碳包覆硫化锑纳米棒的制备及其储钠研究

以三氯化锑(SbCl3)和九水硫化钠(Na2S·9 H2O)为原料,以聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,以乙二醇为辅助溶剂,在200℃温度条件下,采用溶剂热法成功制备了一维直径为80～190 nm,长度约为40μm的Sb2S3纳米棒材料,并对该合成材料进行碳包覆.将该合成材料作为钠离子电池负极材料时,表现出优异的储钠性能.对于Sb2S3/C电极,在电流密度为200 mA/g时,首次放电比容量为1019.2 mAh/g,循环50次后,比容量保持在566.8 mAh/g,当电流密度提高为500 mA/g时,循环100次后,比容量保持在480.4 mAh/g.     

纳米类仙人球状MnO2的合成与超级电容器性能

通过简单的化学法首次合成了均一的α-MnO2类仙人球状纳米球.通过X射线衍射分析(XRD),扫描电镜(SEM)和热重分析(TG)对产品进行了表征.XRD结果显示产品是无定形α-MnO2. SEM测试表明产品为纳米类仙人球形貌.合成产品的最佳制备条件为:反应温度60℃,反应时间3h,KMnO4和H2C2O4配比是2∶3.把产品在400℃下恒温热处理2h后,比电容高达265 F/g.这可能归因于它有着独一无二的类仙人球状纳米结构.     

温差电材料Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3双掺杂调控及热电性能研究

采用真空熔炼及热压方法制备Ga和Na共掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。利用X射线衍射(XRD)技术对样品的物相结构进行了表征。在300~500K测量温度范围内,共掺杂样品的Seebeck系数均低于Bi0.5Sb1.5Te3的Seebeck系数,并随着Ga掺杂量的增加,Seebeck系数逐渐减小。共掺杂使样品的载流子浓度增加,从而有效地提高了材料的电导率。所有共掺杂样品的热导率都大于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在Na掺杂浓度不变的情况下,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率逐步增加,Na0.04Bi0.5Sb1.46-xGaxTe3(x=0.12)样品具有高电导率的同时,Seebeck系数和热导率的损失不是很大,材料的热电性能得到了改善,在300~475K测量温度范围内的热电性能优值与Bi0.5Sb1.5Te3相比较均有所提高,325K时的最大ZT值为1.4。     

纳米磁性Mn3O4粉末的溶剂热法合成及表征

以MnO2为主要原料,应用溶剂热法合成了纳米磁性Mn3O4粉体.研究和讨论了反应温度、填充度、溶剂种类、降温速率对产物性能的影响,得到溶剂热法制备纳米磁性Mn3O4的最佳条件.产物经XRD表征为单一相Mn3O4,经粒度分析仪及透射电镜(TEM)检测,为四方晶型,平均粒径为55nm.     

锂离子电池用锑基负极材料的研究进展

综述了锂离子电池用锑(Sb)基负极,包括Sb基合金负极和Sb基/碳复合负极的研究进展.针对各种Sb基合金负极,重点介绍了材料组成、合成方法、电化学反应机理等对电化学性能的影响;针对Sb基/碳复合材料,介绍了不同制备方法、合金与碳的配比以及碳质材料的类型等对电化学性能的影响.     

Sb_2S_3/TiO_2纳米棒的构筑及其在杂化太阳电池中的应用

采用水热法在FTO导电玻璃基底上,制备了一维有序的TiO_2纳米棒阵列。采用化学浴沉积方法在TiO_2纳米棒有序阵列上沉积Sb_2S_3纳米粒子,形成壳核式Sb_2S_3/TiO_2复合纳米棒阵列结构。通过控制化学浴的沉积时间,可以得到不同厚度Sb_2S_3纳米粒子壳层。通过电子扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)、以及紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis DRS)等对样品形貌、结构组成以及光性能进行了测定和分析。最终基于P3HT/Sb_2S_3(3 h)/TiO_2为光电极所组装的杂化太阳电池能量转换效率最高,获得了1.15%的能量转换效率。     

