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主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响.试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V. 相似文献
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静电冲击(ESD)对电子设备的危害极大,欧洲从1996年就开始对电子设备抗静电冲击的能力制订了标准,未达标的产品在欧洲很难销售.半导体芯片制造商对ESD问题也倾注了很高的热情.对于那些与外界有接口的电路或芯片,如RS-232、RS-485串行接口、模拟开关等IC,ESD问题显得尤其重要.本文讨论ESD的来源、造成的危害和相应的防护措施,以及如何测试集成电路的防静电冲击能力. 相似文献
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郑秀峰 《卫星电视与宽带多媒体》2005,(20):63-64
东仕IDS—2000F数字机开关电源核心元件采用了荷兰飞利浦公司研制的低功耗、节能型“绿色”电源管理芯片TEA1523。TEA1523内部设有启动电路、逻辑电路、振荡器以及控制电路、激励电路、过压/过流/过热/欠压等各种保护电路,同时还具有独特的退磁保护和防静电保护功能。由TEA1523 相似文献
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本文主要从静电放电以及防静电原理出发,对薄膜混合集成电路防静电设计进行了研究,并且在静电放电仿真等方面进行了探索。 相似文献
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利用半导体PN结压降的固有温度特性,设计了一种可实现功率芯片结温检测控制的电路.在线路参数理论推导的基础上,给出了各元件的选取方法,以及检测元件与被测元件间的工艺实现方案.该电路可用于混合集成电路中功率芯片的结温检测,可产生过温保护电路所需要的触发信号,具有成本低、参数调整方便、检测点数扩展简单等特点. 相似文献
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《现代电子技术》2015,(24):128-131
金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μm工艺设计并实现了一种新型ESD保护电路,其具有结构简单、占用芯片面积小、抗ESD能力强等特点。对电路的测试结果表明,相对于相同尺寸栅极接地结构ESD保护电路,新型ESD保护电路在降低35%芯片面积的同时,抗ESD击穿电压提升了32%,能够有效保护芯片内部电路免受ESD造成的损伤和降低ESD保护电路的成本。 相似文献