衬底位置对制备（100）面金刚石薄膜的影响

本文利用5kW微波等离子体装置,在直径22mm的石英上沉积金刚石薄膜。实验研究了衬底在不同位置对沉积金刚石薄膜的质量产生的影响。实验中将2块石英衬底编号为A和B,样品A被放在偏离钼基片台中心5mm的位置,使石英的中间区域偏离等离子体球,而边缘区域处于等离子体球的下方。通过SEM和拉曼光谱表征所沉积的金刚石膜,对比样品A的中间和边缘区域发现中间的区域金刚石膜的质量差且不均匀,边缘区域则长出取向一致的（100）面金刚石。通过分析认为,较高的温度、大的等离子体密、合适的碳源浓度度等条件有利于（100）面金刚石薄膜的沉积。随后改进工艺,将样品B放在基片台中心使其处于等离子体的正下方,并调整生长温度和甲烷浓度,成功的获得了高质量均匀的（100）面金刚石薄膜。     

Si衬底上Co薄膜氧化观察

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．     

Eu掺杂ZnO薄膜与Si(100)衬底间扩散过程分析

利用雾化热解工艺,在Si(100)衬底上制备了Eu掺杂的ZnO薄膜,通过N2的作用,将前驱体溶液输送到衬底表面,同时为实现ZnO的晶化,衬底温度保持在350℃.通过RBS分析了薄膜和衬底之间的原子分布,结果显示了ZnO薄膜与Si衬底之间存在过渡层.对RBS数据的分析表明该过渡层的形成是由于Si向ZnO层中的扩散,表明Si向氧化物中的扩散是不能忽略的,即使在350℃的低温下.同时,作者利用Fick扩散方程对Si向Eu3 掺杂ZnO薄膜的扩散行为进行了分析,结果表明掺杂离子Eu3 具有阻止Si扩散的能力,其原因可能与Eu3 离子在晶界上的偏析有关.     

圆柱形衬底上高质量金刚石薄膜制备工艺研究

本文以丙酮和氢气为气源，采用优化钽丝排列分布的偏压增强热丝CVD装置对钨丝衬底进行了金刚石薄膜沉积研究。采用扫描电镜(SEM)、拉曼(Raman)光谱等方法检测了金刚石薄膜的质量，分析了沉积工艺对金刚石形核和生长的影响。研究结果分析表明，当直径为1mm的钨丝与热丝之间的最佳距离为4—6mm且反应压力为4665．5Pa、碳源浓度为1．8％时可得到涂层厚度均匀又能覆盖整个钨丝外表面的高质量金刚石薄膜，为以后的自支撑的金刚石薄膜管的制备和回转体刀具的外表面金刚石涂层打下基础。     

Magnetic properties and structure of Ni80Fe20/Ni48Fe12Cr40 bilayer films deposited on SiO2/Si（100） by electron beam evaporation

Ni80Fe20/Ni48Fe12Cr40 bilayer films and Ni80Fe20 monolayer films were deposited at room temperature on SiO2/Si（100） substrates by electron beam evaporation. The influence of the thickness of the Ni48Fe12Cr40 underlayer on the structure, magnetization, and magnetoresistance of the Ni80Fe20/Ni48Fe12Cr40 bilayer film was investigated. The thickness of the Ni48Fe12Cr40 layer varied from about 1 nm to 18 nm while the Ni80Fe20 layer thickness was fixed at 45 nm. For the as-deposited bilayer films the introducing of the Ni48Fe12Cr40 underlayer promotes both the （111） texture and grain growth in the Ni80Fe20 layer. The Ni48Fe12Cr40 underlayer has no significant influence on the magnetic moment of the Ni80Fe20/Ni48Fe12Cr40 bilayer film. However, the coercivity of the bilayer film changes with the thickness of the Ni48Fe12Cr40 undedayer. The optimum thickness of the Ni48Fe12Cr40 underlayer for improving the anisotropic magnetoresistance effect of the Ni80Fe20/Ni48Fe12Cr40 bilayer film is about 5 nm. With a decrease in temperature from 300 K to 81 K, the anisotropic magnetoresistance ratio of the Ni80Fe20 （45 nm）/Ni48Fe12Cr40 （5 nm） bilayer film increases linearly from 2.1% to 4.8% compared with that of the Ni80Fe20 monolayer film from 1.7% to 4.0%.     