原位复合法制备纸质磁性材料研究

采用原位复合法制备磁性纳米复合纤维,利用造纸工艺抄造成磁性纸张.考察了二价铁离子(Fe2 )浓度、聚乙烯亚胺(PEI)助剂的用量、反应温度、熟化时间及搅拌速度等因素对磁性粒子(Fe3O4)填充量的影响.采用X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对磁性纸张的结构及性能进行表征.实验结果表明,合成的磁性粒子为Fe3O4,并成功地沉淀在纤维上.通过实验可确定出最佳制备工艺条件:Fe2 浓度为0.06mol/L、PEI与纤维质量比为2%、反应温度为60℃、熟化时间为60min、搅拌速度为1000r/min.磁性能测试结果表明制备的磁性纸张具有超顺磁性.     

机器人铅酸电池材料组织转变及电化学行为

通过对比实验方法研究了机器人铅酸电池Pb-Sb合金的胞/枝晶转变和电化学行为。采用EIS、极化曲线和等效电路分析研究了定向水冷凝固系统制备Pb-2.2%(质量分数)Sb合金试样在室温条件下H_2SO_4溶液中的腐蚀抗性。研究结果表明,胞状组织Pb-2.2%(质量分数)Sb电流密度为树枝晶组织的1/3。Pb-2.2%(质量分数)Sb合金比Pb-1%(质量分数)Sb和Pb-6.6%(质量分数)Sb合金的电流密度低,具有作为铅酸电池正极格栅的应用潜力。低冷却速率(0.6℃/s)的传统铸造工艺可获得粗的胞晶间距,从而获得良好的电化学腐蚀抗性,适用于制备Pb-2.2%(质量分数)Sb合金格栅。     

添加元素对Ag-Sn系合金粉末氧化性能的影响研究

采用预合金粉末内氧化法探索了金属元素(Sb,La,In)对Ag-sn系合金粉末的氧化行为,进而研究不同内氧化工艺下,含不同添加剂(Sb2O3, 3,La2O3, In2O3)C对Ag-Sn系电接触材料氧化性能的影响.结果表明,添加La的Ag-sn合金粉末的氧化物弥散均匀分布在银基体上,添加Sb的Ag-Sn合金粉末的氧化物主要聚集在粉末的颗粒边界上.     

不锈钢与金基体上电沉积Bi2Te3-ySey薄膜

采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。通过环境扫描电子显微镜(ESEM)、能量散射光谱(EDS)、X射线衍射光谱法(XRD)等方法,研究了不同基体对Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜形貌、组成及结构的影响。结果表明,在含有Bi3 、HTeO2 和Se4 的溶液中,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。以金为基体电沉积的Bi2Te3-ySey薄膜的表面较平整、致密。在-0.04V沉积电位下,以不锈钢和金为基体电沉积Bi2Te3-ySey薄膜组成分别为Bi2Te2.39Se0.77和Bi2Te2.45Se0.85,且在不锈钢上电沉积制备的Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数更高,为-60mV/K。     

GROWTH OF Ge-DOPED Sb2Te3 THIN FILMS BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

ABSTRACT

Thin films based on Ge–Sb–Te are the most popular material for non-volatile phase change memory, because this material is more stable in the over-write than other chalcogenide alloy. We fabricated the Ge-doped Sb₂Te₃ rhombohedral thin films by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with bubbler type systems for the nonvolatile PCRAM applications and also expected the effects of ratio of respective precusors pressure. In spite of the different Ge bubbler temperature, all thin films have same crystallinity of Sb₂Te₃ phase, which has c-axis orientation perpendicular to the substrates. Even though ratio of relative Ge vapor pressure (%) increases up to 63%, amount of Ge in the films is only about 0.4%. We concluded that reaction between Sb and Te are dominant than other reaction such as Ge–Te or Ge–Sb in current conditions. Also, to improve the reaction of Ge elements in the chamber, controlling amount of Ge precursors may be needed delicately. These results suggest that Ge–Sb–Te thin films can be deposited by metal organic CVD for phase change memory applications.     

