一种新型的^68Ge—^68Ga同位素发生器

找到一种＾６８Ｇｅ－＾６８Ｇａ同位素发生器的新载体－二氧化铈（ＣｅＯ２）。在研究锗及镓在二氧化铈上吸附行为的基础上制备了试验性＾６８Ｇｅ－＾６８Ｇａ发生器，找出了发生器的最佳操作条件，对淋出液进行了放射性纯度及非放射性杂质的检测，并用淋出的＾６８Ｇａ进行了脂质体的标记实验。     

^68Ge—^68Ga发生器的研制—硅胶柱上^68Ge与Ga,Cu,Zn的分离

测量了硫酸介质中Ｇｅ在硅胶上的分配比及Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度、Ｇａ浓度及原始溶液中Ｇｅ载体量对Ｇｅ分配比的影响。实验结果表明：用１０ｍｍ×３０ｍｍ硅胶柱，上柱料液为５０ｍＬ０．４μｇ／ｍＬＧｅ－０．２８ｍｏｌ／ＬＧａ－９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４溶液，淋洗液为３０ｍＬ９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４，流速为０．８５ｍＬ／ｃｍ２·ｍｉｎ时，Ｇｅ的穿透率为０．３９％，Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ的去污系数分别为１．８×１０６、５．０×１０６、２．６×１０６。     

^68Ge—^68Ga发生器的研制——^68Ge—^68Ga发生器的稳定性研究

研究了不同时间间隔淋洗６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器时，６８Ｇａ的淋洗曲线、淋洗效率、６８Ｇｅ的穿透率、流出液中的Ｓｎ含量及温度对６８Ｇａ淋洗效率的影响。实验结果表明，用１ｍｏｌ／ＬＨＣｌ淋洗以ＳｎＯ２为吸附剂的６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器，每次淋洗间隔时间１－１４天不等，历经半年时间的淋洗，６８Ｇｅ的穿透率保持在１０－７数量级，淋洗液中的Ｓｎ含量保持在４×１０－７以下。６８Ｇａ淋洗曲线的形状未发生变化，６８Ｇａ的淋洗效率为５５％—７５％，淋洗时间间隔变化不影响淋洗效率，温度对淋洗效率有较大影响。     

68Ge-68Ga发生器吸附剂SnO2的制备

为制备适用于68Ge-68 Ga发生器的吸附剂,用热HNO3氧化金属锡制备SnO2,对SnO2吸附剂的制备工艺及其性能进行了研究.制备得到以SnO2作为吸附剂的68Ge-68 Ga发生器,并对其吸附行为与淋洗效率进行了研究.结果表明,600℃高温焙烧获得的SnO2适于用作68Ge-68 Ga发生器的吸附剂,其对68Ge...     

~(68)Ge/~(68)Ga发生器的临床应用

对新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器的最佳淋洗时间、最佳峰段以及不同缓冲液对68 Ga显像及生物分布的影响进行研究,为动物实验和临床应用提供参考。采用4mL 0.05mol/L HCl淋洗740 MBq ITG~(68)Ge/~(68)Ga发生器,首次淋洗后分别隔2、4、6、8、10、12、14h再次淋洗,记录放射性活度;先以每段0.5mL收集淋洗液,在比活度较高段以每0.1mL收集淋洗液,记录放射性活度;分别用乙酸钠、NaOH、4-羟乙基哌嗪乙磺酸(HEPES)调节~(68)Ga~(3+)溶液pH,在正常小鼠体内行microPET显像。结果表明:在淋洗4h后,放射性活度可达平衡时的91%;最佳峰段为2~3 mL,放射性活度峰段的0.1 mL可收集22 MBq的~(68)Ga~(3+);~(68)Ga~(3+)在血液中摄取值高,1h仍有6.9%ID/g,表明游离的~(68)Ga~(3+)可能会影响图像的对比度,需要在标记放射性药物后去除残余的游离~(68)Ga~(3+);膀胱的放射性摄取高,提示~(68)Ga~(3+)通过泌尿系统排泄;乙酸钠、NaOH、HEPES调节pH后对~(68)Ga在正常小鼠体内显像及生物分布均无统计学差异(P0.05)。新型~(68)Ge/~(68)Ga发生器操作简便,每4h即可淋洗一次,淋洗液的峰段在2~3mL,建议临床采用乙酸钠缓冲液。     

