Ge／Pt／Au,Ge／Au／Ni／Au—n型GaAs欧姆接触的对比研究

对用快速热合金方法（RTP）形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au-n型GaAs欧姆接触进行了对比研究。实验结果表明，在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下，Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度－时间”窗口的接触电阻率。合金后，Auger能谱分析表明，Ge/Au/Ni/Au金属系统扩散进GaAs体内的净施主Ge浓度较高，因而接触电阻率较低。两种欧姆接触金属系统经高温存贮一定时间后，发现其接触电阻率都有所降低。     

Bi2O3掺杂Ba0.85Ca0.15(Zr0.1Ti0.88Mn0.02)O3压电陶瓷及微型气泵的制备与性能研究

采用固相法制备了Bi₂O₃掺杂的Ba_0.85Ca_0.15(Zr_0.1Ti_0.88Mn_0.02)O₃压电陶瓷，研究了体系的微观结构，以及Bi₂O₃掺杂量对体系压电性能的影响；将体系最优性能的样品装配成微型气泵，并与日本村田的MZB1001T02微型泵进行了性能对比。研究表明，Bi₂O₃掺杂Ba_0.85Ca_0.15(Zr_0.1Ti_0.88Mn_0.02)O₃的无铅压电陶瓷呈单一的钙钛矿结构，少量的Bi₂O₃掺杂使体系保持了三方-四方相共存的特性。当掺杂量(质量分数)为0.05%时，样品晶粒分布均匀，介电和压电性能最优，即ε^T_33...     

基于三阶速度和四阶位移的轨迹规划方法研究（续）

此外，考虑加速度限制时，最大加速度出现在t₃时刻，即由t_st＿d和t_st＿j确定的最大加加速度■。如果■，则t_st＿j满足加速度限制要求，否则需要重新计算t_st＿j，此时令a(t₃)=a_max，可知：■由此可以确定恒定加加速度时间段最优值。     

ZrO2-Nb2O5复合添加对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响

针对开关电源高频小型化需求，采用固相反应制备分子式为(Mn_0.766Zn_0.105Fe_0.129)Fe₂O₄的MnZn铁氧体材料，通过对铁氧体微结构的表征及磁性能的测试，研究了ZrO₂和Nb₂O₅复合添加对MnZn铁氧体显微结构、烧结密度d、初始磁导率μ_i、饱和磁通密度B_s、剩余磁通密度B_r、矫顽力H_c以及功耗P_cv特性的影响。结果表明，ZrO₂和Nb₂O₅复合添加有利于促进晶粒均匀化和致密化，从而提高了材料烧结密度，能显著降低材料的剩余磁通密度和矫顽力，实现材料的高起始磁导率以及高频低损耗。当ZrO₂和Nb₂O₅复合添加质量比为4∶6时，MnZn铁氧体的μ_i     

GaN器件阈值电压漂移特性的研究

氮化镓(GaN)器件的阈值电压V_TH漂移是栅极可靠性问题之一，但常用的栅极电压扫描测试方法复杂，应力长期作用下的V_TH漂移特性尚不明确。文中基于恒流注入法测量V_TH，设计测量所需的mA级恒流源，使用微处理器采集数据，设计输出幅值可调的驱动电路用于GaN器件栅极加速老化；研究温度和不同类型的栅极电压应力长时间作用时V_TH的漂移特性。结果表明：随着器件温度的升高，V_TH仅表现出正向漂移，温度由25℃增加至125℃，增量为100℃引起的漂移量可达0.22 V；恒压应力下，V_TH的漂移方向与应力幅值V_G＿Stress有关，3 V≤V_G＿Stress<5 V时，V_TH正漂移，5 V≤V_G＿Stress≤7 V时，V_TH负漂移，V_G＿Stress=7 V时漂移量达到-0.39 V；动态应力下，V_TH仅表现出负漂...     

华为信息（一）

华为加速物联网覆盖：近日，华为推出新一代机器对机器（M2M）解决方案MG301，以加速其在物联网行业的拓展。这款集高兼容性和稳定性于一身的MG301无线通信模块，完全与华为上一代产品MG323-B pin-to-pin兼容，且支持GSM/GPRS四频，拥有内置协议栈，支持串口多路复用，高度符合工业级模块要求。华为MG301延续了华为一贯的“高兼容性”和“高稳定性”的产品优势，能满足42.8 kbit/s上行传输速率和85.6 kbit/s峰值下行传输速率，内置TCP/IP协议，支持STK/USSD/FTP/HTTP协议，支持短信TEXT和PDU模式，满足来电显示、来电等待、呼叫转移等业务；支持TTS/录音功能，支持FR/EFR/HR/AMR多种音频格式，同时高整合度MG301具备完整的M2M专用接口。     

网络红包火热

与收视低迷的春晚相比，除夕网络抢红包却极度疯狂，很多人为了抢红包，放弃了观看春晚。网络上流传一首《沁园春抢红包》：“祖国风光/春节红包/望群内群外/人人兴奋/两眼放光/魂牵梦绕/手机之外/一片萧条/线下活动/统统推掉/到夜晚/看绅士名媛/捧手机笑/为了块儿八毛/引无数土豪不睡觉。”     