Fe-Al合金薄膜的磁致伸缩特性

一般稀土金属-过渡金属系磁致伸缩材料都有脆和容易氧化等问题。而具有体心立方结构（bcc）的铁系磁致伸缩材料，较之稀土-铁系材料具有较高的韧性和耐蚀性。Fe-17％（原子）Ga单晶合金在室温下显示很高的磁致伸缩敏感度，但这一合金有价格高昂且难处理等问题，然而Fe-Al合金显然有其更多的优越性。因此，采用离子镀装置制备了Fe-Al合金薄膜，研究了结晶结构和磁特性及其磁致伸缩特性。研究时所用的薄膜试样是在三电极配置离子镀装置上制备的。首先在电弧炉中用纯铁（99．9％）和铝（99．5％）制得Fe-Al合金锭，通过电子束加热熔融蒸发形成Fe-Al合金蒸发源。在此蒸发源-基片Si（100）间设置的探针电极上施加正电位（50V），使之发生放电，由此所蒸发的金属蒸汽等离子化并沉积于硅基片上，通过改变Fe-Al合金蒸发物的成分来控制所形成的合金薄膜的成分。依靠基片托架背面的加热器来控制基片温度，于523K基片温度下进行镀膜。用能散X射线光谱法分析Fe-Al合金膜的成分,用触针法测定膜厚，用X射线衍射装置进行结构分析，用振动样品磁强计测定试样磁性，用光杠杆法测定试样的磁致伸缩。     

Au吸附清洁及H化Si（001）表面的第一原理研究

用第一原理理论研究了Au吸附于清洁及H化Si（001）表面的特性。结果表明，对于清洁表面，Au原子的吸附能够打断衬底Si层的二聚体化学键；在低温下，Au原子停留在表面，但由于具有较小的扩散势垒，比较容易扩散到Si衬底中。而Au原子在H-Si（001）表面的吸附则不会打破衬底Si二聚体键，这一点与清洁表面的吸附性质完全相反。     

涂层对Si02／（Si3N4＋BN）透波材料力学、介电性能的影响

采用硅树脂作为SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料涂层，并取得较好的防潮效果。将SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料涂层后弯曲强度提高约27％左右；介电常数和介电损耗角正切变化分别为0．02和0．2×10^-3。     

溶胶-凝胶法制备薄膜材料抗高温氧化性能研究

制备了SiO2、ZrO2和添加不同成分的siO2-ZrO2复合溶胶，研究了在Cu／Ni上浸涂不同溶胶后形成膜层的抗高温氧化性能，探讨了不同膜层对Cu／Ni在800℃、900℃C下高温氧化规律的影响。结果表明，这些膜层很好的改善了Cu／Ni的抗高温氧化性能，而且向SiO2-ZrO2复合溶胶中添加铈、钇等稀土元素以及ZrO2纳米粉，可以进一步改善SiO2-ZrO2凝胶膜层的抗高温氧化性能。     

PREPARATION OF LN_2 TEMPERATURE REGION SUPERCONDUCTOR FILM ON Si(100) SUBSTRATE

Expermental results of the preparation of YBaCuO superconductor thin film on Si(100)substrate by the method of ion beam sputtering deposition is presented.A ZrO_2 buffer layerwas applied to Si(100)substrate,and was found to play an important role in resisting thediffusion of Si toward the film.The thin film is mainly a 123 phase with strong c-axis prefer-red orientation.The onset transition temperature of the film is 100 K and the final transitiontemperature 78 K.     

X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY OF HIGH T_c SUPERCONDUCTOR YBa_2 Cu_3 O_(7-x)

The XPS spectra of superconducting(123-orthorhombic structure)and non-superconducting(123-tetragonal structure)YBa_2Cu_3O_(7-x)ceramics were obtained at room temperature and130 K with RIBER LAS 3000 surface analysis system,in which a sample cooling stage and asurface cleaning scraper,both made by the authors,were installed.No evidence of Cu~(3+)wasfound.The O 1s shows double lines.They are attributed to O1 and O4 with higher binding en-ergy and to O2 and O3 with lower binding energy respectively,and it was confirmed by cal-culation of SW-X_α method.The differences and changes in valence states of Y,Ba,Cu andO in both samples were discussed.     

