带有低温前置放大器的灵敏快速GaAs光导器件

本文介绍了一个灵敏的远红外(100～400微米)探测器系统,它包括液氦致冷GaAs光导器件,低温前置放大器和室温后置放大器。系统的带宽是1赫～30兆赫,比InSb热电测辐射热计大10倍。     

五公分宽带常温参量放大器

一、引言参量放大器具有低噪声特性。但由于它窄带特性往往使其应用受到一定的限制。宽带参量放大器同窄带参量放大器相比,不论在相位特性方面还是在工作稳定性方面都有很大的改善。特别是工作在常温的宽带参量放大器,由于它不用庞大复杂的致冷系统,应用起来就更为方便。因此,在对相位有一定要求的微波接收机中使用宽带常温参量放大器是有一定的使用     

致冷L波段低噪声HEMT放大器

本文介绍致冷L波段HEMT放大器的设计与测量结果。室温下,放大器的最低噪声温度为34.4K,当致玲到15K时,在1.0到1.5GHz的频带内,放大器的平均噪声温度为2.1K,最低噪声温度为1.5K增益为34.8±0.7dB,反射损耗20log 1/|S_(11)|大于10dB。     

低噪声1.21.8GHz致冷FET放大器

本文介绍了低噪声1.21.8 GHz致冷FET放大器的研制工作。在20K环境温度下,带宽1.21.7GHz范围内,放大器噪声温度低于10K,最佳为4K。增益约30dB。设计了一个噪声温度自动测试系统。另外对输入电缆的噪声和总测量误差作了分析。测试总误差为2K。     

用于红外探测器的低温工作的低噪声跨阻抗放大器

在AIT发展空间应用红外照象技术期间,我们对用于超低背景红外探测器的前置放大器进行了研究。噪声等效功率低于1.0 ×10~(-16)WHz~(-1/2)的探测器,许多情况下,受其前置放大器的噪声的限制。对于这种应用的最适当的放大器,如文献[1]所述,是所谓跨阻抗放大器,构成这种电路的最普通方法是在致冷系统里使用场效应晶体管,而在室温下使用运算放大器。最佳的情况是只使用一个低温工作的运算放大器。然而迄今,对于这种特殊的应用,没有可供符合下列苛刻要求的运算放大器商品。这些     

掺铒光纤放大器

由瑞典Ericsson公司生产的PGE 60 841型掺铒光纤放大器 (EDFA)外形尺寸为 70mm× 45mm× 1 0mm。该放大器适于C 谱带的单通道和窄带光通信应用 ,且不需要增益补偿。EDFA内含有集成输入和输出监测二极管 ,非致冷式微型 DIL泵浦激光器使EDFA能提供高达 1 5dBm的输出功率 ,小信号增益高达 2 5dB ,噪声数值 <6dB。(No .2 7)掺铒光纤放大器     

3.625～4.2GHz 36K GaAs低噪声放大器

<正>采用市场上能购得的器件,制作了噪声温度在3.625～4.2GHz范围内均小于36K的放大器,达到了当前国际水平、且已提供用户使用.制作低噪声放大器除了需有性能优良的器件外,还要进行电路优化设计和精心调试.为了进一步降低噪声温度采用了致冷技术,因而在电路和结构上都要进行合理设计.首先要正确测量器件的S参数以及噪声参量.此后一般可用CAD技术进行电路设计,大部分设计者把一个放大器的所有指标一起进行优化,当其中某项指标达不到要求时,可以降低其它指标,     

清华同方DVB-C机顶盒

1570BB系统是德国BKtel公司(原阿尔卡特有线电视部)推出的具有电信级可靠性水平的双向多业务HFC通信平台。由于该系统采用了冗余保护理念和非有源致冷等一系列独特的电信设计风格，使得系统具有极高的可靠性。1570BB由德国BKtel公司自行研制开发的各种型号的光发射机、光放大器、光工作站、电缆放大器及具有现代化水平的强大完备的网管系统构成，直接传输距离可达100km以上，     

用于低温致冷光导红外探测器的直接耦合低噪声前置放大器

转移阻抗前置放大器(TIA)是一种直接耦合的负反馈工作电路,它已成功地应用到超高阻抗低温致冷光导探测器电路中。前置放大器的开环增益可简化有关这电路的全部时间常数。这样的放大器,有9×10~(10)Ω的转移阻抗电阻,产生均匀的频率响应达700Hz,是无补偿探测器-前置放大器响应频率0.184Hz的3800倍。TIA放大器较之一般的电路有很大的优点。由于它的实际接地,使探测器偏压保持常数,而改善了直线性;使前置放大器的开环增益降低前置放大器的输入阻抗和输入信号电压,因而降低了微音器的灵敏度和减少了多元件探测器阵列中的相互串音。TIA电路中前置放大器噪声,如同别的均衡电路的噪声一样,会减低探测器的探测度,所以,一定要减到最小。本文研究其关系,得出TIA前置放大器的热噪声和前置放大器的噪声极限。这个前置放大器的设计电路,已在LWIR频谱仪中成功地使用。1973年3月22日,在阿拉斯加Poker低地,用黑雁VC火箭发射了这个LWIR频谱仪,在45-185km的高度范围内,取得了6.72-23.2μm的极光发射光谱,在9.6和15μm处其主要的特性受到臭氧和二氧化碳的影响。     

