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WZO薄膜生长及氧流量对其特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响。实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO薄膜的关键因素。WZO薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响。当氧气流量为2.08×10-7 m3/s时,WZO薄膜在400~1 500nm透过率达到84.5%,电阻率为4.61×10-3Ω.cm,迁移率为20.5cm2v-1s-1。XPS测试表明WZO薄膜中Zn和W均处于氧化态,其中W元素呈现W6+价态。 相似文献
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利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO:Zr薄膜性能的变化。Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO:Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度。氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO:Zr薄膜具有更高的载流子浓度。一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差。通过直接跃迁的模型得出ITO:Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带。共溅法制备的ITO:Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能。 相似文献
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利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化.Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度.氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度.一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差.通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能. 相似文献
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反应溅射TiO_2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了反应溅射沉积TiO2薄膜,得到TiO2薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气的流量,得到具有良好导电性能和一定吸收的特殊性能的TiO2薄膜。 相似文献
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《微纳电子技术》2019,(12):1005-1009
分别采用溶液法和磁控溅射法制备了TiO_2薄膜。其中对采用磁控溅射法制备的样品进行了退火。用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌,表征结果发现,与溶液法制备的TiO_2薄膜相比,采用磁控溅射法制备的薄膜更加致密,表面粗糙度更低。X射线衍射(XRD)测试结果说明,溶液法制备的薄膜是多晶结构,而磁控溅射制备的薄膜是非晶结构,经过500℃退火后溅射的样品也只有一个(101)峰。在制备好的TiO_2薄膜上旋涂钙钛矿层,将其制备成太阳电池,并测试其光电性能。I-V曲线表明,采用磁控溅射法制备的TiO_2薄膜制备的电池具有更高的开路电压。 相似文献
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为了研究氧气对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响,用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锌掺铝(ZAO)薄膜,靶材为锌铝合金靶,并研究了薄膜的透光率跟氧氩流量比的关系以及同一氧氩流量比下薄膜光学性能随温度变化的规律.实验结果表明,200℃下氧氩流量比为135时有最佳的透光率.250℃下氧氩流量比为130时有最佳的透光率;300℃下氧氩流量比为115时有最佳的透光率.同一氧氩流量比125时,200℃下制备的ZAO薄膜有最佳的透光性.温度更高或者更低都导致薄膜的透光性能变差. 相似文献
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采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10~(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。 相似文献
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衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响 总被引:5,自引:2,他引:5
采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。 相似文献
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采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜.利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分,用光谱椭偏仪在300~850 nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究.实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用,而通过采用Tauc-Lorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数ψ和△进行拟合,得到了较为理想的拟合结果.薄膜的复折射率和透过率均由椭偏拟合结果确定,结果发现占空比的下降,导致了可见光范围内薄膜折射率和消光系数的降低以及透过率的提高. 相似文献
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基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9:1.运用分光光度计,四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析.计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质.实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值.薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高. 相似文献
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以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx
薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射
气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8∶25时,
经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx
薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时,单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。 相似文献