微机半导体高频C—V测试仪的研究

文章介绍一种已研制出的小型微机半导体高频C—V测试仪,分析了测试系统和它的工作原理。简要地指出程序设计流程和所用公式。实验证明该仪器有使用方便、迅速、价格低廉等特点。     

固体蓄热式电加热机组性能测试及优化

张家口某商业楼采用一种新型固体蓄热式电加热机组供暖,该机组以真空相变换热器代替传统的管壳式空气—水换热器。为了对该机组性能优劣性有一个合理的认识,提出电加热机组的性能指标,对该新型电加热机组进行测试,通过分析实测数据对机组运行状况进行量化,并根据量化结果提出多台风机同频运行的优化建议。     

中科院与是德科技有限公司共建110GHz晶圆片上测试系统

<正>中国科学院做电子研究所与美国是德科技有限公司合作搭建了110GHz晶圆片上测试系统。该系统是目前世界上芯片测试领域频率最高的裸片测试平台,代表了国内科研院所在集成电路设计及加工技术领域的最先进水平。片上测试需要完成器件S参数及直流I/V、C/V特性曲线等主要技术参数的测试。在测试中,该系统展现出了较为突出的优势:PNA-X可进行10MHz~110GHz的全频     

经济型逻辑分析仪的设计与实现

以AT89C51双CPU为核心设计了逻辑分析仪,包括数字信号发生模块、8路逻辑信号采集模块、8路波形显示和存储模块.实验结果证明该仪器运行可靠,可对数据信号进行采集、调整、处理、判断和显示,能完成数字系统的逻辑分析,是一种经济适用的测试仪器.     

光交换矩阵测试系统的设计

为了实现对光开关矩阵交换性能的测试,提出了一种以单片机为下位机,PC机为上位机的测试系统,详细介绍了该测试系统的组成,设计了上位机与下位机的应用层通信协议,并使用V isual C＋＋6.0编写了光交换矩阵上位机测试软件.     

用于DLTS测试的MOS结构

本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的MOS结构,及采用MOS结构进行DLTS测试的测试条件。     

用LCD显示被测量波形的设计

随着测量仪器的不断发展,利用液晶显示模块来对各种参数和波形进行显示逐渐流行,如何利用液晶显示模块来显示被测量波形成为研究的课题。文中介绍一种用液晶显示器显示被测量波形的方案,该方案采用MCS-96系列80C196KC16位单片机控制,采用深圳安的利光电科技有限公司生产的AM320240—57C58 STN图形点阵液晶显示模组,将被测量在液晶显示器上采用纵横坐标插值描点算法实现静态波形显示,并能在四象限坐标中,实现任意波形的快速显示及测试结果的显示,有主菜单及相应的下拉子菜单显示功能,通过键盘可设置各种参数;采用触膜按键,通过面板操作,与使用电脑一样习惯,直观简洁。     

V/β-分子筛和V/γ-Al2O3催化剂上丙烷氧化脱氢制丙烯

利用浸渍法制备不同载体的钒基催化剂(V/β,V/γ-Al_2O_3),并考察该催化剂在丙烷氧化脱氢制丙烯反应中的活性.利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射(UV-Vis DRS)、N_2吸附-脱附(BET)和原位红外光谱对催化剂进行表征.结果表明,β分子筛和γ-Al_2O_3具有大的比表面积,孔径分布窄,使V能够以高分散、孤立态的V物种存在.原位红外光谱结果表明,丙烯在8V/β-分子筛(8V/γ-Al_2O_3)和8V4Mg/β-分子筛(8V4Mg/γ-Al_2O_3)催化剂上吸附后,C—H键上的H与催化剂活性中心的晶格氧发生了作用形成H—O键,随着温度升高出现C—O键,C—O键将进一步氧化生成COx,且8V4Mg/β-分子筛(8V4Mg/γ-Al_2O_3)催化剂上出现C—O键的温度比8V/β-分子筛(8V/γ-Al_2O_3)催化剂上高,说明Mg有利于丙烯的选择性.500℃反应时,8V4Mg/β分子筛具有很好的催化活性,丙烯的选择性达71.9%,丙烷的转化率达16.7%.     

基于μC／OS—Ⅱ接入网接口的研究与设计

首先介绍了V5接口的技术规范，分析其协议栈结构；接着，研究μC／OS—Ⅱ实时嵌入系统的一些特点；最后提出了以μC／OS—Ⅱ实时系统为平台实现V5接口的软件框架，并通过图例具体说明各个模块的作用。对协议实现中有限状态机及定时器等难点问题进行了具体讨论。     

临界n—边—连通图的几个定理

用λ(G)表示图G的边一连通度,若λ(G)=n且对所有u∈V(G)有λ(G—v)≤n—1则称G为临界n—边一连通图。本文主要结果是:若S是G的一个n—边一割集,C是G—S的一个分支,且V(C)—V(S)≠φ,则存在v_0∈V(G)—V(S)使得λ(G—v_0)=n-1。     

