取代苯的SRS谱线的频移关系

本文考查了十二个单取代苯的SRS谱线的频移差量与取代基电子效应的关系,发现SRS谱线频移的差量与取代基常数间存在一定的线性关系,并对这种关系作了解释。     

GaAs的CH_4／H_2反应离子腐蚀研究

在前研究ＩｎＰ的ＣＨ４／Ｈ２反应离子腐蚀的基础上，进行了ＧａＡｓ的ＣＨ４／Ｈ２反应离子腐蚀研究。ＧａＡｓ的腐蚀速率比ＩｎＰ慢，随ＣＨ４／Ｈ２组份之比值、工作压强、总流量率等而改变，从２ｎｍ／ｍｉｎ到８ｎｍ／ｍｉｎ。当总流量率为３０～１２３ｓｃｃｍ之间、ＣＨ４／Ｈ２＝０．１８，腐蚀后的表面总是光亮平滑的，损伤层的厚度≥３０ｎｍ。当用ＣＨ４／Ｈ２ＲＩＥ在ＣａＡｓ上制作深度＞０．６μｍ的结构时，必须要考虑高能离子的轰击给晶体造成的损伤和给光刻胶掩模造成的浸蚀，此时光刻胶作掩模已经不能满足要求，应改用介质薄膜。     

磷化铟的CH_4／H_2反应离子腐蚀研究

研究了用来制作ＩｎＰ微细结构的反应离子腐蚀（ＲＩＥ）技术，采用ＰＬＡＳＭＡＬａｂμＰＭｏｄｕｌａｒ反应离子腐蚀系统，在ＣＨ４／Ｈ２／Ａｒ环境中，研究了ＩｎＰ的腐蚀速率、表面形貌、剩余损伤层等随反应气体组分、压力等的变化。发现速率随ＣＨ４／Ｈ２比值增大而增大，随工作压强的增大而减小。测得的腐蚀速率很慢：从４ｎｍ／ｍｉｎ到１６ｎｍ／ｍｉｎ，腐蚀图形的方向性好，因而特别适合制作尺寸为微米级的ＩｎＰ微细结构，在ＣＨ４／Ｈ２＝０．１８５时，腐蚀后的表面光亮，腐蚀速率为１４．５ｎｍ／ｍｉｎ，剩余损伤层的厚度约为１５～３０ｎｍ。与参考文献报导不同处是：在腐蚀后较为粗糙的表面上，并不总是富Ｉｎ，有时是富Ｐ。由此提出了平衡腐蚀的概念。     

高压H_2气受激喇曼移频器的实验研究

本文报道RS-I型高效率高压H_2气受激喇曼移频器的实验装置和实验结果,观察到一至四阶斯托克斯线和一至八阶反斯托克斯线,总能量转换效率达56％,一阶斯托克斯能量转换效率达34％。     

SRS(H_2)转换过程中的聚焦因素

由文献[1]的结果得到了研究SRS过程中转换的聚焦因素影响的近似图式。同时指出在文献[2]中的趋势分析错误。考虑到喇曼池窗片的自聚焦效应,解释了实验结果。     

采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究

CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说明这是比较实用的一种腐蚀气体系统.对这个腐蚀系统进行了系统的实验,说明气体成分、工作气压、气体流量、射频功率以及掺入氩气对腐蚀效果的影响.     

用DDS+PLL实现多普勒频移补偿

在低轨道卫星(LEO)通信链路中,由于星地之间相对运动速度较快而存在较大的多普勒频移,为了保证通信质量,必须对多普勒频移进行补偿。基于DDS+PLL技术实现对多普勒频移补偿的方法是一种开环控制方式,这种方法结合了DDS的频率分辨率高和频率捷变速率快等优点,以及PLL具有的窄带滤波跟踪特性。分析了DDS频率阶跃对于PLL输出响应的瞬态影响,并且给出了相应的改善方法。该技术已经在工程中得到应用和验证。     

CH_2Cl_2+BCl_3体系的激光诱导反应

本文用TEA CO_2激光器,研究了CH_2C1_2+BC1_3体系的激光解离过程并对其机理作了探讨。     

印制板H_2O_2/H_2SO_4蚀刻液稳定剂

自一九七二年开始过氧化氢/硫酸蚀刻工艺以来,人们逐渐对它的优越性发生了浓厚的兴趣它与其他蚀刻液相比,具有以下优点:1、适应各种抗蚀层。如金属镀层(浸锡、镀锡、铅铝合金);有机抗蚀层。2、侧蚀小,溶铜量大。3、蚀刻速率高,反应易控制。4、回收座液简便,毒性小、安全、环境污染小。去年七月在北京邮电学院召开的 H_2O_2/H_2SO_4型蚀刻液鉴定会,为在我国推广、使用这种工艺作出了积极的贡献。特别是北京邮电学院研制的稳定剂 H_2O_2—A、H_2O_2—B、H_2O_2—C、     