Si/ SiGe/ Si HBT 的直流特性和低频噪声

在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上，研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT，测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性，为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。     

二维氮化镓中空位缺陷研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了二维氮化镓(2D-GaN)平面和翘曲结构中电中性Ga空位(V_Ga)和N空位(V_N)的形成能、能带结构及电子态特性。采用杂化泛函方法，计算了含Ga空位的2D-GaN(2D-GaN-V_Ga)和含N空位的2D-GaN(2D-GaN-V_N)缺陷体系的电子结构。结果表明，在2D-GaN平面结构中，V_N缺陷形成能量低于V_Ga的能量，说明V_N缺陷更容易形成。在2D-GaN翘曲结构中，V_Ga缺陷形成能量低于V_N的能量，说明V_Ga缺陷更容易形成。在2D-GaN平面和翘曲两种体系结构中，V_Ga均为受主缺陷，V_N均为施主缺陷。研究结果对系统地理解2D-GaN及其缺陷模型的性质有重要意义，为发展基于2D-GaN的大功率器件、深紫外光电器件和光通信等领域提供理论参考。     

802.11标准的最新进展

无线局域网（WLAN）是一低成本的无线接入技术，作为GPRS中cdma2000的补充，或作为新有家庭联网方式，其标准在不断被深化，延伸，其中，为适应安全认证，漫游和QoS等方面的要求，802.11b/a等标准在不断升级和发展，而IEEE正在笑话制订的802.11e/f/g/h/i等标准也各有侧重，介绍了这几种标准最新的进展情况。     

激光冲击强化对AZ31B镁合金表面耐腐蚀行为的影响

镁合金具有密度小、比强度和比刚度高、机械加工性能好、生物相容性良好等优异性能，成为潜在新一代可生物降解骨板材料，但其耐腐蚀性能差，限制其发展。使用激光冲击强化技术(LSP),研究其对镁合金表面耐腐蚀性能的影响。采用激光功率密度为1.35 GW/cm²、2.99 GW/cm²和3.92 GW/cm² 进行冲击强化试验，在3.5%(质量分数)NaCl溶液中，通过电化学测量技术动电位扫描得到极化曲线，并通过微观结构探究激光冲击强化对AZ31B镁合金耐腐蚀性能的影响机理。试验结果显示，随着激光功率密度的提升，样品的表面硬度也随之提高，2.99 GW/cm²样品的表面硬度为81.2 HV,相比原始样品提高了35.8%。XRD图谱显示，与原始样品相比，激光冲击处理后的样品衍射峰向高角度方向偏移，衍射峰强度均降低，半峰宽增加。2.99 GW/cm²样品的耐腐蚀性能最好，腐蚀电位为-0.602 41 V,腐蚀电流密度为1.021 5×10^-4 A/cm²     

阳极刻蚀提升Ga2O3肖特基势垒二极管击穿特性

提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga₂O₃肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga₂O₃材料制备了Ga₂O₃纵向SBD。在完成阳极制备后，对阳极以外的Ga₂O₃漂移区进行了不同深度的刻蚀，刻蚀完成后，在器件表面生长了SiO₂介质层，随后制备了场板结构。测试结果显示，刻蚀后器件的比导通电阻小幅上升，而反向击穿电压均大幅提升。刻蚀深度为300 nm的β-Ga₂O₃ SBD具有最优特性，其比导通电阻(R_{on, sp})为2.5 mΩ·cm²,击穿电压(V_br)为1 410 V,功率品质因子(FOM)为795 MW/cm²。该研究为高性能Ga₂O₃ SBD的制备提供了一种新方法。     

一种新的电离层区域重构方法

针对以电离层模型为参考的电离层重构算法对模型依赖性强、计算复杂、适应性不强的问题，提出了一种不依赖于参考模型的电离层区域重构算法，其仅依靠区域内的采样数据对区域电离层分布进行重构.该算法首先根据重构区域覆盖范围内分布的多个垂测站实测的f_cF₂，构造经度因子、纬度因子与f_cF₂关系式，重构出区域内任一点的f_cF₂；然后选取一个垂测站为基准，构造基准站f_cF₂、f_cF₁与重构对应点的f_cF₂扩展因子的关系式，以及重构距离点上任一高度上的等离子体频率与扩展因子、基准站f_cF₁的关系式，通过该扩展因子及关系式即可得到区域内的电子浓度情况.与均匀电离层假设下合成的斜测描迹相比，本文重构方法合成的斜测描迹更接近真实值，且试验表明其进一步提升了电离层重构的精度.     

