国外半导体器件可靠性基本概念及试验方法(上)

一、引言按照伟大领袖毛主席“洋为中用”的教导,几年来收集了国外有关半导体器件可靠性基本理论问题及试验方法,现整理写出。半导体器件自问世以来,是随着器件可靠性问题逐渐的解决,而不断发展起来的。根据国外有关资料和报导,经整理写出半导体器件稳定性及可靠性的重要性及其意义;简明介绍可靠性问题的几个基本概念,用概率论和数学统计的方法,对有关抽样的基本     

半导体器件可靠性试验的计算机控制

介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程，详细探讨了系统控制原理和软件设计思想，给出了主要程序框图及测试实例，说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。     

国外微波半导体器件的应用(一)

<正> 一、概况自60年代以来,由于无线电技术、自动控制及国防军事科学的发展,促进了微波半导体器件的发展。20年来,微波半导体器件发展非常迅速。初期,微波器件只有点接触式检波器,而目前商用的产品已有包括截止频率高达若干GHz的GaAs检波器,直至在1GHz下连续功率输出几十瓦的双极晶体管。迄今,微波器件已成为半导体领域的一个重要分支,各种高性能的器件相继出现,并开始应用到各种电子设备中。由于微波半导体器件具有小型、轻量、耗电省和可靠性高等优点,因而在军事、工业、农业和科学等各个方面都得到广泛应用。卫星运行、天空飞机翱翔、地面雷达运转、微波中继通信……,凡此种种,都离不开微     

国外微波半导体器件的应用(二)

<正> 四、民用微波半导体器件的民用有着极其广阔的领域,这里仅举几例,只能略见一斑,难见其应用的全貌。 1.海缆通信海缆通信近年来有很大发展。信号在电缆上传送时有一定损耗。为了补偿这种损耗,就需要用增音器,增音器是一个宽频带放大器,它以一定的间隔插入海底电缆。在这种宽频带放大器中必须采用微波晶体管。例如,六十年代以来,英国曾多次在英-美两国和英国-加拿大之间敷设多路通信用的海底电缆。在电缆增音器中的负反馈式宽频带放大器,采用了PO-     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。     

国外半导体器件耐辐射试验综述

伟大领袖毛主席教导我们:“……特别要反对以原子弹为武器的侵略战争!如果这种战争发生,全世界人民就应以革命战争消灭侵略战争,从现在起就要有所准备!”根据当前核动力、核武器以及空间技术的发展,国外对半导体抗辐射问题已作了大量研究,对各种电子元、器件特别是半导体器件和集成电路的损伤情况、衰变规律以及损伤分析,已有了一个初步认识。同时在改进措施上也取得一定的进展。为了彻底打破苏美两霸的核讹诈和核垄断,我们不仅要进行必要的热核试验,同时也要研究耐辐射的电子元、     

半导体器件可靠性估算的序列试验法

器件的失效率λ可用阿里尼乌斯方程λ=Ae~(-E/KT)决定。器件所能承受的热循环次数也可认为是服从指数模型N=φe~(aT)的。利用这些模型获得了热疲劳寿命试验的序列法。此法利用数学方程获得了平均无故障时间(MTBF)相对于热循环次数的退化率δ=Pexp[p△T (q/T)]。换句话说,预热循环能使器件的MTBF减少。     

半导体器件在潮湿环境中的可靠性试验

研究湿度对半导体器件可靠性的影响主要目的有二个：强调湿度作为环境应力因素在失效过程所起的作用，以及模拟可靠性与湿度的相互关系，故而对两种塑料封装的半导体器件（光电子电路和集成电路）进行了一系列试验，以便从某一湿度和温度中测得的可靠性数据与从同一温度而湿度较低时测得的可靠性数据相比较，当进行特殊失效机理分析时，环境应力因素湿度的作用就显而易见了，试验数据也证实了原始模型；广义的阿列尼厄斯关系式。该模     