天文观测用InSb红外探测器系统的测试

1985年9月,我们测试了云南天文台进口的两套InSb光伏型红外探测器系统。并利用这两套系统做了许多红外天文课题的测量工作。InSb系统由三个主要部份组成:InBb探测器、金属杜瓦瓶和固定子杜瓦瓶一侧的前置放大器。InSb器件与场镜、滤光片和孔径滑块以及作为第一级前放的JFET均安装在致冷     

第三代红外成像器（上）

1 引言 第二代致冷和非致冷焦平面列阵的扩散可能会使美国士兵目前所拥有的夜战优势成为泡影.为了保持美国军队及其盟军所享有的优势,美国陆军夜视与电子传感器管理局正研究第三代焦平面技术.包括致冷和非致冷焦平面列阵在内的三种第三代器件现已确定,它们是:具有双色或者三色波段的高性能、高分辨率致冷成像器;中高性能非致冷成像器;成本很低、可一次性使用的非致冷成像器.     

L 波段宽带低温低噪声放大器的设计与测量*

高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路低温模型是研制致冷低噪声放大器(LNA)与研究晶 体管微波特性的基础。该文通过测量HEMT 器件在低温环境下直流参数与散射参数(S 参数),构建了包含噪声参 量的小信号等效电路,并据此设计了一款覆盖L 波段的宽带低温低噪声放大器(LNA),工作频率1 ~2GHz,相对带宽 达到66. 7%。在常温下放大器功率增益大于28dB,噪声温度小于39K;当环境温度制冷至11K 时,噪声温度为1. 9 ~3. 1K,输入输出端口的回波损耗S11 和S22 均优于-10dB,1dB 压缩点输出功率为9. 2dBm,功耗仅为54mW。     

铁电致冷材料及其应用

利用铁电材料的电热效应（即逆热释电效应）可以制作新型致冷器。近年的研究进展表明，铁电致冷有可能发展成为一种新型的室温致冷技术。本文扼要介绍了铁电致冷的基本原理、可行性，以及铁电致冷材料和相关技术的发展，并展望了铁电致冷材料的发展前景。     

双材料微悬臂非致冷红外探测成像系统

双材料微悬臂非致冷红外探测成像系统的关键元件是一种新型红外探测器，它采用表面微机械与常规集成电路的新颖组合，其工艺与标准集成电路工艺100％兼容。通过双材料微悬臂热敏单元，控制电容板位置耦合到低噪声MOS放大器输入端读出信号，也可通过光学读出。其噪声等效温度(NEDT)接近理论极限，能够满足高灵敏度、轻重量和低成本的装备需求。     

基于AVR的非致冷探测器温控系统的设计

非致冷焦平面热成像系统由于自身的众多优点,在诸多军事和民用领域都具有广泛的应用.作为当前红外成像领域的研究热点,非致冷焦平面的工作温度特性在很大程度上决定了非致冷探测器的成像质量.为了满足快速、稳定和数字化的系统要求,采用AVR单片机对非致冷探测器的温度系统进行控制,通过调节单片机内部比例积分校正网络参数,提高了非致冷...     

激光封口在非致冷型红外焦平面组件封装中的应用研究

与致冷型红外探测器相比,非致冷型红外探测器无需在系统中安装致冷装置,因此其尺寸较小、重量较 轻且功耗较低。为了完善非致冷型红外探测器排气后的封口工艺,并实现探测器组件的结构优化和高可靠性,提出了在高真空环境下利 用激光封口来封装非致冷型红外探测器的技术方案。试验表明,组件性能没有发生明显变化,满足工程化应用的要求。     

致冷探测器在空空导弹中的应用

热力学的三个热电效应，奠定了近代高效红外探测器致冷技术的理论基础。本文对多种致冷型与非致冷型空空导弹的性能进行了比较，阐述了致冷探测器在空空导弹中的应用，以及对高技术武器装备发展的深刻影响。     

已提高温度稳定性和降低固定图形噪声的红外探测器列阵

美国专利US6583416 (2003年6月24日公布) 同光电探测器相比,热探测器具有无需致冷的优点。然而,目前这一代非致冷红外成像器在性能上与致冷型传感器相比还有很大的差距。这主要是由于非致冷型探测器的热隔离性能差和在探测过程中会引入噪声等造成的。     

一种新型结构的致冷机低温泵

致冷机低温泵的抽气效率主要取决于冷阵的结构,为了提高抽气效率,在结构设计上所需采取的措施往往是互相矛盾的,难以协调,致使目前的致冷机低温泵对H_2、H_e、N_o这类非凝性气体的抽气效率都较低,这一弱点对小口径致冷机低温泵尤为突出.本文着重分析了冷阵结构对致冷机低温泵抽气效率和其它性能的影响因素,提出了结构设计的基本原则,介绍了作者依此而设计出的一种新型冷阵结构的致冷机低温泵.结构设计是借助了蒙特卡洛方法而完成的.作者在口径为φ150毫米的致冷机低温泵中使用了这种结构,进行了性能测试,实验结果同理论计算值基本一致.     

GH01型多元红外探测器用玻璃杜瓦瓶

(一)简要工作原理该玻璃杜瓦瓶是利用液氮致冷剂相变致冷的原理,通过冷头向探测器致冷的玻璃封装结构,冷头温度可达79K。(二)用途该玻璃杜瓦瓶可用于工作温度为77K,