节能减排的基础技术-功率半导体芯片

功率半导体作为半导体行业的一个重要分支,大量应用于消费类电子、工业控制和国防装备,是节能减排的关键技术和基础技术。本文结合我国功率半导体市场需求,概要介绍了功率半导体发展的技术趋势以及面临的挑战和发展前景。同时根据我国功率半导体技术的发展现状,对未来我国功率半导体领域的发展方向和重点发展技术做了展望与建议。     

苏联科普作品对中国科普发展影响研究

苏联在科学技术事业取得辉煌成就的同时,也在大力普及科学知识,出现了一批优秀的科普作家。与此同时,苏联优秀的科普作品不断被引介到中国,对中国科普事业的发展产生了深远的影响。本文通过梳理苏联科普作品对中国科普事业发展影响的三个主要阶段:苏联科普作品的初步译介时期、苏联科普作品在中国翻译出版的繁荣时期和重温经典时期,论述苏联科普作品对中国科普事业发展的重要作用,剖析苏联科普作品在中国读者中长盛不衰的原因,并对现阶段中国的科普创作提出建议。     

半导体光电薄膜的分析和检测

半导体光电薄膜的制备,是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。文章介绍了半导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备的发展现状。     

半导体集成电路标准概述

半导体集成电路是半导体器件两大产业之一，对电子电气产业发展有着重要影响。主要介绍了半导体集成电路的产业现状。国内外相关标准概况以及标准发展动向等。     

半导体激光器光束质量评价方法探讨

针对半导体激光器的结构和光束特点,分析了M2因子的概念与半导体激光器激光本质之间的关系,研究了其局限性,探讨了激光光束质量的影响因素,提出利用准直代价作为半导体激光器光束质量评价因子,该因子由激光器的结构参数和光束参数有机组合而成,此值越小光束质量越好,越容易准直.新的评价因子即完善了"光参数积"的普适性,又具有针对性...     

The Use of Software Engineering Methods for Efficacious Test Program Creation: A Supportive Evidence Based Case Study

Within the semiconductor manufacturing chain the automated testing steps are coming increasingly into focus. Delivering enhanced functionality per IC is expected, with the costs per die being reduced, while, at the same time, the costs of semiconductor electrical tests increase disproportionately. In addition, the requirements for quality are significantly growing, in general, and in particular, being ensured by automated testing. Hence, the execution of test development and test method quality are becoming an important, competitive-advantage topic. This paper presents a case study that evidences such advantage by adopting software engineering methodologies in test program generation. A software cost model applied to test program development parameters, assessed in combination with Bayesian analysis and Gaussian statistical methods, is discussed in detail. Furthermore, the results obtained indicate the effectiveness of the proposed approach, evidencing a remarkable effort reduction, and address quality robustness in semiconductor test engineering.     

A unified simulation of Schottky and ohmic contacts

The Schottky contact is an important consideration in the development of semiconductor devices. This paper shows that a practical Schottky contact model is available for a unified device simulation of Schottky and ohmic contacts. The present model includes the thermionic emission at the metal/semiconductor interface and the spatially distributed tunneling calculated at each semiconductor around the interface. Simulation results of rectifying characteristics of Schottky barrier diodes (SBD's) and resistances under high impurity concentration conditions are reasonable, compared with measurements. As examples of application to actual devices, the influence of the contact resistance on salicided MOSFETs with source/drain extension and the immunity of Schottky barrier tunnel transistors (SBTTs) from the short-channel effect (SCE) are demonstrated     

多轴运动控制系统的控制方式

随着半导体技术的迅猛发展 ,使得半导体设备更趋于复杂化 ,对复杂设备的控制便显得尤为重要 ,针对复杂设备的运动控制系统 ,阐述了几种具体控制方式及实现方法。     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号，是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理，旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

固态微波电子学的新进展

固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹.目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局.综述了具有代表性的1 1类固态器件(RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET)近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位.最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术.     

半导体激光器光束质量评价方法探讨

针对半导体激光器的结构和光束特点,分析了M2因子的概念与半导体激光器激光本质之间的关系,研究了其局限性, 探讨了激光光束质量的影响因素,提出利用准直代价作为半导体激光器光束质量评价因子,该因子由激光器的结构参数和光束参数有机组合而成,此值越小光束质量越好,越容易准直。新的评价因子即完善了“光参数积”的普适性,又具有针对性。     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号,是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理,旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究

陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的难点。本文介绍了流延成型、凝胶注模成型和新型3D打印成型等几种基板成型方法,分析了不同成型方法的特点、优势及技术难点。介绍了了近年来国内外陶瓷基板成型的研究现状,并对其未来发展及应用进行了展望。     

ULSI化学机械抛光的研究与展望

随着半导体行业的飞速发展，集成电路特征尺寸的微细化，半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP)，近年来发展迅速，应用广泛。文章综述了化学机械抛光技术的发展现状：包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展；在此基础上，对CMP下一步发展的方向及其应用前景进行了展望。     

半导体材料研究的新进展

首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述.最后,提出了发展我国半导体材料的建议.本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se.CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等.     

激光化学半导体工艺及其应用

激光化学半导体技术及其在半导体器件和集成电路制备中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了这种技术的基本原理、特点和加工方法,重点介绍了它在半导体器件和集成电路制备中的应用,最后展望了它的今后发展方向。     

半导体器件发展历程及其展望

简述了半导体器件发展历程,及其对人类社会发展所产生的深刻影响。探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。     

大功率半导体激光器阵列的封装技术

半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域，成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用。着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。     

微电子封装业和微电子封装设备

介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。     

新型功率半导体器件发展之我见

新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。