单次性脉冲磁场的测量原理及实现方法

单次性脉冲磁场在各种高能加速器中有着重要的应用。本文主要介绍单次性脉冲磁场波形、场型分布、磁场幅度绝对值的测量原理和实现方法。在场型分布测量中,着重介绍了误差的消除方法和利用微型计算机或单板机实现数字化测量。     

单次性脉冲磁场幅度跳动测量及其计算机测量系统

单次性脉冲磁场在各种高能加速器中有着重要的应用。其磁场波形、场型分布、磁场幅度绝对值的测量已经有过报导,本文继续介绍单次性脉冲磁场幅度跳动的测量及其计算机测量系统。在系统的工作原理部分,以软件硬件相结合的方式介绍了系统的工作原理,给出了测量结果。文章最后分析了测量误差,提出了减小误差,提高测量精度的方法,给出了系统精度。     

单次快脉冲大动态数字化采集系统设计

本文介绍了一种单次快脉冲大动态信号的采集方案。介绍了采集系统的构成,主要组件的原理和实现方法,最后对系统进行了测试。该系统能够实现动态范围100 dB,单通道采样率为1 Gs/s,模拟带宽为250 MHz,记录长度为64μs,具备计算机网络程控和数据处理存储。已经过长期考核,设备运行稳定可靠,设计符合GJB 3947A—2009三级设备要求。     

基于固态射频开关单次快脉冲分段测试系统

针对动态范围较大的单次快脉冲信号测试,提出了一种基于固态射频开关的分段测试思想,文中主要介绍了系统结构及电路调试时主要解决的技术问题。该系统可应用于高能物理实验快脉冲辐射测试中。     

双脉冲在单道脉冲幅度分析器中产生的误差分析

对各种双脉冲信号通过单道脉冲幅度分析器时可能产生的各种误差进行分析。给出各种双脉冲信号在单道中传输时各点的波形图。对各种双脉冲信号产生的误差对单道计数产生的影响进行分析。基于误差分析对单道使用时注意事项给出建议。     

脉冲时间幌动的测量

电子直线加速器对于脉冲电子束与脉冲微波包络同步的精确性要求是极其严格的。二者之间的任何过大的相对幌动都可能引起电子束能散度的增大,甚至于不能加速电子束。本测量的目的即是对加速器各仪器、各环节的脉冲间隔的相对时间幌动进行测量,以便了解每个环节对总的幌动起多大影响,并为改善该环节的幌动提供必要的测量手段。本     

低时间晃动的重复脉冲单次化门电路

一、前言在有些物理实验中,需要从一重复脉冲序列中取出一个脉冲以作分析、测试之用。在利用微微秒高速扫描相机(即ps相机)测量北京正负电子对撞机(BEPC)贮存环上同步辐射光脉冲的时间结构时,便遇到了这一问题。在贮存环中单束团电子作周期运动,产生周期的同步辐射光脉冲。ps相机的斜坡电压扫描速度约为1kV/ns的量级,因此相机的光输入端与扫描部分必须有很好的同步以使得每当扫描电路被触发开启时,正好有一光脉冲进入相机。所以作触发的脉冲信号实际上是     

超短脉冲激光单次SHG-FROG的测量

将实验室现有的二次谐波（SHG）单次自相关仪和光谱仪结合起来,搭建了单次SHG．FROG测量设备（图1）。其基本原理是首先将入射光脉冲分为两束,其中一束作为探测光,另一束作为开关光,并将开关光引入一时间延迟,再让两束光通过非线性介质产生相互作用.     

