聚合物电致发光器件的研究

制备了以聚为发光层物质的电致发光器件，研究了器件的发光性能，并对器件的电流－电压、高度－电压特性进行了研究。器件发光密度受偏置电压的影响。起亮电压为１２Ｖ，器件寿命达５ｈ。     

聚合物电致发光器件的研究进展

聚合物电致发光器件（ＥＬＤ）因其具有许多无机及有机小分子ＥＬＤ所不具备的优点，成为电致发光领域研究的热点。通过掺杂或适当的分子设计可以调谐发光颜色。介绍和评述了聚合物电致发光原理、电致发光器件、电致发光材料的开发及应用前景。     

切换式调谐CMOS 压控振荡器

在现有的CMOS RF工艺条件下。利用“切换式调谐”设计思想完成了宽带调谐的压控振荡器(vco)的电路设计和版图设计。用Candence SpectreRF软件进行了模拟。结果表明。该VCO在保证其它性能指标的同时，实现了宽的频率覆盖。     

225MHz-400MHz压控调谐滤波器的实现

在跳频收发系统中，在射频前端加入调谐滤波器可以提高系统的抗阻塞干扰能力。文章详细介绍了一种225MHz-400MHz压控调谐滤波器的实现方法，该方法主要是通过电压改变变容二极管的电容，从而改变带通滤波器的中心频率，从而实现压控滤波。因此通过分段线性电压来控制带通中心频点就可以对跳频信号进行跟踪滤波。     

输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器

设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence SpectreRF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24～2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mw.     

采用可调谐高Q有源电感的高优值VCO的研究

对采用新型可调谐、高Q的有源电感(THQAI)的高优值(FOM)压控振荡器(VCO)进行了研究。在LC振荡回路模块中,利用THQAI具有高Q值、较宽调谐范围的特性,分别实现了VCO的低相位噪声和宽的频率调谐范围;在负阻电路模块中,将电流进行复用,使其只有一条直流工作支路,降低了VCO的功耗,又由于电路中的MOS晶体管始终工作在饱和区,进一步降低了VCO的相位噪声;在输出缓冲级,采用共源NMOS晶体管,放大了该VCO的输出波形。最终,这些技术手段使得VCO的调谐范围、相位噪声和功耗均得到了改善,因此获得了高的FOM值。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺库,利用射频集成电路设计工具ADS对该VCO进行性能验证。结果表明,该VCO的振荡频率调谐范围高达73%,最低相位噪声仅为-123dBc/Hz,且功耗仅为13.4mW,FOM值为-195.1dBc/Hz,具有较好的综合性能。     

一种基于开关电容调谐的宽带压控振荡器设计

设计了一种频率可调范围约600 MHz的全集成CMOS LC宽带压控振荡器.该压控振荡器工作电压为3.3 V,基于Chartered 0.25 μm 标准CMOS工艺设计,利用开关电容调谐的方法扩大其调谐范围.测试结果表明:该压控振荡器工作在中心频率为1.9 GHz时,单边带相位噪声为-85 dBc/10 kHz,调谐范围达到32%.     

基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

随着移动通信技术的发展,射频（RF）电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器（VCO）,是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,然而在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管的品质因数通常都很小,这将影响到电路的性能。于是,人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管,MOS变容管便应运而生了。     

一种低调谐增益变化的宽带电感电容压控振荡器

设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率范围从1.17GHz至2.03GHz(53.8%);调谐增益从69MHz/V变化至93MHz/V,其变化幅度与最大值相比为25.8%;最差相位噪声为-126dBc/Hz@1MHz;在1.5V电源电压下,压控振荡器的功耗约为9mW.     

一种低调谐增益变化的宽带电感电容压控振荡器

设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率范围从1.17GHz至2.03GHz(53.8%);调谐增益从69MHz/V变化至93MHz/V,其变化幅度与最大值相比为25.8%;最差相位噪声为-126dBc/Hz@1MHz;在1.5V电源电压下,压控振荡器的功耗约为9mW.     

周期性多发光层结构单色有机电致发光器件的研究

以具有高离化能的n型小分子材料PBD、BCP作为激子限制层,用交替沉积的方式制备了分别以Alq3/PBD、NPB/BCP为周期结构多发光层的绿光、蓝光器件.周期性多发光层结构的引入大大提高了器件性能,其中,具有双周期3发光层的绿光器件最大亮度和效率分别是常规器件的10.5倍和4.4倍,具有双周期双发光层的蓝光器件最大亮度和效率分别是常规器件的2.75和1.45倍.器件性能提高的主要原因是周期性结构的引入和多发光区域的划分增加了激子产生几率.同时,周期数对器件性能有重要影响.绿光、蓝光器件电致发光(EL)谱谱峰值基本稳定,半高谱宽出现了窄化.     

n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件

成功制备了可溶性n型聚合物PPQ掺杂的可溶性p型聚合物PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯PDDOPV的单层器件相比，起亮电压从4.5V降低到2.6V；在电压相同的条件下，掺杂的单层器件的电流和纯PDDOPV的单层器件在同一个数量级，但亮度和发光效率均高出1个数量级以上。在10V时，掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是1.95,30.9和16.0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在PDDOPV中掺杂PPQ降低了少子的注入势垒，提高了少子注入水平。这一结果表明，在可溶性p型聚合物中掺杂可溶性n型聚合物是提高器件性能的有效方法。