YBaCuO高温超导体的X射线光电子谱研究

在LAS3000表面分析系统中用自制的低温样品台和清洁样品刮刀,获得了室温和130K下表面清洁的 YBa_2Cu_?O_(7-x)的X射线光电子谱。对超导与非超导样品中各元素的内层能级X射线光电子谱线进行分析比较.Ols出现双峰,其中高结合能峰属于O1,O4,低结合能峰属于O2,O3.室温下非超导样品的O2,O3高于-2价,Cu略低于+2价共价性极强,Y和Ba呈正常价态;低温下各元素价态无明显变化.室温下超导样品的O2,O3为-2价,Cu平均价高于+2价,离子性较强,存在Y和Ba的低价离子;低温下部分O2,O3价态升高,Cu价基本不变,Y和Ba的价进一步降低.两种样品中O1,O4价态绝对值都很低,反映了周围点阵缺陷的存在。     

基材温度对离子镀TiN膜性能的影响

利用空心阴极离子镀膜设备制备了不同基材加热温度的ＴｉＮ膜，对其硬度和耐磨性的检测结果表明，随着基材温度的升高，ＨＶ呈缓慢上升趋势，耐磨性基本一致。同时，通过Ｘ射线衍射及扫描电子显微镜的观察，探讨了基材温度对其性能及组织形貌的影响。     

FRICTION PROPERTIES OF OIL-INFILTRATED POROUS AAO FILM ON AN ALUMINUM SUBSTRATE

1. IntroductionA lum inum and its alloys are used in m any engineering applications because of their highstrength-to-w eightratio and high therm alconductivities.H ow ever,high friction coefficient,poorw earresistance and low seizure load ofalum inum allo…     

OPTICAL CHARACTERIZATION OF TiO2 THIN FILM ON SILICON SUBSTRATE DEPOSITED BY DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING

1.IntroductionTiO2thin film hasattracted considerable attention in recentyears,due to itshigh refractive index,high transparency in the visibleand near-infrared w avelength region,high dielectricconstant,w ide bandgap,high w earresistance and stability,etc.These m ake itsuitable foruses as solarcells[1-3],protectiveantireflection film s[4],photocatalytic detoxification of polluted w ater[5],electrochom ic devices[6],self-cleaning and antifogging film s[7]and so on.A tpresent,m any differenttec…     

蒸镀C_(60)对YG8硬质合金刀片上金刚石形核的影响

YG8硬质合金刀头上蒸镀 C6 0 对金刚石的形核有明显增强效果 ,但对金刚石膜的质量、纯度未见有改善。在相同的工艺条件下 ,蒸镀 C6 0 时 ,金刚石已成膜 ,金刚石膜形貌呈“菜花状”,金刚石颗粒细小 ;未蒸镀 C6 0 时 ,金刚石未成膜 ,基体 WC颗粒明显细化 ,由原始尺寸的约 2 μm细化为 0 .1～ 0 .2 μm。两种金刚石膜中生长晶面以金刚石 ( 1 1 1 )为主 ,金刚石( 4 0 0 )面的生长极不显著。     

TEM OBSERVATION OF ION-PLATED Al FILM ON Ni SUBSTRATE

A new phase was found at the interface between Al film and Ni substrate when the time ofion-plating reaches 5 min.It was identified to be body centered tetragonal lattice with theconstants a=b=0.588 nm,c=0.480 nm.The variation of microstructure and phases with theion-plating time were observed.Based on these results,the ion-plating film formation mech-anism has been also discussed.     

Ni基体磁控溅射离子镀Al膜的电镜观察

利用横截面电镜样品,对Ni基体磁控溅射离子镀Al膜进行了透射电镜观察。研究了不同工艺条件下镀膜的组织形态,相结构以及相分布。镀覆5min时,在Ni基体和镀Al膜交界处,发现一个Al-Ni系中迄今未见报道的未知相。经电子衍射分析其为体心四方点阵,a=b=0.588nm,c=0.480nm。研究了随时间变化的镀膜组织结构变化情况。