CF_2Cl_2+H_2体系的激光化学反应

用TEA CO_2脉冲激光器研究了CF_2Cl~2+H~2体系在不同压力、不同比例、用不同材质与不同规格的反应池、不同激光功率密度及不同照射次数等条件下的激光化学反应。其结果:①得到的主要产物为C_2F_4和HCl,尚有少量块烃和氟块,与热管反应产物(CF_2H)_2不同;②反应速率在低 H_2压时随 H_2压的增加而增加,高H_2压时则相反,当H_2压相同时,反应速率随CF_2Cl_2分压的增加而增加,认为该反应是因多次光子吸收而活化的CF_2Cl_2分子与 H_2碰撞的结果;③观察到了反应所伴随的绿色——桔黄色可见辐射,其强度随气体压力的变化规律,与反应速率随气体压力的变化规律相同;④对照激光照射前后的红外吸收光谱,可以看到有同位素效应。在同样条件下,波数为880cm~(-1)的峰(相当于 CCl_2的伸缩振动)与波数为920cm~(-1)的峰之比,经激光照射后有明显下降。     

关于H_2O_2/H_2SO_4蚀刻工艺的若干问题

自1978年在印制电路板(简称PCB)生产中引入过氧化氢/硫酸蚀刻工艺以来,人们逐渐认识到它特殊的优越性:适应各种抗蚀层,溶铜量大,侧蚀小,蚀刻速率高,反应易控制回收废液简便,毒性小。近几年来,由于H_2O_2/H_2SO_4蚀刻液各种稳定剂不断出现。给此工艺开辟了广阔的前景。正如Moenes L.Elias所说,技术的进步使过氧化氢/硫酸腐蚀液成了制造PCB的一项富有生命力的     

移频直放站的应用

随着我国移动通信的发展．直放站的应用已经非常普遍。但常规的同频直放站存在以下几个问题：无线同频直放站常常能接收到多个基站的信号而形成干扰．增益较高的直放站施主天线和重发天线之间的隔离度要求很高。往往难以实现：在许多情况下．由于在所需覆盖的盲区边缘无法找到有足够信号强度的站址．同频直放站无法安装     

基于差频原理的声光移频器

描述了声光移频器的特点及应用,依据一般声光移频器移频频率大于20MHz的局限性,提出了一种基于差频原理的声光移频器,介绍了其工作原理、光路设计及电路设计,在1 550nm波长下,得到了衍射效率>60%,移频频率±1MHz,频率稳定度优于10-6/2h的测试结果。     

电离层多普勒频移的预测

超视距雷达工作在短波波段,通过电离层的折射,可探测到常规雷达无法探测到的地平线以下的远距离目标。但雷达电波经电离层折射,探测结果必然受到电离层的影响,其主要特征之一是回波谱中常伴随多普勒(Doppler)频移。文中简单描述电离层Doppler频移的产生机制,并在已预测电离层信道参数的基础上利用数字射线追踪技术对E层、F2层的高频天波Doppler频移进行预测。     

CO_2激光的窄脉冲声光调制与移频

本文首先介绍了CO_2激光窄脉冲调制与移频在CO_2相干接收技术中的意义及调制与移频的方法,简要分析了声光调制器的工作原理,并利用声光调制器进行了CO_2激光的窄脉冲调制和100MHz的移频,最后给出了实验结果和结论.     

广义频分复用的多普勒频移适应能力分析

广义频分复用(Generalized Frequency Division Multiplex,GFDM)技术作为新的多载波技术,凭借其子载波非正交性、时频资源的灵活性等特点成为研究热点。为了抵抗空空数据链中目标高速移动导致的多普勒频移,首次将GFDM技术引入空空数据链中,对空空数据链下GFDM系统的多普勒进行性能分析,对比特出错概率(Bit Error Ratio,BER)进行性能仿真。结果表明,GFDM技术有对抗多普勒频偏的能力。     

采用CF_4—H_2等离子体干法刻蚀SiO_2

本文报导了二氧化硅的一种干法刻蚀工艺,采用RF发生器和平行板电极所激励的CF_4—H_2等离子体各向异性地刻蚀二氧化硅薄膜,所获得的图形尺寸为2μm宽,0.8μm厚。     

π/4-DQPSK信号的多普勒频移快捕和跟踪

提出了一种适用于数字卫星移动突发通信系统的多普勒频移快捕和跟踪方法。该方法根据突发通信时帧结构的特点,利用独特码的调制输出进行多普勒频移的快捕,并根据π/4-DQPSK信号的特点,采用判决反馈PLL环跟踪多普勒频移的变化。仿真结果表明,采用该方法的解调器误比特率Pb与成形滤波器的滚降系数α无关。多普勒频移在-Rs/2~Rs/2范围内变化时,对解调器的误比特率Pb没有影响。