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将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求,冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能,测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%,反向恢复电流减小了89.5%,反向恢复能量减小了99%,一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象,在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。 相似文献
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金刚石半导体器件的研究与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了金刚石半导体器件的发展现状与技术,对金刚石肖特基二极管双极器件和金刚石场效应管进行了较详细的分析。同时,讨论了该领域的未来研究趋向 相似文献
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文章首先概述了IGBT功率开关模块的发展动态,其次总结和比较了第二、第三以及第四代IGBT功率开关模块的各项技术性能参数,最后着重强调了IGBT的使用及使用中的几个关键性问题。 相似文献
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IGBT绝缘门极双极晶体管的门极驱动电路很多,分立式驱动电路既实用又经济,但要求达到预期的性能尚较困难,尤其是由于IGBT内寄生晶体管和寄生电容的存在,门极驱动与损坏时脉宽的关系(+V_G损坏时脉宽变窄)等原因,驱动电路的设计考虑门极信号受主电流的影响,这种影响将使负载短路波形变差。而驱动模块具有良好的驱动性能。下面简单介绍东芝公司生产的与本公司IGBT配套使用的TF1205、TF1206驱动模块和富士开发的IGBT驱动模块,以供国内设计和生产IGBT驱动模块时参考使用。 相似文献
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音响功率放大器的前级和后级常用场效应管或双极型晶体管(以下简称晶体管)对信号进行放大处理。我们知道采用场效应管作功率放大器,其重放的音乐温暖平衡,讨人喜欢。日本的金嗓子100A就是采用东芝产的K1529/J200场效应对管作输出。许多售价在三千元左右的国产功率放大器也常用这种对管。利用场效管易获得靓声已是不争的事实。下 相似文献
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本文报导一种用于长波长光纤通信的光接收模块。该模块由一个 InGaAs/InP PIN 光电二极管和硅双极晶体管组成。应用厚膜电路技术,将电路所用器件装在-10mm×15mm 的氧化铝基片上。尽管模块输入电容较大,但它却有高的响应速度。 相似文献
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基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管(SBD),所用4H-SiC外延材料厚度为35 μm、n型掺杂浓度为2× 1015cm-3.二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ· cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V.基于这种3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管,SiC肖特基二极管为模块的续流二极管.模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807 μC,反向恢复时间为41 ns.与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗. 相似文献
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研究了模块在开关状态的电流电压行为,观测到半桥阻态IGBT模块在导通瞬间发生了锁定效应,利用扫描电镜技术观察到典型类火山口烧毁,同时报道了试验结果和失效分析结果。 相似文献
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毫米波器件与电路技术 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了近来毫米波器件及电路的技术动向。异质结FET和HBT在InP系突现出优越的性能,在GaAs系已完全进入系统应用阶段。在此应用观点的影响下,相继开发成功了宽带无线通信系统和车载雷达用的CPWMMIC芯片以及倒装片封装模块。 相似文献