心肌显像剂~（68）Ga（BAT－TECH）的一些基本常数测定

研究了心肌显像剂￣（６８）Ｇａ（ＢＡＴ－ＴＥＣＨ）的动力学性质，测定了它的热力学常数。实验结果表明，ＢＡＴ－ＴＥＣＨ与柠檬酸镓的配体交换反应为二级反应，反应速率常数ｋ为０．５０ｌ／ｍｏｌ·ｓ，反应活化能Ｅ＿ａ＝５６．６ｋＪ／ｍｏｌ；￣（６８）Ｇａ（ＢＡＴ－ＴＥＣＨ）的稳定常数ｌｇβ＝１４．９，配体ＢＡＴ－ＴＥＣＨ的四级氢解离常数ｐＫ＿１＝４．６２，ｐＫ＿２＝７．６８，ｐＫ＿３＝８．６８，ｐＫ＿４＝１１．２。     

自制SnO2·xH2O对68Ge-68Ga发生器吸附性能的影响

用自制的ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ经热处理后作为＾６８Ｇｅ－＾６８Ｇａ发生器的吸附剂,用模拟试验的方法研究了Ｇｅ的吸附与Ｇａ的淋洗。结果表明,自制ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ对Ｇｅ有较好的选择吸附性能,２．０ｍＬ０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ溶液对＾６８Ｇａ的淋洗效率可达８８％。     

~（153）Sm、~（90）Y、~（166）Ho和~（186）Re放射性核素溶

用４πβ和４πβ－γ符合方法，对￣（１５３）Ｓｍ、￣（９０）Ｙ、￣（１６６）Ｈｏ和￣（１８６）Ｒｅ放射性核素溶液活度进行绝对测量，分别对这４种核素完成了标准化。前３种测量结果不确定度为０．７３％（１σ），对￣（１８６）Ｒｅ核素测量结果不确定度为０．６３％（１σ）。     

N－甲基－~（14）C苄基胺及其亚硝胺的合成

报道了Ｎ－甲基－１４Ｃ苄基胺和Ｎ－甲基－１４Ｃ苄基亚硝胺的合成，比活度约为９．２×１０１１Ｂｑ／ｍｏｌ。由高压液相色谱仪测得的化学纯度和放化纯度均大于９５％。     

68Ga-PSMA-11注射液的制备和质量控制回顾及建议

本研究制定了规范的⁶⁸Ga-PSMA-11注射液制备流程,并参考国内外药典要求拟定了适用于本机构的⁶⁸Ga-PSMA-11注射液质量控制标准。回顾2020—2022年度本机构316批次的⁶⁸Ga-PSMA-11注射液的制备和质量控制结果,发现所有批次均成功制备得到⁶⁸Ga-PSMA-11注射液,质量控制结果均符合拟定的标准。⁶⁸Ga-PSMA-11的标记率为(85.3±11.4)%,受⁶⁸Ge/⁶⁸Ga发生器淋洗总体积的显著影响,随着淋洗总体积的增加而降低,而淋洗间隔时间对标记率影响很小。本研究有望指导核医学从业人员规范进行⁶⁸Ga-PSMA-11注射液的制备和质量控制,从而提升该药物的质量与安全,并为其相关行业标准的制定提供参考。     

