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介绍了陶瓷金属化涂料的工艺路线,原料路线,原料配比,产品主要技术指标,该涂料附着力强,光泽度好,硬度高,保色、保光、抗化学品与抗水性良好。 相似文献
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通过分析不同检测方法、不同断面状态的金属化陶瓷抗拉强度检测结果,探讨影响抗拉强度检测结果的因素,及如何根据抗拉强度检测结果对产品的质量做出较为合理的判定。 相似文献
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陶瓷金属化厚度及其均匀性 总被引:4,自引:0,他引:4
本文叙述了金属化层厚度及其均匀性的重要性,不同的陶瓷和不同的金属化配方应具有不同的厚度。试验表明:丝网套印法比手工笔涂具有许多优点,应在生产技术中推广应用。 相似文献
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微电子技术中基板的金属化是为安装IC芯片和布线,应用较广泛的金属化方法是厚膜技术。厚膜金属化是一个复杂的物理化学过程,厚的附着主要通过玻璃结合和反应结合两种方法来实现,要提高厚膜的附着力和电性能等。必须考虑化学反应的热力学,选择合适的导体浆料,主要是玻璃料和活性粘合剂,有效地控制金属化层与陶瓷的界面,玻璃结合与反应结合是提高厚膜质量的有效手段。 相似文献
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陶瓷金属化釉面发黑原因探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
目前,国内灭弧室生产厂家对陶瓷外壳提出了上釉的要求。上釉的陶瓷管壳不仅影响真空开关管的电气性能,而且影响真空开关管的外观质量。因此,陶瓷管壳的外观质量也是判定金属化瓷件合格的一个重要因素。 相似文献
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研究了碳化硅(SiC)陶瓷表面铬金属化机理及SiC-SiC和SiC-Cu的封接技术。SiC在1000—1250℃真空环境中表面铬金属化,然后利用铜基合金钎焊封接.8iC—SiC封接体的室温四点抗弯强度平均值为103MPa,最大值140MPa。 对接合界面结构的研究发现Cr扩散入SiC基体并在界面处存在着反应层Cr_3C_2,同时si逸失。在SiC与金属Cr之间形成Cr_3C_2,表明SiC的封接是可行的。 相似文献
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本文采用X射线荧光分析仪、X射线衍射仪、光学显微镜、扫描电镜等仪器分析方法对美国96%氧化铝陶瓷的显微结构、金属化技术,做了初步的分析探讨,讨论了显微结构与其金属化技术有关的问题。 相似文献
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氮化铝瓷金属化方法研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文综述了氮化铝瓷表面金属化技术的进展,金属化的主要方法及其基本原理,比较了各种方法的优缺点及应用方面的差异,并扼要阐述了金属化机理。 相似文献
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俄罗斯陶瓷金属化封接技术的现状 总被引:3,自引:0,他引:3
详细介绍了当前俄罗斯的实用陶瓷-金属封接技术,特别是系统地叙述了它的金属化配方、工艺和设备。与欧美相比较,俄国尤其在金属化组分上很有特色,对目前我国在追求低温和中温金属化技术上值得借鉴。 相似文献
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本文研究了陶瓷金属化玻璃相迁移的全过程,得出了在金属化时,Mo表面微氧化,而Mn是整体全氧化的结论。迁移过程终了,金属化层中玻璃相与距离过渡层200μm之内陶瓷中之玻璃相的组成基本一致。 相似文献
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本文提出了目前真空电子陶瓷行业常用的两种检测设备测定陶瓷金属化层厚度是有差异的,阐明了当测量数据差异比较大时,应当以扫描电子显微镜的检测结果为准.本文以实际检测数据为基础,确定了在某一种特定条件下,采用荧光测厚仪和扫描电子显微镜测定陶瓷金属化层厚度的修正系数. 相似文献