Sol—gel生长KTa1—xNbxO3电光薄膜的成分和结构

采用ＸＰＳ方法研究了ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＫＴＮ（ｘ＝０．３５）薄膜的成分和结构，结果表明，除了表面被碳污染外，薄膜中无残余的碳和其他杂质，其成分与原料的化学计量比相近，且沿深度均匀分布，各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型ＫＴＮ结构。     

Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究

用溶胶 凝胶方法在Si上成功地制备了钙钛矿型的PbTiO3薄膜。X射线衍射结果显示 ,在热处理温度为 750～ 90 0℃范围内 ,随温度升高 ,薄膜由多晶结构转变为定向结晶。X射线光电子能谱分析发现 ,薄膜表面存在SiO2 薄层 ,其厚度大约为 0 6nm ,该薄层是在制膜过程中衬底Si通过PbTiO3薄膜扩散到表面与大气中的O2 反应而形成的。在 750℃热处理的薄膜 ,膜层中不含SiO2 ,但温度升高 ,膜层中存在SiO2 成分 ,这可能是Si在向表面扩散过程中与膜中的O反应生成的。表面SiO2 可通过Ar离子的轻微溅射而消除 ,而膜内SiO2 成分只能通过调节工艺参数来消除     

Sol－Gel法合成K（Ta，Nb）O_3材料

以金属醇盐乙酸钾［Ｋ（ＯＣ２Ｈ５）］，乙醇铌［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５］和乙醇钽［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５］为原料，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３超细粉末和薄膜，研究了工艺参数如前驱体溶液浓度、热处理温度等因素对材料结构及物性的影响．粉料的粒径为２０～４０ｎｍ，所需合成温度约为７００℃，比通过传统的固相反应制备同种材料的合成温度低近１００℃；以ＳｒＴｉＯ３（１００）单晶作基片，采用匀胶法获得了沿（１００）高取向生长的Ｋ（Ｔａ０．６５Ｎｂ０．３５）Ｏ３薄膜，薄膜表面均匀、致密，室温时呈立方相晶格结构．研究表明，选择物理性质相似、晶格常数相匹配的材料作基片，适当控制工艺参数，尤其是前驱体溶液的浓度、升降温速度及烧结温度是获得优质薄膜的关键．     

溶胶－凝胶工艺参数对（Pb，La）TiO_3薄膜结构的影响

系统地研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备（Ｐｂ_（１－Ｘ）Ｌａ_ｘ）Ｔｉ_（１－ｘ／４）Ｏ_３（简称ＰＬＴ）薄膜时催化剂（或ｐＨ值）、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律，用Ｘ射线结构分析和ＳＥＭ研究了热处理工艺对薄膜结构及晶粒尺寸的影响。实验表明，浓度、醋酸含量都存在一个最佳的范围，且随铜（Ｌａ）含量的增加，该范围减小；实验还发现，随着Ｌａ含量的增加，薄膜的晶化温度降低。在单晶（１００）Ｓｉ衬底上成功地制备出了具有钙钛矿型结构、厚度约为２００ｎｍ、均匀、致密、无裂纹的ＰＬＴ晶态薄膜。     

纳米晶Ba_（1－x）Pb_xTiO_3的合成与表征

以醋酸铅、硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料，用硬脂酸凝胶法（ＳＡＧ）合成了粒度均匀、粒径１０－２０ｎｍ的Ｂａ（１－ｘ）ＰｂｘＴｉＯ３纳米晶粉末．利用红外光谱（ＩＲ）、热重（ＴＧ）和差热分析（ＤＴＡ）研究了纳米晶粉末的合成过程．用ＴＥＭ、ＸＲＤ观察和研究纳米晶的形貌及晶体结构，并用发射光谱测定样品的纯度．     

Co_xFe_（3－x）O_4薄膜的湿法制备及性能

提出了在碱性溶液中通过加入添加剂在涤纶（ＰＥＴ），玻璃，铜片等基体上快速制备Ｃｏ－ｘＦｅ＿（３－ｘ）Ｏ＿４磁性薄膜的方法。实验结果表明，湿法制备的薄膜具有多晶的尖晶石结构，随着Ｃｏ含量的增高，矫顽力逐渐增大，耐蚀性良好。     

