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相似文献
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1.
刘海峰  谢军 《材料导报》2000,(Z10):130-132
研究了电场强度、电源频率、晶粒尺寸及掺杂Sn元素等对常压烧结PMN-PZT压电陶瓷电疲劳的影响。并对PMN-PZT压电陶瓷电疲劳机理进行了初步的探讨。  相似文献   

2.
崔万秋  周玉琴 《功能材料》1996,27(5):436-440
用固相反应烧结法制备了纯相PZT及掺La^3+、Nb^5+的PZT压电陶瓷片,利用计算机程序POWD12模拟出了样品的空间位置,从理论上说明了样品在居里点以下具有压电性能。用XPS现代测试手段分析了样品中电子的分布情况。根据固体物理中的能带论,用量子化学方法计算了PZT压电陶瓷的带结构,理论计算与XPS测试吻合较好。  相似文献   

3.
锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响   总被引:25,自引:0,他引:25  
研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.5mol%时,Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格 Pb位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 0.5~1.5 mol%时,部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr;Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性.锰含量>1.5mol%时,过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低.少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和 Mn3+氧化的作用.  相似文献   

4.
本文研究了两个以PZT陶瓷为基的系统:PZT(Nb)和PSZT陶瓷在铁电-反铁电相界区域的压电和机电耦合等性能。结果表明,PZT基陶瓷在该相界处具有高Kt和低Kp的性质。压电和机电耦合各向异性也比准同型相界要高,│d33/d31│〉5.5,Kt/Kp〉3.0。借助于电场诱导AF→F相变和反铁电双子晶格间的强耦合作用,对此现象作了较好解释。  相似文献   

5.
塑料对0—3型锆钛酸铅压电复合材料性能的影响   总被引:7,自引:1,他引:6  
刘颖  张洪涛 《功能材料》1996,27(5):434-435,442
研究了不同塑料尼龙1010和E-20环氧树脂与锆钛酸铅(PZT)复合而成的压电复合材料的压电性能,结果表明,尼龙1010-PZT压电复合材料比E-20环氧树脂-PZT具有较低的饱和极化电场和较短的饱和极化时间,而且前者比后者具有更高的压电常数d↑-33。  相似文献   

6.
利用厚度剪切压电效应的2—2型压电复合材料的性能研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
万建国  陶宝祺 《功能材料》1998,29(2):221-224
制备了利用厚度剪切压电效应的22型压电复合材料,测试了在电场作用下压电复合材料的变形特性,初步研究了不同参数对压电复合材料变形性能的影响。结果表明:(1)由于柔性聚合物的加入,压电复合材料的变形性能得到了大幅度的提高;(2)随着PZT体积份数的增大,压电复合材料的变形量增大,直至达到最大,随后则随着PZT体积份数的增大而下降;(3)PZT单元的尺寸越小,压电复合材料的变形量越大。  相似文献   

7.
PLMN、PLN、PMN体系压电陶瓷性能与结构的对比研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
刘静  丁凌峰  周静  崔万秋 《功能材料》2000,31(2):183-185
在PLN-PZT、PMN-PZT两个三元素基础上制备的PLMN-PZT四元素系压电陶瓷综合了两个三元素材料的优点,既具有良好的压电性能又具小的损耗,是一种优良的压电变压器材料。通过三个体系的比较,PLMN-PZT四元材料适中的四方度、晶粒尺寸及晶界处锰的析出是它具有良好压电、介电性能的结构基础。  相似文献   

8.
塑料对0-3型锆钛酸铅压电复合材料性能的影响   总被引:5,自引:1,他引:4  
研究了不同塑料尼龙1010和E-20环氧树脂与锆钛酸铅(PZT)复合而成的压电复合材料的压电性能,结果表明,尼龙1010-PZT压电复合材料比E-20环氧树脂-PZT具有较低的饱和极化电场和较短的饱和极化时间,而且前者比后者具有更高的压电常数。  相似文献   

9.
研究了在(Pb0.92Sr0.08)(Zr0.52Ti0.48)O3基体中引入Bi4Ti3O12压电第二相后复合陶疱的微观结构、力学性能以及电学性能。复合化提高PZT基陶瓷的断裂韧性;而且可有效地控制复合化引起的压电性能的下降。  相似文献   

