Bovlon增强阻隔膜

近来,人们越来越多地认识到食品保存的重要性,这样就要求包装材料能具有某些特殊性能。日本 Nippon Cohesei 薄膜公司开始引进一种新型阻隔薄膜,能适应当前的需求。该膜由 PE(内层)/PVAL(基层)/OPP(外层)三种材料复合而成,其阻隔性较普通膜有很大改善。这种新型膜被称为 Bovlon、它是双向位的聚乙烯醇(PVAL)膜,生产中采用连续拉伸技术。     

LCD专用抗蚀剂

日本杰昂公司已将LCD(液晶显示器件)生产专用抗蚀剂商品化。加工ITO(铟、锡、氧化物)膜、TFT(薄膜场效应晶体管)等时要用这种抗蚀剂,要求对各种底膜具有较高的附着力,以使蚀刻液对抗蚀剂膜与底膜的交接处     

有机及有机金属化合物薄膜电开关特性

综述了在电场下由绝缘态（“0”态）到导电态（“1”态）的电开关记忆特性的几类化合物薄膜，包括聚苯乙烯及其衍生物的辉光放电聚合膜，酞青铅和TCNQ（7，7，8，8-四氰基对苯酸二甲烷）及其衍生物的电荷转移复合物的真空蒸发膜．乙酰丙团铜的弧光放电等离子体聚合膜，1，3－二硫杂环戊烯-乙硫醇（dmit）类过渡金属配合物的电沉积膜，含大共轭п键有机化合物及偶氨化合物与TCNQ的电荷转移复合物的Lansmuir－Blodgett（LB）膜，以及用离子团束-飞行时间质谱仪制备的C60－TCNQ和Ag－TDCN（TDCN为多共轭苯腈）薄膜。     

HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究

用空心阴极放电(HCD) 离子镀方法,以下TiA1V合金为蒸发源材料,生产出一种具有(Ti,A1,V) N的合金化薄膜.获得的膜是A1,V替代Ti原子的组态.A1,V的引入,组织没明显的变化.薄膜具有符合刀具膜层的较高硬度,可期望得到好的韧性和抗氧化性能.     

电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质

用电子束蒸发技术制备出3000-5000A厚,透明导电的锢锡氧化物(ITO)薄膜。这种薄膜的薄层方块电阻是4.5-20Ω/口,在波长为700A时,透光率是80-95％。用x-射线衍射分析测定了薄膜的形貌,测算出它的颗粒度为1-3μ。通过Hall效应测定出薄膜的载流子厚度(N)是3.9×10~(-9)CM~(-3),霍耳迁移率是94cm~2V~(-1)S~(-1),电阻率(P)是4.0×10~(-4)-2×10~(-3)·cm。测得的Hall电压是负值。这说明它是一种n型半导体,与热探针法测得的结果一致。用光学方法计算出薄膜的E_g是3.4ev,该薄膜在制备半导体光伏器件中进行了试用。     

溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜及性能研究

使用溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜,得到了低漏电流密度(E=1 MV/cm时,为1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm时,为5.42×10-9A/cm2)、膜厚为10 nm的超薄PVP栅介质膜,其单位面积栅电容达到了566 nF/cm2。此外,AFM测试表明溶剂蒸汽辅助退火使薄膜表面粗糙度由0.36 nm降到了0.21 nm,空间电荷限制电流法(SCLC)的分析结果表明薄膜体内陷阱密度减少了26%。     

气相沉积聚合法制备聚酰亚胺绝缘薄膜及其性能研究

以联苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合(VDP)法制备了聚酰亚胺(PI)绝缘膜,分析不同热亚胺化处理温度对PI薄膜绝缘性能的影响。分别使用红外光谱、俄歇能谱、扫描电镜、原子力显微镜对薄膜成分以及薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了PI复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性。结果表明:热亚胺化300℃/1 h真空(1.0×10-2Pa)处理后的PI绝缘膜内部结构致密,当场强为8.0MV/cm时漏电流密仅为8.2×10-5A/cm2;薄膜击穿场强达到8.42MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能以及热稳定性。     