单次脉冲中子源方法测量瞬发中子衰减常数

瞬发中子衰减常数α是核系统的重要标志性特征参数,该值的准确测量对于核临界安全具有重要意义。本工作采用单次脉冲中子源的方法测量了某次临界核系统的瞬发中子衰减常数,获得了几种不同次临界状态下的瞬发中子衰减常数,测量结果与²⁵²Cf随机脉冲源法测量结果一致。     

CMOS器件的单粒子效应及其加固

概要综述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应，着重描述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应损伤机理，并介绍了抗单粒子效应的加固技术。     

单粒子效应模拟实验研究

单粒子效应是卫星抗辐射加固研究的主要对象之一。文章重点介绍了所建立的模拟实验测量系统、装置和研究方法，提出了二次翻转问题及其修正公式，以及器件的高能质子和１４ＭｅＶ中子单粒子效应的规律相似性，指出今后需重点研究的问题是高能质子及其与１４ＭｅＶ中子等效研究，及对单粒子效应的评估。     

用双振荡仪测量死时间和符合分辨时间

一、前言4πβ-γ符合,包括4πβ(PC)-γ符合、4πβ(PPC)-γ符合和4πβ(LS)-γ符合等是放射性核素活度计量学中最主要的测量方法,死时间和偶然符合的修正是两项重要的修正。由于放射性活度测量正向高计数率发展,因此,准确测量死时间和符合分辨时间对于     

脉冲法测量热扩散率中的非瞬时脉冲效应

一、前言脉冲法是测量固体材料热扩散率的一种重要方法。与稳态法相比,它有试样小、温域广、测量快及操作简便等优点,对放射性材料尤为适用。然而关于绝热和瞬时脉冲的假定在实验中往往不能完全满足,这给测量结果带入不可忽视的误差。R.D.Cowan经过理论分析提出了切实可行的热损失修正法。R.E.Taylor和R.C.Heckman分别建立了非瞬时脉冲修正程序。这两个程序有两个明显的缺点:(1)只适用于特定的三角形脉冲;(2)使用起来十分繁琐。本文用更合理近似的梯形脉冲,推导了试样背面温度响应的解析式,在实用的范围内建立了修正t_c(热扩散特征时间)的表达式,最后用纯铁和纯钽的实际     

利用统计均匀分布脉冲幅度谱产生器测试MCA的最大可测脉冲率

利用统计均匀分布脉冲幅度谱(RUPAS)产生器,研究了多道分析器(MCA)在高计数率工作条件下道址偏移和幅度分辨率改变的某些性质,测定了几种MCA的最大可测脉冲率。测量结果表明:对于给定的脉冲率与脉冲宽度,MCA的道址偏移Δm与随机脉冲幅度平均值E成正比,幅度分辨率Δδ的改变与E成非线性关系。在测试最大脉冲率v_(max)时,用道址相对偏移S,作为鉴别标准比用绝对偏移Δm更为合理。     

从单粒子效应的地面模拟评价兰州重离子加速器

宇航器件的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一，利用加速器的地面模拟是研究单粒子效应的主要手段。从单粒子效应模拟研究对加速器的基本要求出发，论证了兰州重离子加速器在单粒子效应研究中的重要地位。     

脉冲信号沿长电缆传输的研究

本文介绍脉冲在同轴电缆中传输的数学表达式和几种工程上实用的例子及其特点。并提出了系统消除干扰的几种办法。     

触发真空开关的特性及其在毫秒级脉冲系统中的应用

叙述了触发真空开关的截断电流和截断电流变化率特性的实验结果，其截断电流约为１０Ａ，其截断电流变化率约为６×１０８Ａ／ｓ，并对这种开关在毫秒级脉冲系统中的应用进行了讨论。     

IDT7164在^40Ar束流中的单粒子效应

在氩束流中，测试了ＩＤＴ７１６４芯片的单粒子事件翻转效应，记录了不同程序运行中的实验结果，由此计算了芯片的截面。     

利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨

讨论了利用重离子研究宇航半导体器件单粒子效应（ＳＥＥ）时应重视的几个问题，即空间辐射环境中的重离子，粒子辐射对半导体器件的影响和利用重离子束进行ＳＥＥ测试，以及重离子和质子在器件单粒子效应研究中的关系，最后介绍单粒子翻转重离子显微学。