新型电力电子器件及其应用

1988年国家科委组织了“电力电子技术发展战略研究”(以下简称“战略研究”),随后,电力电子作为一项高新技术及其对促进工业技术进步所起的重要作用得到了普遍承认,并分别列为国家“八五”重点科技攻关项目及九十年代我国经济发展的关键技术和节能     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

微波铁氧体器件的控制及其应用

阐述了微波铁氧体器件在现代雷达中所起的重要作用,从外加磁场的角度对微波铁氧体器件进行了分类,对各种器件的控制方式进行了讨论,介绍了微电子技术在相控阵雷达中的应用。最后,对器件及电路的发展趋势进行了分析。     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发，在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时，讨论了从微电子到纳电子的演变本质；同时指出，信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性，最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测。     

BiCMOS器件应用前景及其发展趋势

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度，综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平，并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果，讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。     

碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展

评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力,还在于能大幅度降低器件的功率损耗,使电力电子技术的节能优势得以更加充分地发挥.针对碳化硅材料的特殊性和实现碳化硅器件卓越性能的需要,分析了器件工艺当前亟待解决的问题.     

碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展

评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力,还在于能大幅度降低器件的功率损耗,使电力电子技术的节能优势得以更加充分地发挥.针对碳化硅材料的特殊性和实现碳化硅器件卓越性能的需要,分析了器件工艺当前亟待解决的问题.     

微电子工艺模拟及器件分析的CA方法研究进展

综述了用于微电子工艺模拟和器件分析的元胞自动机（CA）方法的研究进展，分析了现有CA方法的优势，并比较了CA方法与其它方法的优缺点。在此基础上，展望了微电子工艺模拟及器件分析的CA方法的发展前景。对研究采用CA方法模拟微电子加工工艺和进行微电子器件分析具有参考意义。     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测.     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测.     

现代电力电子器件及其应用

按美国IEEE电力电子学会的定义,电力电子技术是“有效地使用电子半导体器件,应用电路和设计理论以及分析开发工具,实现对电能的高效能变换和控制的一门技术,它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换”。因此电力电子技术包括     

最小的便携式消费电子产品用逻辑器件

TI公司新推出的能够将其SC-70逻辑器件封装的体积减小70％的NanoStar封装技术将使消费用便携式电子产品从中获益。利用它,制造商们将能够在提高     

Si1—xGex合金半导体及其应用

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广阔和应用价值。     

电子镇流器用新型功率开关器件

荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。在一些高压高速电子线路中作为开关使用的晶体