,切割工艺是01005规格MLCC的生产中在一大技术难点.为了获得良好的切割质量,研究了瓷坯中黏合剂含量、切割刀片及感温胶片这几个主要影响因素.结果发现,选取合适的黏合剂含量,可以减少粘片情况,并且防止切面粗糙、切...     

MLCC规模生产工艺的新进展

着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足之处。     

微波MLCC绝缘电阻的工艺影响因素研究

在即定原材料和多层电容器整体结构设计基础上,立足于微波片式多层陶瓷电容器的规模化生产工艺,对各种影响绝缘电阻的生产工艺因素进行了系统研究.结果表明,工艺因素对微波片式多层陶瓷电容器(ML-CC)绝缘电阻的影响较大;在实际生产过程中,优化流延工艺改善陶瓷膜片性能,在印刷中采用合适的内电极烘干温度,叠层后采用合适的干燥工艺、合理的排胶烧结制度和电镀工艺均能有效提高微波MLCC的绝缘电阻.     

高储能多层陶瓷电容器的研发

通过氧化物涂层来制备表面改性钛酸钡。采用两步烧结法制备多层陶瓷电容器(MLCC)。实验结果表明:与BTAS1相比,颗粒越细的BTAS5 MLCC具有更高的击穿强度(BDS)、放电能量密度(U_放电)和放电/充电效率(E_eff),表现出更优异的储能特性。     

低压ZnO压敏陶瓷晶界特性的研究

借助 HP4192 A低频阻抗分析仪 ,分析了低压 Zn O压敏陶瓷的 C- V特性及介电和损耗特性、添加物对Zn O压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对 Zn O晶粒边界电性能的作用机理。实验结果表明 :Na+ 掺杂量增加时 ,施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度、界面态密度和耗尽层宽度增加 ;在空气中退火 ,样品的施主浓度减少 ,势垒高度降低 ;在 Ar气中退火样品的施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度下降较大 ;在音频范围内 ,Zn O压敏瓷具有很高的介电常数 (εr约 130 0 ) ;在 10 5～ 10 6 Hz范围内 ,εr下降较明显 ,与此对应 ,介质损耗角正切 tgδ在 10 5～ 10 6 Hz范围内出现一个峰值 ,该峰具有扩展的德拜驰豫峰特征     

MLCC的结构设计对电容器等效串联电感的影响

通过分析MLCC内部结构和MLCC等效电路,结合实际制作出不同结构设计的MLCC,并对不同结构产品的等效串联电感(ESL)进行对比,获得了MLCC降低等效串联电感的最佳结构设计方案.     

MLCC表面贴装中墓碑现象的研究

墓碑现象是MLCC与PCB板焊接过程中一端离开焊区而向上方斜立或直立。主要原因是在焊接过程中MLCC两端的不平衡的润湿力。而不平衡润湿力产生的主要因素是:(1)MLCC两端不能同时熔融;(2)焊盘设计不合理。根据力学机理提出了保持MLCC的表面清洁,注意合理的焊盘设计、避免焊膏的活性减弱和确保MLCC两端同时熔融的解决措施。该措施能有效防止墓碑现象,并在实际生产中取得了良好的效果。     

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。     

发泡胶在MLCC生产中的应用

选用一种发泡剂材料A,通过配方比例的调整,制作出一种可应用于MLCC生产的发泡胶.该发泡胶可替代现有生粉膜固定方式,并且产品切割后,在一定温度时间条件下,发泡胶发泡失去粘性,产品自动脱落,分散良好,获得性能外观合格的MLCC芯片.     

射频高Q值MLCC的设计和工艺

为了提高射频多层陶瓷电容器( MLCC)的Q值,采用NPO瓷粉、钯银内电极浆料和银端电极浆料等为原材料制备MLCC.研究了设计和工艺对所制MLCC的固有寄生参数Rs和Ls的影响.结果表明:特殊的设计能减小内电极电阻和内外电极的接触电阻;合适的内电极厚度保证了烧结后内电极良好的连续性;合理的倒角和烧端工艺保证了内外电极的...     

低损耗因数MLCC在RF电路中的应用

分析了在RF电路中采用低损耗因数MLCC的优势,讨论了此类电容器的精度、额定电压、电容量、串联谐振频率、等效串联电阻、品质因数、并联谐振频率和功率负荷等技术指标,介绍了它在RF电路中的有关频率特性。提出了在选取和装配过程中应注意的问题,以提高整机的可靠性,达到最佳的性价比。     

无机添加剂对多层陶瓷电容器钯银内电极浆料的影响

为了满足多层陶瓷电容器陶瓷介质与钯银内电极浆料烧结一致性要求,研究了无机添加剂纳米BaTiO3和纳米ZrO2对钯银内电极浆料的烧结过程产生的影响。结果表明所用添加剂使MLCC烧结过程中钯银内电极浆料的收缩与陶瓷介质的收缩保持一致。     

CaZrO3掺杂对耐高温陶瓷电容介电性能的影响

用钛酸铋钠(BNT)改性亚微米级钛酸钡合成居里温度较高的基料。在Nb2O5-Ta2O5-ZnO基础配方体系基础上,利用CaZrO3对其掺杂改性,得到了介电性能优越的耐高温电容器陶瓷材料,其居里温度高(150℃),介电常数相对较高(1 200以上)。从离子取代及微观结构表征等方面研究了不同CaZrO3掺杂量对改性钛酸钡陶瓷的介电常数、容温变化率和介电损耗的影响,为研制耐高温多层陶瓷电容器(MLCC)提供了参考。     

预烧工艺对MgTiO3系MLCC瓷料性能的影响

以Mg(OH)2,TiO2,CaCO3和ZnO为主要原材料,采用不同预烧工艺合成了MgTiO3主晶相材料。研究发现,快速升温到高温区(1150℃),然后降低温度至1000℃并保温4h所得的MgTiO3主晶相材料,为结构均匀、近似球形的颗粒,用其制备的MLCC瓷料,比表面积为5.5～6.5m2/g,分散性好。这种瓷料适合制造薄介质膜,制得的MLCC具有优良的介电性能,其绝缘强度E大于1.243V/m,tanδ小于1.3×10–4,εr为15.0～15.5。