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ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究 总被引:3,自引:2,他引:3
本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECRPlasmaCVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性. 相似文献
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本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECRPlasmaCVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性. 相似文献
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采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测试了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法低温制备的富氮的SiOxNy栅介质膜的电学特性(界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系),结果表明,采用合适的PECVD低温工艺淀积SiOxNy膜可以制备性质优良的栅介质膜。 相似文献
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新型氮化硅氢离子敏器件采用PECVD法淀积SiNxHy膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能;敏感灵敏度β=56 ̄60mV/pH,比用LPCVD法淀积的Si3N4膜提高14%,β的线性度有明显改善;响应时间也缩短一倍。 相似文献
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VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了大规模集成电路中两种CVD二氧化硅膜的淀积,并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出TEOS淀积方式,是今后集成电路中SiO2淀积的主流工艺。 相似文献
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以正文优化试验对PECVD工艺进行了最佳淀积条件的优化选择实验,经对最佳条件下所淀积的Si_3N_4介质膜进行的科学而严格的光谱、理化特性测定证实了膜体质量是优良的,并在工艺生产中应用获得了十分满意的结果。 相似文献
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直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构 总被引:2,自引:1,他引:1
以微波激励氙(Xe) 发射的真空紫外光(VUV) 作光源,乙炔(C2H2) 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积(CVD) 工艺,在硅(Si) 、钼( Mo) 及玻璃衬底上,120 ℃的低温下进行了类金刚石碳(DLC) 膜的试生长。用X 射线光电子能谱(XPS) 、扫描电子显微镜(SEM) 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成DLC 膜。其中C1s 态原子的含量在69 .98 % ~74 .60 % 之间,相应的键合能为285 .0 ~285 .6 eV。淀积膜是以SP2 键结构为主的DLC膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。 相似文献
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介绍了LPCVD法Si3N4膜与PECVD法SiO2膜的淀积工艺,以及Si-Si3N4-SiO2钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用,并指出了工艺的适用范围。 相似文献
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对经PECVD生长的P-InPMIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质模生长是在特定条件下进行的,分别利用C-V和DLTS技术进行研究。结果表明,结果表明,在介质膜和InP之间的InP之间的InP-侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是不同生长条件的介质膜淀积过程中等离体引进的有关辐照损伤。 相似文献
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基于神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺的模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
由于IC制造过程的高度复杂非线性,利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果,现描述一种新的途径--神经网络反向传播算法,并介绍了神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺中的应用。通过建立PECVD淀积工艺的神经网络模型,对PECVD Si3N4钝化工艺进行了计算机模拟,讨论了相关工艺条件对Si3N4介质膜特性的影响,所编写的神经网络应用程序已用C语言在计算机上得到了实现。 相似文献
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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质 总被引:5,自引:0,他引:5
使用真空紫外(VUV)光直接光CVD工艺,在低温(50-150℃)下成功地淀积出了优质的SiO2薄膜.测试结果表明:淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合;氧和硅原子的组分非常接近化学计量比;光折射率在1.42-1.55之间;介电常数大于3.6;击穿电场强度在1e7V/cm的量级;用氯氟酸腐蚀液(参考配方:HF:H2O=1:12)测得膜的平均腐蚀速率约为1.27um/s.试用表明,当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离,替代PECVD和热CVD工艺时,器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改 相似文献
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本文主要是以SiH4、N2O和Si3H4、NH3、N2作为气体源,在平行板电容耦合式淀积设备上,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2-Si3N4复合钝化膜。 相似文献
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本文对PECVD法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究,调查了B2H6/SiH4比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形式的影响,结果表明,在350~400℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜,再1000℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺,不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深,而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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本文系统描述了用PCVD(光化学汽相淀积)技术在InSb衬底上沉积SiOxNy介质膜的工艺过程。对SiOxNy膜进行测试分析,并用它作介质膜,钝化膜,作出了性能较好的InSb CID焦平面器件。 相似文献
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报道了以正硅酸乙酯(TEOS)为源,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP表面低温生长SiO2钝化膜。对SiO2/InP界面态进行了X射线光谱(XPS)分析和C-V特性研究。 相似文献
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介绍了光化学汽相淀积法的原理以及PVD-1000设备淀积薄膜的规律,特点等,并且给出了所淀积的SiO2膜,Si3N4膜和ZnS膜的基本特性。 相似文献