微机半导体高频C—V测试仪的研究

半导体MOS结构的高频C—V特性测试技术,是一种能确定半导体多种参数、操作简便的非破坏性测量技术。在半导体器件和集成电路生产中和对半导体表面理论的研究方面,此项技术是不可缺少的。然而,当前国内各单位使用的国产高频C-V测试仪,仍为指针式仪表,其精度不高,且必须配备X—Y函数记录仪方可画出C—V曲线,使用起来既不方便,成本又高。     

高速公路V/C与事故率关系研究

利用1条我国的高速公路连续3年的事故数据和交通流数据,对V/C和事故率的关系进行了统计分析,研究结果表明,V/C与事故率之间存在着相关关系,2者之间可用二次函数来拟合,曲线呈现U形:事故率在V/C较小时最高;随着V/C增加,事故率逐渐下降;模型显示当V/C=0.58时,事故率最低;随着V/C的继续增加,事故率又随着继续增加．     

基于SSL2129AT的新型隔离式PWM调光LED驱动电路

设计一种基于SSL2129AT的PWM占空比控制驱动电源输出电流大小的隔离式电路,电路设计需求输入电压为交流90~265 V,输出电压80 V,输出电流400 m A,调光范围2%~100%,效率高于85%,PF值高于0.9,在该要求下提出了详细的调光控制电路的设计与实现方案,给出了设计参数和测试结果,通过测试结果验证了所给出设计方案的可行性.     

三轴剪切试验微机数据采集与处理系统的研制

本系统以3只压力传感器代替周围压力、反压力和孔隙压力测试仪表,以2只位移传感器代替2只位移百分表。系统实现数据采集与处理(计算、显示、制图等)的自动化,减轻了劳动强度,以汉字说明和人机对话方式进行试验。试验过程提示明确,并可由屏幕显示各种参数变化,主要技术指标达设计要求。     

小样品低温动态传热双相滞后模型的理论分析

采用双相滞后模型描述小样品在过冷液氮中快速运动时的温度分布，并同双曲型模型的结果进行了比较．研究结果表明，双相滞后模型和双曲型模型得到的温度分布的定性规律基本一致，但有定量的差别；当τT／τq=0．1时，DPL模型和C—V模型得到的温降最大相差10℃，当τT／τq=0．001时，DPL模型和C—V模型得到的温度变化并没有明显的区别，当τT／τq=0时，DPL模型退化成C—V模型．对于生物材料而言，其松弛时间τq一般较大，因此对于生物样品的低温动态传热，采用DPL模型比C—V模型在定量上更为精确．     

用HP 8711C RF射频网络分析仪测试同轴电缆研究

以CATV系统中，同轴电缆仍然在提供用户的传送声音、图象和数据服务中充当重要的中介，为提高整个系统的高效传输，电缆的测量是非常重要的。汕头市有线电视台采用了HP8711C代替老网络分析仪进行有线电视网络电缆的传输特性，反射特性等指标的测试，经过多次使用HP8711C的测量，分析总结了测试中经常遇到的问题，介绍了电缆指标的测试技术。     

半导体器件钝化层Si3N4薄膜的制备及特性研究

采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜，根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化，研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系，分别利用AFM对薄膜表面进行观测，C—V法对薄膜和硅片界面态进行了测试。结果表明：所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在，在Si3N4薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷，由于这种高密度表面电荷的存在，导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层。     

瞬时脉冲渗透率测试装置最佳工作条件研究

在已研制的瞬时脉冲低渗透储层岩石物性测试装置基础上,分别利用瞬时脉冲方法、稳流测试方法和计算机数值模拟方法研究了该装置的最佳工作条件。研究表明：在模拟地层压力条件下,该瞬时脉冲实验装置中岩样的上流和下流压力容器V1、V2的取值满足0．16≤V2(V1 V2)≤0.20时,实验条件为最佳。该条件下瞬时脉冲法测得的渗透率与真实值相对误差最小,所测得的压力分布曲线与计算机数模法测的结果吻合最好。     

光干涉图象微计算机输入系统

本文所论述的以IBM—PC为主的干涉图象输入系统,是测试光学镜面用的数字波面干涉仪的组成部分。本系统将干涉仪产生的干涉条纹信息,以数字化形式存于计算机中,以便于在同一计算机上进行处理与显示。     

界面态对用高频C—V 法测定P/P~ 外延层中杂质纵向浓度分布的影响

硅外延层上的自然氧化层中的界面态,使汞—硅接触肖特基二极管反向偏置 C—V 特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误差。当正向偏置电压为自建电势0.6V 时的归一化电容值如果明显偏离按外延层杂质浓度和自然氧化层厚度计算出来的平带电容值,就判明有界面态存在。将样品在化学纯氢氟酸中漂洗7分钟以上即可使界面态减少到不可察觉的程度,然后再进行 C—V 测量,可保证测定结果的正确性。