SOT23封装的串联电压基准

LT6654专门为在-40～＋125℃的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0．05％初始准确度、10×10^6温度漂移和仅为1．6×10^6的低频噪声。LT6654可在比输出仅高100mV的电源上工作,而且在电源电压高达36V时保持仅为5×10^-6／V的电压调节误差。其他特性：1．6×10^-6PP噪声（0．1～10HZ）;±10mA吸收和供应能力;100mV压差电压;电源电压高达36V;负载调节：8×10^-6／mA（最大值）;电压调节：5×10^-6／V（最大值）;现已提供2．5V电压版本。     

超小型SOT23-8封装的全新双路微功耗比较器

MAX90 75 / MAX90 77微功耗比较器仅需 3μA即可获得 5 40 ns的传输延迟。它工作于单电源 + 2 .1V至 + 5 .5 V,采用超小型封装 ,比业界其它任何微功耗比较器具有更优的速度 /功耗比 ,这对于各种便携式应用是非常理想的。这两款比较器还可提供满幅输出和地电平检测输入。单比较器 MAX90 75采用超小型的 SC70 - 5封装 (尺寸约占SOT2 3- 5的一半 ) ,双比较器 MAX90 77为节省空间的SOT2 3- 8封装超小型SOT23-8封装的全新双路微功耗比较器…     

SOT23封装电压监控器系列

带有LCD微控制器的ATmega169P和通用型微控制器ATmega165P采用了picoPower节能技术，具有16KB的闪存、512B的EEPROM和1KB SRAM，还配有ADC、USART、SPI和双线接口，能在1．8～5．5V的电源电压下运行，处理性能高达16MIPS,picoPower微控制器在工作模式下的电流为340μA，1MHz待机模式下为150μA，节能模式下为650nA，关闭模式下为100nA。     

SOT23系列产品MSL1封装工艺研究

近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速,尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要/关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素,寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验,最终确定了可以稳定通过MSL1的方案,其主要做法是:在粘片后采用分段烘烤,在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。     

GaAs单片电路封装

简述了微波在封装中的传输特性，以及不同封装型式和材料的ＧａＡｓＭＭＩＣ封装，介绍了多层共烧陶瓷在ＭＭＩＣ封装中的应用。最后，综述了国外ＧａＡｓＭＭＩＣ的最新封装与互连技术。     

德州仪器推出采用SOT23-6封装的全面、易用型数据采集系统

<正> 日前,德州仪器公司(TI)宣布推出业界唯一采用超小型SOT23-6封装、具有板上参考电压的16位delta-sigma模数转换器(ADC)。这种易用性极高的低价位数据采集系统来自TI Burr-Brown产品线,采用SOT23封装的该款delta-sigma ADC可提供业界最高的集成度与最佳性能。     

SOT82封装产品的研发和制造

文章介绍了SOT82封装产品研发历程以及在开发过程中出现的各种技术问题,通过原因分析并采取相应的措施,顺利地解决了这些问题。同时根据产品结构特点,在解决问题的同时给出了该产品大批量生产时的工艺条件、重点控制项目、方法、频度、设备的控制要点等,攻克了DVT热阻测试高、锡层厚度不稳定、脱口、载芯板变形、塑封体顶针角度偏移、塑封体段差不良等问题,顺利地实现了批量生产。装配后产品技术指示达到国际先进水平,产品质量稳定。     

精密单片视频绝对值变换器

应用局部正反馈方法设计了第一个精密视频绝对值变换器.用常规集成电路工艺试制的电路达到了6MHz的大信号带宽.输出信号2.5V_(p-p)时的线性精度为0.1％.     

新型SOT553/563封装尺寸更小巧,热特性更佳

为追求更小巧的半导体外形封装,往往需要在尺寸和性能之间作出折衷。但有些技术却能在外形尺寸缩小的同时兼顾性能,因而采用这种封装设计的新一代产品易于快速为市场接受。SOT553和SOT563封装就是这样的例子。兼备更小的印刷电路板占位面积和更低的高度这两大优点,SOT553和SOT563封装在各种对空间和重量要求极高的便携式设备和其他应用中广泛使用。     

英飞凌推出采用超小型SOT23封装的高精度、高能效TLE496x霍尔传感器

英飞凌科技股份公司推出了针对要求最高精度、最低能耗和最小空间的汽车和工业应用的霍尔传感器。全新TLE496x传感器提供全球最小的霍尔传感器封装(SOT23)。该产品以英飞凌开发的全新0.35μm工艺技术为基础。凭借这种全新技术,英     

面向便携设备的SOT883封装的高性能MOSFET

这些MOSFET采用SOT883封装,面积超小,仅为1．0mm×0．6mm。SOT883MOSFET针对众多应用而设计,包括DC／DC电源转换器模块、液晶电视电源以及手机和其他便携设备的负载开关。     

太赫兹功率放大单片封装技术研究

本文对太赫兹功率放大单片封装技术进行研究,主要包括波导-微带垂直过渡和模块内的模式谐振抑制技术.不同于常规的矩形探针平面过渡,本文提出了一种基于分叉探针的垂直过渡结构,适用于多层电路排布的系统/模块封装,并在WR-4波导频段（170～260 GHz）进行了背靠背结构的实验验证,在整个波导频带内,回波损耗优于16 dB,单个过渡的插入损耗约0.42 dB,这包括了波导模块接触不良造成的额外的损耗.为进一步降低过渡损耗,提出了一种开口谐振环结构,用来抑制不良接触导致的电磁泄漏,使过渡损耗降低为原来的一半.此外,为避免功率放大模块内部发生模式谐振,提出将电磁带隙结构设置在平面传输线的上腔来抑制高次模的激励、传输和谐振.应用上述技术对工作于210～230 GHz的功率放大单片进行封装及测试.在210 GHz,小信号增益达到最大值20.75 dB,单端封装损耗约0.8 dB;在217 GHz达到最大输出功率15.6 dBm,与芯片手册数据吻合较好.     

单片IC产生精密三角波

本文介绍如何用MAX9000配合几个无源器件实现单电源供电的三角波发生器.实现这一电路所需的有源器件包括:一个运放、一个比较器和一个电压基准,MAX9000刚好集成了这三个器件.