择优取向的PbTiO3玻璃陶瓷薄膜的Sol—Gel制备及结构

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）玻璃陶瓷薄膜,实现了常规熔融法难以达到的高ＰＴ含量,薄膜中ＰＴ晶粒分布均匀,闰大小约０．１μｍ,膜中无孔洞,采用常规热处理,可获得Ｃ轴择优取向的ＰＴ玻璃陶瓷薄膜,而利用快速热处理技术有助于抑制ＰＴ焦绿石相的出现,且薄膜呈现轻微的ａ轴择优取向。     

热处理对KTN薄膜结构和形貌的影响

:本文用XRD、SEM等分析手段 ,对用Sol -Gel法制备的Gel膜在不同热处理条件下处理后的KTN薄膜进行分析。发现热处理的气氛、升降温速率、烧结温度对薄膜的结构和形貌影响很大 ,并对其的影响进行了分析讨论。在合适的热处理条件下 ,在SrTiO3 ( 1 0 0 ,1 1 1 )衬底上制备出了高取向、晶粒大小均匀、排列紧密、纯钙钛矿结构的KTN薄膜     

新型工艺制备ZnO薄膜的结构与形貌研究

采用了一种新型工艺制备ZnO薄膜。新工艺采用二步法,首先在N型Si(100)衬底上用离子束沉积溅射一层金属Zn膜,然后通过热氧化金属Zn膜制备ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜对不同制备工艺下的ZnO薄膜进行结构与形貌的分析比较。研究表明,Zn膜的离子束溅射沉积时间、热氧化时间和辅助枪的离子束对热氧化后的ZnO薄膜再轰击处理对ZnO薄膜的结构与形貌都会产生影响。     

工艺参数对Sol—Gel法制备的PLZT铁电薄膜结构和性能的影响

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的ＰＬＺＴ薄膜，研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素，适宜的前体溶液浓度和水解度，低的热处理变温速率对防止薄电裂有利，ＰｂＴｉＯ３过渡怪改善ＰＬＺＴ薄膜的形核过程，使之纯钙钛矿结晶相，ＰｂＴｉＯ３过渡层及薄膜内细小的晶粒和空间荷电使薄膜剩余极化强度下降，矫顽场强上上升。     

EBD法制备ZnIn_2Te_4薄膜的性质与XPS研究

用电子束加热沉积法（EBD）制备了厚度420um的ZnIn2ZTe4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和性能，用电子能谱（XPS）分析了ZuIn2Te4薄膜的组成、结构和状态；典型ZnIn2Te4膜最佳参数为：电阻率ρ为3．2×10－1Ω·cm，Hall迁移率是79cm2V－1s－1，载流子浓度是1．58×1017cm－3，禁带宽度（Eg）是2．33eV；探讨了ZuIn2Te4膜导电机理，制作了ZuIn2Te4－Si太阳能电池。     

TiO2光催化薄膜的XPS研究

利用ＴｉＯ２溶胶通过浸涂技术在钠钙玻璃表面制备了ＴｉＯ２光催化薄膜,根据Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对薄膜进行了表征。结果表明,薄膜中除含有＋４价Ｔｉ的氧化物外,还有一定量的＋３和＋２价Ｔｉ的氧化物。结合有机基团燃烧的还原作用、玻璃中钠与钙离子的扩散和Ａｒ离子刻蚀,对这种现象作了讨论。Ｏｌｓ的高分辨谱比文献报道的更复杂。元素在薄膜内层的分布更均匀,从表面到内层,Ｏ和Ｔｉ元素的含量明显增加,而Ｃ、Ｎａ     

薄膜成分,微结构及力学性能表征

简要综述了表征薄膜成分，微结构及力学性能的常用方法。     

ITO薄膜的XPS和AES研究

分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明,退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．氧缺位状态主要分布在薄膜表层各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集     

Cul微晶掺杂硅凝胶玻璃及其薄膜的制备与光谱性质

采用溶胶－凝胶工艺制成ＣｕＩ微晶掺杂硅凝胶玻璃及其薄膜。通过Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）分析观察到玻璃中的晶相及其分布；由薄膜的室温透射光谱发现，随着热处理温度提高和时间延长，薄膜的特征透射谱谷向长波方向移动（红移），并源于玻璃中的量子尺寸效应。