弧流对超薄四面体非晶碳膜的结构和性能的影响

使用45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧系统(FCVA)制备超薄四面体非晶碳膜(ta-C),研究了弧流对薄膜结构和性能的影响。结果表明:当弧流由40 A增加到70 A时薄膜沉积速率提高,sp3的含量先增加后减小;当弧流为60 A时薄膜sp3的含量达到最大66%,密度也达到最大(3067 kg/m3)。残余压应力随着弧流的增加呈现先增加后减小的趋势,当弧流为40 A时薄膜的残余应力最小(4 GPa)。在碳膜沉积过程中碳源粒子有填充基体凹坑和减少基体缺陷的作用,使其表面非常光滑。超薄ta-C碳膜的表面粗糙度随着弧流的增加先降低后增加,当弧流为50 A时薄膜表面粗糙度最小(0.195 nm)。     

宇部兴产开发氢气分离用聚酰亚胺膜

日本宇部兴产公司开发出耐热的可作氢气分离膜用的新型芳香族聚酰亚胺,所用的原料为联苯四羧酸,并确立了由生产聚酰亚胺到制备膜组件的一条龙生产技术。这种新型聚酰亚胺与以往的以1,2,4,5-苯四酸为原料的聚酰亚胺相比有许多特点。特别是可制成成膜性和纺丝性能优异的聚酰亚胺溶液,这对于膜材料的薄膜化有重要意义。因为要提高膜的透过速率,必须追求超薄膜化。     

Pd-Cu合金复合膜的制备及表征

采用无电化学镀技术制备了Pd-Cu合金复合薄膜.复合膜的初始基体是0.2μm等级的316L多孔不锈钢圆片(PSS),经过改性的(含Pd)溶胶-凝胶ZrO2成膜技术对PSS表面进行了修饰.修饰后的PSS表面首先进行无电镀金属Pd膜,然后在Pd膜表面再镀金属Cu膜.最后把具有双金属镀层的膜片在773 K ,H2气氛(101kPa)下保持5～10h进行退火热处理,通过金属间分子热扩散把不锈钢基体上的金属Pd膜和金属Cu膜合金化为均匀的Pd-Cu合金复合薄膜.XPS确定表面组成为Pd90Cu10 (质量分数/%) 合金薄膜, 经过XRD分析结合确定为单相无序fcc结构;而Pd59Cu41合金膜是由平衡fcc 相和有序 bcc相组成.通过SEM观察到Pd90Cu10 合金薄膜(厚度5μm)表面存在一些针孔;而Pd59Cu41合金膜(厚度10μm)没有针孔存在,这种合金复合膜应该具有极高的透H2选择性.     

一种新型可溶喹吖啶酮衍生物LB膜的制备及其光谱特性

采用表面压-分子面积(π一A)等温曲线和紫外-可见吸收谱的方法研究了一种新型喹吖啶酮衍生物材料LB膜的制备及其光谱特性．实验表明,这种新型喹吖啶酮衍生物能够在水面上形成稳定的单分子膜,它与花生酸(AA)混合后不仅可以形成很好的单分子膜,而且可以较好地转移到固体基片上制备成LB膜多层膜．这种新型喹吖啶酮衍生物LB膜的紫外-可见吸收谱的吸收峰位较稀溶液发生了红移,这是由极性溶剂分子与其相互作用的结果．它在溶液和LB膜中都是以单体的形式存在．     

偏压对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构与性能的影响

采用离子束辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及YG6硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了偏压对中频反应溅射沉积AlN薄膜结构和性能的影响.研究结果表明:所制备的AlN薄膜是由AIN相和A(I)相组成的,偏压的增大,有利于薄膜结晶度的提高,AlN沿(100)晶面择优取向增强;同时,随着偏压的增加,所沉积的AlN薄膜致密度和膜/基结合力均显著提高,而膜层沉积速率和膜基复合硬度则呈降低的规律.     

碳纳米管膜表面金属化用于高电流输出柔性锂离子电池

采用磁控溅射技术对碳纳米管膜进行表面金属化处理,制备了导电性能优异的碳纳米管/金属复合薄膜,其电导率为纯碳纳米管膜的10倍(碳纳米管膜电导率为300 S·cm^-1)。以这种复合薄膜为集流体组装的柔性锂离子电池,具有比以纯碳纳米管膜作为集流体更优异的倍率性能(5 C倍率下比容量仍可保持132.6 mAh·g^-1)、大倍率循环性能(5 C倍率200圈循环后仍具有74.4%的容量保持率)和更大的输出电流(0.4 A)。     

PEN树脂的生产与应用

一、前言1973年由日本帝人公司首先开发了聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂双向拉伸薄膜,当时称为 Q 膜,现在商品名为。因为原料来源有问题,一直未能正式投入生产。从1990年开始,帝人公司在岐阜工厂生产 PEN 薄膜(年生产能力1000吨),将其作成高级磁带,在日立一等公司进行销售。与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)相比,PEN 膜可以拉得更薄,这样磁带可以延长放录     

氮化铜薄膜的研究

氮化铜(Cu_3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置.在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化.Cu_3N在较低温度下会分解为Cu和N_2.介绍了Cu_3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N_2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析.     