10.
大功率PZT材料锰掺杂改性研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
贺连星  李承恩 《功能材料》2000,31(5):525-529
用XRD、SEM、ESR结合常规电性能测试手段,研究了锰掺杂对两类大功率PZT材料微结构及压电性能的影响。结果表明:随着锰含量的增大,三角晶相含量增多,准同型相界相应向四方相移动。锰在PZT材料中主要以Mn^2+和Mn^3+的方式共存。锰在PZT陶瓷材料中“溶解度”约为1.5mol%。添加少量的锰有利于PZT材料晶粒的长大及压电性能的改善,而过量的锰则会在晶界积聚,抑制晶粒的长大,并使材料的压电性  相似文献   

11.
谢军  田莳  徐永利  苏建华  杨岩 《功能材料》2000,31(1):77-78,81
制备了 6种不同Sn含量的PMN -PZT压电陶瓷试样 ,深入研究了Sn添加剂对压电材料压电等性能的影响 ,用XPS分析了Sn在改性PZT压电陶瓷中的存在形式。研究表明 ,Sn添加剂不仅能提高压电性能而且改善了压电陶瓷低温性能的稳定性。  相似文献   

12.
如果在PbTiO3(PT)粉末中添加适量的Pb(Sn1/3Nb2/3)O3(PSN)粉末,可以制成高温PT-PSN系陶瓷,并可以此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器,本文主要报导PT-PSN系压电陶瓷的制备工艺,性能参数和试验结果。  相似文献   

13.
0—3型压电陶瓷—聚合物复合材料的制备与压电性   总被引:4,自引:1,他引:3  
采用电陶瓷锆钛酸铅粉末掺入聚合物基聚偏二硫乙烯的方法,制备了柔性压电复合材料PZT-PVDF。本文报导了这两种复合材料的制备工艺及其介电性和压电性,并讨论了在水听器方面的应用。  相似文献   

14.
PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
崔万秋  周静  刘舒曼 《功能材料》1995,26(4):317-320
用PbO、ZrO_2、TiO_2等原料经固相反应烧结制备了PZT基四元系压电陶瓷。XRD、SEM及密度测试表明,材料主晶相为四方晶系的P4mm群,烧结致密度较好。极化后的性能测试表明,材料具有高介电系数(ε_r=2015),压电系数(d_(33)=578×10 ̄(-12)C/N),机电耦合系数(K_(33)=0.81)和良好的机械品质因数(Q_m=543.8),是压电高压装置的理想材料。  相似文献   

15.
晶体结构对压电陶瓷微位移驱动器特性的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
对钙钛矿结构的PZT-5和钨青铜结构的PBNN二种压电陶瓷制成的压电微位移器进行了电压-位移特性的比较和分析,发现我们所研制的PBNN压电微位移器具有线性好、回零好、等优点。  相似文献   

16.
低温烧结PZT压电陶瓷研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了国内外在PZT压电陶瓷材料低温烧结方面的研究进展,并对除低PZT压电陶瓷材料烧结温度的各种方法进行了评述。  相似文献   

17.
热压法制备0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了热压法制备0.3PZN-0.7PZT系压电陶瓷过程中,铅含量以及热压和退火工艺对材料性能的影响.实验结果表明,适当降低铅含量、提高退火温度和退火时间可得到性能优良的压电陶瓷.制得的压电陶瓷密度接近理论密度,电性能指标为: d33=715 pC/N, K=0.65, tgδ=2.9%, ε=3457, Q=50.1.  相似文献   

18.
无铅压电陶瓷是当前压电铁电领域的研究重点。本文结合国内外有关无铅压电陶瓷方面的论文和专利,从两个方面综述了无铅压电陶瓷材料的研究进展:一是从掺杂改性的方面;二是从粉体的制备和工艺方面。文章分析和比较了各类无铅压电陶瓷材料的结构和性能,展望了无铅压电陶瓷今后的发展趋势。  相似文献   

19.
锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应   总被引:3,自引:0,他引:3  
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了近等原子比的压电PZT薄膜,在准同型相界附近的PZT薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应,内电场导致薄膜的自发极化定向,使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。  相似文献   

20.
姜胜林  周东祥 《功能材料》1998,29(3):293-295
对(1-x)PbTiO2+xPb(Cd1/3Nb2/3)O3系压电陶瓷进行了研究实验结果指出 ,当x=0.14时掺入适量的改性加物NiO2,MnO2,WO3,经过适当的工艺过程,可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料,其中,材料的居里温度TC〉400℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数Kt可达0.45,介电常数ε小于210,是一种很有前途和高温同频压电陶瓷材料。  相似文献   

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