Bi2Te3基温差发电组件的热应力和结构参数选择

温差电材料性能决定了温差发电组件(TEM)的发电功率及转换效率,而在使用过程中由于环境因素的影响,对其机械性能也提出了一定的要求.热压法制备的Bi2Te3基温差电材料密度和强度均有提高,缓解了区熔法制备的Bi2Te3基温差电材料在平行于晶体方向上易发生解理破坏的问题,但还不能完全避免.通过分析Bi2Te3基温差电材料沿...     

Bi-Te基热电材料的研究进展

在阐述Bi2Te3基本特性的基础上，分别介绍了掺杂Se、TeI4、RE、SiC对BiTe材料热电性能的影响；介绍了BiTe基合金的制备技术。通过结构的优化、组分的调整及制备技术的改进，可以进一步提高材料的热电性能。     

基于大孔炭电极的锂离子电池制备及性能

以新型SiO2大孔材料为载体,采用原位聚合及真空热解的方法制备出大孔径C/SiO2导电材料,以其为基体经SbCl3原位水解和高温重结晶得到三维大孔结构的C/SiO2/Sb2O3(crystal)复合材料.通过热重分析、X射线衍射、扫描电镜、充放电和交流阻抗等多种方法对C/SiO2/Sb2O3的结构和相应锂离子电池的性能...     

制备工艺对AgSnO_2(6.32)Sb_2O_3(3.69)触头材料组织与性能的影响

分别采用内氧化-粉末热挤压工艺和内氧化-热锻工艺制备了AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)触头材料,研究了制备工艺对AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)材料组织与性能的影响。结果表明:内氧化-粉末热挤压工艺制备的AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)材料组织分布的均匀性及其相对密度、硬度和导电率均优于内氧化-热锻工艺相同组分材料。     

Correlation between electrical properties and crystalline phases for ZnO-Bi2O3 based varistor ceramics with rare earth additives

In this study, the correlation between the electrical properties and crystalline phases of ZnO-Bi₂O₃ based varistor ceramics with rare earth additives was investigated. The additives used were in the form R₂O₃, where R represents Eu, Ho, Y, Er, Yb, or Lu. It was found that the incorporation of rare earth additives led to an increase in the varistor voltage in the nonlinear region, an increase in the leakage current in the pre-breakdown region, and a reduction in the limiting voltage in the upturn region. In the sample with added Y₂O₃, a phase referred to as the R-phase, which contained Y, Bi, Sb, Zn, Mn, and O, was observed to be homogeneously distributed at ZnO grain boundaries. X-ray diffraction analysis revealed that the amount of the Zn-Sb-O spinel and Bi-Cr-O phases present was reduced by the rare earth addition, and that rare earth elements were incorporated into a common crystalline phase. It is suggested that the formation of the R-phase at ZnO grain boundaries and the reduction in the Bi₂O₃ liquid phase during the sintering process might be responsible for suppressing ZnO grain growth, thus leading to an increase in the varistor voltage.     

CuO基多金属氧化物复合陶瓷的制备及电性质

用硝酸盐热分解方法制备的以ＣｕＯ为主体含１３种金属氧化物的系列复合陶瓷，室温下的电阻率与组成及烧结时间有明显的相关性．当组成（ＣＵ：Ｃａ：Ｓｒ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃｅ：Ｌａ：Ｓｂ：Ｆｅ：Ｚｎ：Ｔｉ：Ｃｒ）为３：２：２：２：１：１：０．２０：０．６０：０．２５：０．５０：０．５０：０．２５：０．７５（ｍｏｌ：ｍｏｌ）时，陶瓷具有良好的绝缘性能．