非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应

采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜.将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-si)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性.由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%.实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应.温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA.     

具有多层结构的聚合物复合薄膜的介电和磁性能

采用旋涂法制备了 Fe3 O4/聚偏氟乙烯(PVDF)复合薄膜(A)、多壁碳纳米管(MWCNT)/PVDF复合薄膜(B)以及纯PVDF薄膜(P)。利用热压法制备具有3层结构的AAA、ABA及APA 复合薄膜。为了探究层状结构对复合薄膜介电和磁性能的影响,制备了单层膜A作为对比(厚度与AAA复合薄膜相同)。分别研究了薄膜的介电和磁性能。结果表明：由于界面效应,同等厚度的AAA复合薄膜较A膜而言具有较高的介电常数;以B和P薄膜替代AAA结构中间层薄膜后,其中ABA复合薄膜的介电常数高于AAA及APA复合薄膜,同时保持较低的介电损耗。对于磁性能,层状结构对复合薄膜的饱和磁化强度及矫顽力均无明显的影响,而ABA复合薄膜的饱和磁化强度高于AAA及APA复合薄膜,且ABA和APA复合薄膜的矫顽力增加。层状结构设计不仅能够调节复合材料的介电性能和磁性能,而且有利于不同纳米填料的分散,为制备多功能聚合物复合材料提供了一定的借鉴作用。     

工艺参数对电弧离子镀沉积铜薄膜微结构及性能的影响

采用脉冲偏压电弧离子镀技术在不同工艺参数(弧电流、基体负偏压)水平下制备了一系列铜薄膜。利用金相显微镜、腐蚀失重试验和双向弯曲试验分别研究了弧电流和基体负偏压对铜薄膜组织结构、耐腐蚀性能和结合性能的影响。结果表明,弧电流由40A增加到80A,薄膜表面颗粒含量明显增加,大颗粒尺寸由13.71μm增加到19.36μm,膜层平均腐蚀速率降低;随着弧电流提高,薄膜结合性能先降低后提高,60A时膜层结合性能最理想;随着基体脉冲负偏压升高,薄膜结合性能提高,薄膜表面颗粒含量及其尺寸减小、负偏压达到200V时大颗粒净化效果明显;基体脉冲负偏压由20V升高到180V,膜层平均腐蚀速率先降低后升高,140V时膜层耐腐蚀性能最佳。     

全球首个商业化生产可堆肥包装薄膜面世

正PLA薄膜技术和制造公司Plastic Suppliers,Inc.(PSI)近日宣布,成功完成了首个商业化生产的PHA-聚羟基链烷酸酯-家用可堆肥包装薄膜。尽管PHA材料已经过认证,但在获得全面认证之前,该膜将经过生物降解和家庭可堆肥性筛选。这种新型薄膜是由Danimer Scientific公司的Nodax PHA制成的,可广泛应用于食品、饮料、杂货零售、快餐店、体育场馆餐饮服务以及许多其他包装消费品领域。     

磁过滤电弧离子镀TiN薄膜的制备及性能研究

采用磁过滤电弧离子镀(MFAIP)方法在高速钢表面制备了Ti N薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪,显微硬度计和划痕仪等方法研究了偏压和磁过滤电流对Ti N薄膜的形貌、沉积速率、组织结构和力学性能的影响。结果表明:MFAIP-Ti N薄膜膜层均匀,表面质量好,膜与基体结合紧密。随着偏压和磁过滤电流的增加,Ti N的(111)晶面择优取向越来越弱,(311)和(222)晶面的择优取向逐渐增强。当偏压为-150 V,磁过滤电流为4.5 A时,表现出较大的沉积速率,最大的显微硬度测试值和最大的膜/基结合力。