NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈

本文较为详细地分析了Eaton NV10-80大束流离子流入机离子源电路工作原理，包括ARC电压，灯丝电流，气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理，同时，又针对常用离子源故障解决作了剖析。由于Eaton NV10-80大束流离子注入机国内半导体厂家使用较为广泛，其它型号的离子注入机也可借鉴，本文有较高的实际指导意义。     

射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制

介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子柬辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。     

离子束流的稳定方法

在离子注入机、离子束蚀刻机、离子束镀膜机等离子束设备中,离子束流的稳定性是一个值得重视的问题。由于束流的不稳定,将会给器件加工及材料的分析研究带来一系列误差。所以对于离子束流稳定方法,尤其是长时间稳定方法的研究,引起了越来越多的关注。影响束流稳定的因素很多,如工作气体流量、阳极电压、灯丝电压、离子源栅极引出系统热变形等。但总的原则,不外乎是利用负反馈的办法,控制影响束流的某     

弗里曼离子源综述

弗里曼离子源至今已有30多年的历史,仍然是适用面最广、用得最多的一种离子源。由于它能够对大多数元素产生聚焦得很小、束流达毫安级的离子束,而且具有较宽的能量范围,因而成为人们普遍选用的一种离子源。就半导体离子注入的应用来说,该源具有性能好和操作简单等特点,因而被广泛地用作硅器件的掺杂。几十年来弗里曼离子源已成功地应用在离子注入机领域的许多方面,其中包括束流为毫安级的多种金属离子束的常规生产。本文将详细讨论离子束的产生方法,对灯丝寿命和离子源研究的最新进展及今后展望等也分别作了介绍。     

87D淀积技术

87D1 复合栅离子源的性能测试及进一步探讨陈兴一季一勤(航天部8358所) 离子源主要性能指标为:外型尺寸、工作真空度、有效束径、束流密度、束流不均匀度、束流能量、束入射角,连续工作时间。电源系统主要技术指标包括阳极电源、灯丝电源、栅极电源、中和器电源、耦合电源等。测试离子源性能时,距离子源枪口150mm垂直于轴线的平面上,放置φ1.2cm的法拉第检测筒。该筒沿平面作径向移动,在10kΩ电阻两端用DT-890型数字型万用表测量离子流通过     

多峰点静磁场浸没式微波离子源的性能

许多应用需要高束流,并且操作带有化学活性气体,这类应用影响了通常离子源中放电电极的寿命和工作要求。尽管研制了专门设计的热灯丝和空心阴极,处在放电区的这些电极仍然限制了离子源和等离子体源的实际用途。因此,研制一种有效的,简易的无电极放电在离子束和等离子体加工工艺中势必引起重要的进展。 最近,我们研制了一种无电极微波离子源和等离子体源。本文讨论了这种离子源的改进措施。这就是围绕放电区重新设计了许多紧密排列稀土磁铁。这些磁铁产生一个封闭的回旋共振多峰点静磁场。文中提供了这一“改良”离子源采用氩气的实验性能。并给出了在各种气体流量和工作压力下引出离子束流与加速电压、放电电子和离子密度等关系的实验测量结果。     

离子束刻蚀设备中离子源故障诊断和维修

介绍了离子束加工技术在半导体工艺中的应用以及离子束刻蚀机的真空和控制系统、Veeco直流栅极离子源及其电源MPS-5001的结构和工作原理、PBN中和器的原理和作用。介绍了离子源电源参数的调整技巧及需要注意的问题,在此基础上给出了离子源常见故障现象的原因及解决办法。     

离子注入机金属铝离子源的气源的优选

注铝离子注入机,是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,金属铝离子源直接影响了整机的性能指标,特别是PM周期和离子源寿命.为保证离子源的长寿命和铝离子大束流,针对金属铝离子源放电的辅助气源进行了一系列的研究和实验,包括铝离子产额、束流质谱、阴极使用寿命及污染导致的放电打火情况等,通过实验结果筛选出最佳的气源.     

LY-3A型离子源

LY—3A型—永磁冷阴极电子振荡型离子源,是我们在一九八八年研制的最新科研成果,该离子源具有低耗高效、长寿命、束流品质好、多电荷离子产额高、气耗小、工作稳定可靠、结构简单,小巧轻便、真空性能好、离化元素广泛等优点。是离子注入机、材料改性机、加速器等设备理想的离子源。     

50kW脉宽机黑灯丝热备的改造

我台原主机播出改做２００ｋＷＰＳＭ机的备机使用。鉴于备机在平时处于全灯丝电压热备状态,不仅耗电,有损电子管寿命,而且由于机器采用强制风冷,产生极大的室内噪音,影响值班人员对高周信号的监听。为此,我们尝试将其改造为黑灯丝热备,经近一年的试运行,工作状况...     

离子束辅助沉积薄膜工艺

阐述了离子源在离子束清洗和离子束辅助薄膜沉积（IAD）中的应用;根据热力学原理及离子碰撞过程分析,研究了离子束辅助沉积过程中的能量传递过程,建立了薄膜折射率与离子辅助沉积过程中各物理量之间的关系模型;探讨了各种工艺条件对离子束辅助沉积薄膜特性的影响,给出了薄膜材料无结晶条件下离子束辅助沉积薄膜工艺选择的相应准则。     

特种高压器件离子光学系统的计算

特种高压器件主要由离子源、加速系统、靶子等组成,是一种微型加速器。特种高压器件的离子光学系统对特种高压器件的特性影响很大,因此离子光学系统的计算对于特种高压器件的设计具有重要意义。本文从束流光学出发,对特种高压器件的静电场和束包络的解析公式进行了推导和计算;同时利用基于PIC的粒子模拟程序对束流的传输过程进行了数值计算,结果表明两种方法得到的束斑大小吻合较好。     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

多孔钨铯离子源

在光电阴极的制备及对光电阴极作表面分析中,铯离子源较中性铯源具有一定的优点。根据表面电离的原理,铯离子源使用了多孔钨、铯盐及其还原剂。本文介绍了铯离子源的制备,报告了实际测量结果。     

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2绝缘层的去除方法,并对这两种方法进行了比较,给出了各自的优缺点。     

潘宁离子源中电磁场和气压对氢气电离的影响

分析了冷阴极潘宁离子源中氢的碰撞电离过程，定性讨论了电磁场强弱、压强大小对氢电离的影响，并阐述了电极材料的特性及选用方法，可为设计小型潘宁离子源部件提供参考依据，对提高潘宁离子源工作稳定性具有一定的实际意义。     

Self-aligned GaAs MISFET's with a low-temperature-grown GaAs gateinsulator

GaAs MISFET's with a low-temperature-grown (LTG) GaAs gate insulator and ion-implanted self-aligned source and drain n⁺ regions are demonstrated. The resistivity and breakdown field of the LTG GaAs insulator were not changed appreciably by implantation and 800°C activation annealing. The gate leakage current remained very low at a value of approximately 1 μA per μm² of gate area at 3 V forward gate bias. Because of the reduced source and drain resistance, the drain saturation current and the transconductance of self-aligned MISFET's increased more than twofold after ion implantation     

宽束矩形冷阴极潘宁离子源研究

根据大面积离子束辅助沉积MgO薄膜的需要，本文研究了具有并行阳极结构的宽束矩形冷阴极潘宁离子源。在简要说明冷阴极潘宁离子源基本原理的基础上，分析了在设计宽束矩形的离子源中主要考虑的问题，并给出初步的实验结果。