半导体器件的加速试验方法

持续努力提高元器件及材料可靠性的结果，诞生了许多的高可靠性产品。由此减少了故障发生的机会，而具体作可靠性评价试验则需要很长时间。人们希望进行更短时间获得有效结果的评价试验，即加速试验。但是所谓加速试验并非单纯加强应力缩短时间即可，同时它也不是全能的试验。理解了这一     

可靠性问题讲座——第三讲 可靠性试验(下)

(3)加速寿命试验长期寿命试验方法需要很长的时间,统计寿命试验方法需要大量的样品,这两种方法都有其优点和缺点,多年以来人们就想寻找一种多快好省的试验方法来解决这个矛盾。经过人们的长期实践,终于     

半导体器件应用中的可靠性及失效分析

本统计分析了引起半导体器件失效的一些主要失效原因，阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用。     

半导体器件制造技术(八)

在半导体器件和集成电路中,需要应用多种金属薄膜和介质薄膜,金属膜用作器件内部电极的欧姆接触和延伸引出,集成电路各组元件之间的低电阻连接等。介质膜用作集成电路中多层布线的介质绝缘等。这些薄膜一般都采用真空淀积的方法制作。因为此淀积过程在真空中进行,可以得到器件所需要的高纯膜,也可避免器件表面被沾污。同时,淀积可以在低温下实现,因此,淀积过程不至引起器件内部结构的变化。一般地说,真空淀积可分成蒸发和溅射两种不同的方法。     

超高速化合物半导体器件(6)

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用.     

应用工艺性及互联可靠性定型试验(待续)

经过工艺性摸底试验后,各厂家根据试验的结果,针对存在的差距和各自的问题,在原有焊膏样品的基础上对产品配方和生产工艺过程进行了反复的改善和内部测试.以各国内厂家改善后的焊膏样品为对象,模拟正常的SMT生产工序,对试验板进行印刷、贴片和回流焊接.通过SPI和AOI数据以及外观和X-ray的检查结果,评估各种焊膏的生产工艺性...     

半导体器件制造技术(九)

十一、装架工艺装架工艺实际上是一个装配性质的工艺。它的任务是把带有数十个、数百个到上千个管芯(电路)的大硅片切割成只有单个管芯(电路)的小硅片;并挑出性能好的管芯(电路)装配到底盘上,使管芯和底盘之间有一个良好的欧姆接触和一个很好的散热通路。整个装架工艺步骤可分为管芯(电路)测试、划片、烧结、引线键合四步。装架工艺的质量直接和器件的稳定性和可靠性相联系,为了确保器件的稳定性、可靠性,装架工艺的质量问题要充分地重视。     

应用工艺性及互联可靠性定型试验(续完)

经过工艺性摸底试验后,各厂家根据试验的结果,针对存在的差距和各自的问题,在原有焊膏样品的基础上对产品配方和生产工艺过程进行了反复的改善和内部测试.以各国内厂家改善后的焊膏样品为对象,模拟正常的SMT生产工序,对试验板进行印刷、贴片和回流焊接.通过SPI和AOI数据以及外观和X-ray的检查结果,评估各种焊膏的生产工艺性...     

半导体器件制造技术(十一)

十三、器件测试采用前述各步工艺制作一个半导体器件之后,如何知道它们质量的好坏呢?这就要通过对器件的电参数测试反映出来,器件的测试是器件制造中必不可少的很重要的一个步骤。随着半导体技术的发展,半导体器件的品种日益繁多,因此不可能在本节中对所有这些器件的电参数测试都一一说到。然而从所有半导体器件的使用角度来看,都不外乎放大(低噪声放大和功率放大等)、振荡和开关等主要应用,而晶体管在这些应用领域中都占有重要的地位,     

半导体器件制造技术(十)

十二、封装工艺半导体器件封装的目的,主要是保护管芯,使其稳定、可靠地工作。因此,对于封装的基本要求是: 1.结构简单并坚固; 2.稳定性、可靠性高; 3.封装温度不影响器件性能; 4.成本低。根据器件(或电路)的需要,满足这些要求的封装方法很多,诸如金属封装、塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装等。本文仅就在器件(或电路)中得到广泛应用的金属封装和塑料封装