使用低温电荷灵敏前置放大器的新型Ge（Li）探测器

本文介绍了使用低温电荷灵敏放大器的Ge(Li)探测器的设计、调整及性能,它能方便地配用反符合环探测器。     

~（nat）W（p，xn）~（181─186）Re反应的激发函数

使用叠靶技术测量了２２．５ＭｅＶ的质子照射天然钨时生成~（１８１）Ｒｅ、~（１８２）Ｒｅ~ｍ、~（１８２）Ｒｅ~ｇ、~（１８３）Ｒｅ、~（１８４）Ｒｅ~ｍ、~（１８４）Ｒｅ~ｇ和~（１８６）Ｒｅ的激发函数。估算了~（１８６）Ｗ（ｐ，ｎ）~（１８６）Ｒｅ反应生产用于治疗的放射性核素~（１８６）Ｒｅ的厚靶产额，并与~（１８６）Ｗ（ｄ，２ｎ）~（１８６）Ｒｅ反应的有关数据进行了比较。     

~(68)Ga标记放射性药物的制备及应用研究进展

<正>电子发射计算机断层显像(positron emission tomography,PET)为核医学领域的显像方法之一,广泛应用于肿瘤研究,灵敏度高,分辨率佳。近年来,~(68)Ge/~(68)Ga发生器的开发促进了~(68)Ga标记的PET显像药物的研究和应用。~(68)Ga放射性药物主要应用于肿瘤显像,如生长抑素受体、人表皮生长因子受体、叶酸等受体分子的靶向显像;也可用于心肌灌注、肺灌注和通气、炎症和感染显像等。本文主要介绍~(68)Ga标记放射性药物相关的生产,标记涉及的受体及衍生物,以及显像研究等应用进展。     

Ge（Li）谱仪效率的点源模拟

该工作用点源模拟的方法对Ge(Li)谱仪的效率进行了刻度,给出在240—1836 keV能区效率随点源位置的关系和体源效率的解析表达式。同时对体源的自吸收作了校正。把所得的效率用于对土壤样品天然γ放射性的分析,检验了方法的可行性。     

一台自行组建的低本底Ge（Li）－NaI（T1）反符合γ谱仪

本文报道自行组建的一台Ｇｅ（Ｌｉ）－ＮａＩ（Ｔｌ）反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ６１．５ｍｍ×５６．０ｍｍ的同轴Ｇｅ（Ｌｉ）探测器（灵敏体积为１５０ｃｍ￣３），由φ８８．９ｍｍ×７６．２ｍｍ的圆柱形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体和外、内径×高为２５４ｍｍ、８８．９ｍｍ×３０５ｍｍ的环形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体构成井型反符合探测器，主要的物质屏蔽层是１００ｍｍ铅＋１５ｍｍ钢＋５ｍｍ铜。Ｇｅ（Ｌｉ）探测器对￣（６０）Ｃｏ１３３３ｋｅＶ能量的分辨率为２．４ｋｅＶ，峰康比为４４，相对探测效率为２４％。在反符合屏蔽条件下，谱仪在康普顿坪（３５８—３８２ｋｅＶ）和康普顿端（４６０—４８４ｋｅＶ）的抑制因子分别为５．Ｏ和５．４；康普顿区积分（５０—５９５ｋｅＶ）抑制因子３．６，峰康比（￣（１３７）Ｃｓ点源）为４９４。在１００—２０００ｋｅＶ能区屏蔽室内、外的积分本底比为１：１３１。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为３．５，加反符合后的积分本底为１７．２ｃｐｍ。当测量时间１０００ｍｉｎ、置信度９５％时，￣（１３７）Ｃｓ的最低可探测活度（判断限）为５．８ｍＢｑ．２４小时内，￣（２４１）Ａｍ、￣（１３７）Ｃｓ和￣（６０）Ｃｏ     

反应堆退役废物中~3H，~（14）C，~（36）Cl，~（63）Ni和~（55）

用液闪计数法测定了国内某退役反应堆堆芯石墨中的~３Ｈ、~（１４）Ｃ、~（３６）Ｃ，及不锈钢、碳钢锈垢和水池底泥中~３Ｈ、~（６３）Ｎｉ、~（５５）Ｆｅ，并对上述固体介质样品的制样与测量问题进行了讨论。