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用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以上。通过显微结构分析发现,高纯Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的Al2O3晶粒反应,后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。 相似文献
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通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理. 相似文献
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通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理. 相似文献
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通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷存在很大不同,高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化时,Al2O3相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大Al2O3颗粒表面析出。在Al2O3颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶Al2O3陶瓷的紧密结合。 相似文献
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采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99%氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99%氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接. 相似文献
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高动态范围图像是当前全球显示及电视行业最热门的先进技术,它可以提供更多的动态范围和图像细节。创维研发的高动态范围、高亮度、高对比度的背光控制技术,实现了LED动态多分区光源处理,可以提供更广、更精准、影像动态范围更高的画面处理能力。本文主要介绍了HDR技术和区域调光背光驱动与算法研究。 相似文献
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高压变频器的产品和市场状况 总被引:1,自引:0,他引:1
高压变频器(在国外称中压变频器)自上个世纪90年代中期开始在国内推广,经过10年的发展,今天已经普遍为市场所接受,估计今年的市场容量在10亿到20亿元人民币之间。本文将从产品技术和市场两方面分析一下高压变频器的特点。 相似文献
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使用2kW半导体激光在工具钢表面熔覆高速钢粉末。在同轴送粉的粉末汇聚点与激光的聚焦点可获得无裂纹的熔覆层。随着激光功率的增加,熔覆层厚度和粉末利用率增加,同时基体对熔覆层的稀释率下降。获得的熔覆层的硬度达到800Hv0.3,基体硬度200Hv0.3,表明大功率半导体激光在表面熔覆领域具有很好的应用前景。 相似文献
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针对云计算的变革,文章分析云计算发展的几大趋势,阐述适应云计算的关键是要提供高弹性、高扩展性、易管理和开放的网络,并建议未来理想的云计算网络架构应是一个无阻塞、可自愈、即插即用的黑盒网络平台,它可持续演进,并能提供开放的网络业务。 相似文献
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采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压BVDS为120V、输出功率5.1W、功率增益8dB、跨导650mS、截止频率fT为270MHz的高压双栅功率MOSFET器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计,给出了计算机数值分析结果。 相似文献
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高温微电子学—Ⅰ:硅器件的高温特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。 相似文献
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简述半导体芯片制造中所用气体的纯度标准,并通过实例,对制备方法及流程、输送系统设计及特点、气体站设计以及参数的检测等进行了阐述。 相似文献