光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用

本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。     

用聚酰亚胺厚膜覆膜的挠性印制电路

对挠性印制电路覆膜是一种特有的工艺,是用绝缘材料包覆在已腐蚀的半成品挠性电路板表面的过程。对刚性印制电路板制造者来说,它所要求的工艺,是个生疏的工艺过程。在覆膜过程中,了解产生的物理过程,即影响粘接剂流向焊盘和影响可焊性,是非常重要的。就挠性电路而言,对制造者在确定工艺条件及要求控制的铜箔/聚酰亚胺涂层结构厚度和层压材料成为可能。这些结构厚度用3密耳和5密耳     

PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用

我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3％)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.     

BSOB键合互连在厚膜混合电路中的应用研究

在厚膜混合IC的基板键合区中,存在玻璃相残留、平整性差、沾污等问题。采用常规安全成球(BBOS)工艺进行芯片与基板互联时,存在键合不粘、短线尾等异常问题。本研究采用先植球后打线(BSOB)键合工艺,消除了键合过程中的异常问题。对比了BSOB、BBOS两种方式的可靠性,研究了劈刀磨损对BSOB方式的可靠性影响。结果表明,BSOB方式在初始拉力和300 ℃/24 h后的拉力及过程能力指数(Cpk)均明显高于规范值,键合40万个点后,无明显变化。BSOB方式是一个键在另一个键上面形成的复合键合,满足GJB548规范要求。     

CVD金刚石膜制备方法及其应用

介绍了金刚石膜的应用和低压下化学汽相沉积金刚石膜的主要方法及其最新进展,并对各种方法的优缺点作了简要评述。     

用ECR等离子体CVD沉积的氮化硅膜特性

本文研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体化学气相沉积(CVD)的氮化硅膜的性能与沉积条件之间的相互关系。通过控制流比(SiH_4/N_2)和总流率(SiH_4 N_2)而不管微波功率如何,可以使BHF(缓冲氟)蚀刻率减至最小。在上述条件下沉积的膜的折射率约为2.0。在SiH_4(10sccm)和N_2(10sccm)条件下沉积的薄膜,其电击穿强度大于8MV/cm,电容率(1MHz)为6.4—6.9,内应力大于7×10~9dyn/cm~2。通过控制沉积条件可成功地沉积压应力、张应力和无应力薄膜。本文还研究了退火膜的特性。退火温度直到～400℃时,內应力几乎不变,但超过～400℃时,便明显地转变为张力。     

纳米材料在电子互连中的应用

概述了纳米技术和纳米材料在电子领域的发展和研宄的情况,特别是纳米颗粒在介质材料、薄膜电路、电子封装underfill材料,同时还着重介绍了纳米技术在喷墨打印电路中的应用,超级喷墨打印技术和液电动态打印技术以及目前所能达到的技术水平。     

ATM在局域网互连中的应用

ＡＴＭ在局域网互连中的应用杨卫平ＡＴＭ具有灵活性强。适应性强。能有效利用资源。迅速增长带宽等显著特点。ＡＴＭ技术应用于局域网，不仅能提供ＬＡＮ跟用户间的高速交换通路，将现有网络速度提高１～２个数量级，还可为ＬＡＮ和采用ＡＴＭ技术的城域网（ＭＡＮ）、广...     

ATM在局域网互连中的应用

0　引言尽管起初ＡＴＭ是被用做广域通信的转移机制 ,但由于ＡＴＭ具有灵活性强、适应性强、能有效利用资源、迅速增长带宽等显著特点。ＡＴＭ技术在局域网上也做为一种有效的手段来解决局域网结构若干技术问题 ,它不仅能提供ＬＡＮ跟用户间的高速交换通路 ,将现有网络速度提高 1- 2个数量级 ,还可为ＬＡＮ和采用ＡＴＭ技术的城域网 (ＭＡＮ)、广域网 (ＷＡＮ)提供无缝连接。1　ＡＴＭ仿真局域网允许现有ＬＡＮ的用户和其它ＬＡＮ用户以及ＡＴＭ网上的服务器、路由器、网桥等实现互通、互连及互操作 ,原有ＬＡＮ终端的硬件和软件无需做任何…     

聚酰亚胺在专用IC中的应用

本文介绍了聚酰亚胺的主要工艺性能和在专用IC中的应用,如表面钝化,多层布线层间介质和金属化剥离材料等。     

TEOS减压CVD膜形成中的加水效果

一、前言近年来，在各种各样的股形成工序中，底摸台阶一直在逐渐增大。例如，在DRAM中，随着微细化而作为电容电极的存储结（SN），相对于社底表面方向（横向）被缩小，但是，为了确保静电电容，在与衬底垂直方向（纵向）上必须形成三维的SN而借以补偿电容面积，作为三维式的SN形状，目前虽然有深为道式和圆筒式等等，但无论那一种，随着微细化的进展，其台阶将变得越来越陡峭。在川电极工序之前的层间绝缘膜很成过程中，必须有使台阶平坦化的技术，但对电容器膜等，在台阶的某底膜处如何能够均匀地进行成膜（亦即保形），这是一个技术…     

聚酰亚胺材料在微电子工业中的应用

介绍了高纯度高性能聚酰亚胺材料在集成电路及微电子工业中的应用，包括α粒子的遮挡层膜、微电子器件的钝化层和缓冲内涂层、多层金属互联电路的层间介电材料和多芯片模块多层互联基板的介电材料和接点涂层膜。     

聚酰亚胺涂料在微细加工中的应用

阐述了聚酰亚胺涂料不同与常规材料的物理及化学特性,并利用其独特的性质将其应用在红外焦平面器件中的铟柱制备及微型金属杜瓦瓶用薄膜电缆制作中,通过实验解决了工艺中的难题,取得很好的效果.     

ANSYS在VLSI互连模拟中的应用

介绍了ＡＮＳＹＳ程序在ＶＬＳＩ互连几何最佳化设计中的初步应用,应用表明：ＡＮＳＹＳ的模拟精度高,图形显示功能强,应用ＡＮＳＹＳ自动寻优功能使延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。     

帧中继技术在网络互连中的应用

本文主要阐述了帧中继技术的基本原理，与Ｘ．２５技术的比较，用其技术实现局域网的互连。     

帧中继技术在局域网互连中的应用

帧中继是一种ＩＳＤＮ分组模式承载服务。它以其简单的网络／用户接口提供了良好的灵活性和较高的数据传输率。其结构特点适合于局域网的互连。讨论帧中继服务和它与网络互连有关的特征。提出通过中继实现局网互连的方法。     

聚酰亚胺材料在微电子工业中的应用

介绍了高纯度高性能聚酰亚胺材料在集成电路及微电子工业中的应用，包括α粒子的遮挡层膜、微电子器件的钝化层和缓冲内涂层，多层金属互联电路的层间介电材料和多芯片模块多层互联基板的介电材料和接点涂层膜。