照片打印机的进化论——利盟P450照片打印机

照片打印机已经不是新闻了，但带有CD记录机的照片打印机就挺新鲜了，世界知名的打印机生产厂商利盟（Lexmark）近日发布一款型号为P450的喷墨式照片打印机，除了像常见的照片打印机那样，支持PictBridga直接打印，内置多合一读卡器，可直接读取CF/SM/MS/SD/MMC/xD等多种规格的存储卡并打印照片，     

飞机蒙皮激光除漆对基材表面完整性的影响

为了验证激光清洗飞机蒙皮表面漆层的可行性，阐明漆层清除对基材表面完整性的影响，采用脉冲光纤激光器在12.89～25.48 J/cm²能量密度下对2024铝合金飞机蒙皮开展了除漆实验，研究了除漆效果、基材表面形貌、粗糙度、显微硬度及微观组织特征的变化规律，利用Ansys Workbench软件模拟分析了温度场分布对除漆效果和基材表面完整性的影响。结果表明，随着能量密度的增大，残漆率降低，基材表面粗糙度(S_a)和峰谷高度差(PVHD)增大，显微硬度小幅提升，同时表面晶粒细化，位错密度增大，强化相σ(Al₅Cu₆Mg₂)析出，当能量密度大于22.90 J/cm²时，漆层彻底清除。在22.90 J/cm²的能量密度下，漆层与基材交界处的温度为415.46℃，低于基材的初始熔化阈值，基材表面未发生明显的塑性变形，PVHD为8.28μm，显微硬度相较于原始试样提高了2.8%，获得了良好的表面完整性。研究结果为提升激光除漆技术在航空工程领域中的应用...     

自驱动拓扑半金属NiTe2太赫兹探测器

太赫兹在高速通信、生物医学、无损检测、空间探测和安全防护等众多领域有广阔的应用前景，然而高灵敏室温太赫兹探测器是其亟待解决的难题之一。新兴拓扑材料特殊的光电子学性质为太赫兹探测开辟了新路径。基于第一性原理计算第Ⅱ类狄拉克半金属NiTe₂的能带结构及拓扑表面态，采用机械剥离法得到NiTe₂纳米片，通过集成电路工艺制备金属-NiTe₂-金属场效应晶体管，并测量其太赫兹光电流响应。结果表明，室温下NiTe₂响应度可达2.44 A/W，噪声等效功率约为14.96 pW/Hz^1/2，在零偏压自驱动下，响应度仍有2.25 A/W，噪声等效功率下降到9.55 pW/Hz^1/2，可与同类探测器媲美，且具有较大的线性度范围，在空气中也具有良好的稳定性。该器件良好的性能对进一步促进室温太赫兹探测器实际应用及集成具有重要意义。     

CoSi16-和Co2Si322-团簇几何结构、电子和热力学特性研究

过渡金属原子掺杂硅团簇不仅可以提高硅团簇的稳定性，还可以使其产生许多新颖的物理和化学特性，在新能源和材料领域应用广泛。本文基于密度泛函理论并结合粒子群优化算法程序卡利普索，对CoSi₁₆^-和Co₂Si₃₂^2-团簇的几何结构、电子、光谱和热力学特性进行了系统研究。结构优化发现，CoSi₁₆^-和Co₂Si₃₂^2-团簇基态结构分别为Co原子被包裹在Si笼内部的高对称D_2d和D_2h点群对称笼状结构。在此结构基础上，分析了两体系的磁性和键级等特性。此外，根据拟合的光电子能谱、红外和拉曼光谱，对两体系的主要特征峰进行了归属分析。最后，研究了体系的热力学特性，讨论了热力学参数Cv和S随温度变化的规律。     

3G双模能否成为国产手机厂商的新机会？

虽然我本人对中国联通最近推出的双模手机持保留态度，但是，它也给我一个新的启示，3G双模(3G/GSM：TD/GSM、WCDMA/GSM，CDM2000/GSM)有可能成为中国手机制造商的新机会？     

三星SCH-W379

支持CDMA/GSM双模网络和一键切换，具备“双模五频”漫游功能（CDMA 1X（800/1900MHz）/GSM（900/1800/1900MHz）以及联通推出的手机导航功能，通过强大的搜索功能，可为繁忙的用户提供生活，娱乐和公交换乘等大量实用信息。     

应用T矩阵法对大气灰霾简单非球形粒子散射特性的计算与分析

针对灰霾天气条件下主要污染物粒子，PM2.5主要组分，以硫酸铵和碳质气溶胶粒子为典型粒子，运用T矩阵方法研究了这两种粒子不同形态的散射特性，包含椭球体（长短轴比a/b=1/2，1/3，2/1），圆柱体（直径与长度比D/L=1/2，1/3，1/1，2/1）及切比雪夫形（多项式n=2，形变参数=-0.1，0.1），两种粒子在不同形态下所对应的散射、消光及吸收效率因子随尺度参数的变化规律。结果表明，硫酸铵非球形粒子在尺度参数小于1时，不同形状粒子效率因子差异很小，从尺度参数大于1开始，散射、消光效率因子随尺度参数先增加后震荡减小，粒子吸收非常弱；而碳质气溶胶粒子在尺度参数小于2时，不同形状粒子效率因子差异很小，尺度参数大于2开始，各效率因子随尺度参数先增加然后缓慢减小，并且对光场具有较强的吸收作用。该研究结果可用于大气灰霾粒子探测分析，发展大气环境污染防护科技。