共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
高可靠水平偏转电路功率晶体管荷兰菲利浦半导体公司研制成功的两种新型高速高压NPN功率晶体管(BU2522AF和BU2527AF),具有开关时间短、功耗损耗小的特点,应用于CRT监视器水平偏转电路能极大地降低功耗,两晶体管间窄增益扩散有利于简化对最坏工... 相似文献
2.
在我们周围除了电视机的显像管、台式电脑的监视器、微波炉内的速调管,是真空器件外,其他家电产品和无线通信产品已经全部半导体化,似乎在电子和电气设备中真空管已退出历史舞台。显然,真空管与晶体管相比,由于体积大和电源功耗高,真空管不适宜在数字处理和逻辑运算方面应用。首先,从计算机中的电子管被晶体管取代之后,在视听家电方面又从便 相似文献
3.
4.
5.
半导体和超导体混合晶体管是指以超导体为源极和漏极,半导体为沟道而构成的超导体一半导体混合场效应晶体管(简称混合型场效应晶体管或超导场效应晶体管)和以超导体为基区,半导体为发射区、集电区而构成的超导体-半导体混合结型晶体管(常称超导基区晶体管或超导基区热电子晶体管)。本文将讨论这 相似文献
6.
7.
8.
随着电视事业的发展,彩色电视监视器被广泛用于电视台、电教馆的电视制作、演播系统、播出中心等,因此了解彩色电视监视器的工作原理及维修技术显得十分必要。本针对HITACHI FUJIAN(福日)HFV-1761彩色监视器常见故障实例来分析电路原理、故障原因以及维修方法。 相似文献
9.
三代半导体功率器件的特点与应用分析 总被引:2,自引:1,他引:1
以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。 相似文献
10.
针对已列装的某火控雷达终端电视监视器的问题 ,对电路可靠性进行改进设计 ,在保证与原监视器有良好的机械及电气的互换性前提下 ,设计出一种高可靠性、高集成度、高质量的雷达终端电视监视器 ,并成功地解决了原监视器长期以来存在的黑白竖条干扰问题 ,使显示质量得到了明显提高 相似文献
11.
《国外电子元器件》2000,(12):20
飞利浦半导体日前宣布推出可用于PC/外围部分的两种主流型号产品17"ECO CRT监视器及15"Phoenix1 TFT LCD监视器。 17"ECO CRT监视器采用最流行的I2C控制的偏转控制器TDA4856及视频控制器TDA4886,以及新款垂直升压器(vertical booster)863。其目标市场为中高端部分。而15"Phoenis 1 TFT LCD监视器则采用了定标器SAA721、AD转换器TDA8752、视频解码器SAA7113,以及微控制器P87C695。其目标市场亦为中端部分。 飞利浦半导体是全球十大半导体及集成电路供应商之一。该公司在数码视听及移动通讯技术方面屡屡推出新技术,现已成为消费品、多媒体应用以及无线通讯市场的领导者。有关飞利浦半导体公司更进一步的产品信息请访问网站: Http://www. semicomdrctors. philips. com 咨询编号:001217 相似文献
12.
13.
14.
15.
16.
《现代电视技术》2005,(6)
百余台Sony LUMA液晶监视器成功入驻湖北电视经济频道近日,湖北电视经济频道监视器采购项目开标,Sony LUMA液晶监视器凭借优异的性能和出色的图像质量一举中标。共计百余台标清及高清LUMA液晶监视器将陆续在湖北电视经济频道新购买的湖北经视大厦新闻资迅演播室、播出及总控机房全面投入使用,以对原有设备进行升级。这次中标的LUMA产品包括刚刚在国内市场推出的LMD-1410、LMD-1420、LMD-2020、LMD-170,LMD-150数款产品,它们将一体式设计灵活便捷的使用模式与卓越的图像质量进行了完美结合。不仅具有出色的画面表现和色彩还原… 相似文献
17.
互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器是集成电路的基本单元,其开关时间影响集成电路的传输延迟。文章针对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS)的宽长比对CMOS反相器开关时间tr和tf的影响,分析N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)和P沟道耗尽型场效应晶体管(PMOS)宽长比对开关时间的影响,通过多次模拟分析,得出对称开关时间对宽长比的要求。 相似文献
18.
19.
《电子工业专用设备》1997,(4)
半导体工业的里程碑半导体工业的里程碑(贝尔实验室1947年世界上第一个晶体管诞生(贝尔实验室)1948年贝尔实验室申请晶体管专利1951年德克萨斯仪器公司成立1954年第一个硅晶体管诞生(TI公司)第一个晶体管收音机问世(TI公司)1958年第一枚硅... 相似文献