半导体材料的新发展

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

半导体材料的新发展

近来，半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外延材料，并研究它们的特殊性能，本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率

提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率,研究了测量的原理和方法．对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释     

用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率

提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率,研究了测量的原理和方法。对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释。     

FT─IR技术在半导体材料中的应用

介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。     

半导体激光器与新材料

介绍了半导体激光器和半导体光电材料研究的新进展。     

半导体低维材料中的超快速激光光谱研究进展

文章结合作者近年来的工作，评述了半导体低维材料中的超快速激光光谱研究的近期进展，介绍了超快光谱研究半导体低维材料的原理，讨论了一些有待解决的问题。     

现代科学的奇迹——半导体技术

文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历史,介绍了晶体管、集成电路、功率半导体器件以及半导体材料的研发过程和当前的水平,并展望21世纪初半导体技术的方向以及在信息社会中将起的作用。     

半导体材料的霍耳测量

利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。     

半导体制冷器的进展

半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点。目前３００Ｋ室温下优值系数Ｚ最高的半导体制冷材料是Ｐ型Ａｇ０．５８ＣＵ０．２９Ｔｉ０．９４Ｔｅ四元合金,２００－３００Ｋ普冷范围内三元Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３固溶体合仍然应用最广且性能优良,而２０－２００Ｋ低温下则是Ｂｉ－Ｓｂ合金热电性能最好,电臂材料是决定半导体制冷器性能的主要因素,但通过改进电臂结构,设计特殊的电臂联     

浅谈半导体电力电子器件的发展

本文简略回顾了半导体电力电子器件的发展,介绍它的研制及生产现状,并探讨了发展方向。     

短波长半导体激光器开发动向

对ＧａＮ系和ＺｎＳｅ系两类主要材料制备蓝绿光激光器方面的问题和发展动向作了介绍。     

半导体材料加工过程的化学方法应用

在半导体材料的加工过程中,很多重要步骤都涉及到了化学作用,讨论了半导体材料加工过程中化学缓蚀、化学机械抛光和清洗步骤的化学作用原理,介绍了从化学角度分析和优化半导体加工工艺的观点。