溶胶-凝胶法制备Y_2O_3：Eu薄膜电致发光材料的研究

研究用溶胶凝胶法制备Y2O3:Eu薄膜红色电致发光材料,采用SnO2透明导电膜和SrTiO3陶瓷基片,制备出薄膜电致发光材料与器件.运用XRD、SEM、荧光光谱、TEM等测试手段对制备的材料和薄膜发光器件进行表征.在制备Y2O3:Eu的薄膜发光材料过程中,考查了Eu3+掺杂浓度、烧结温度以及不同Eu3+的掺杂量对材料发光特性的影响.结果表明,Eu3+的最佳掺杂浓度为8mol%,最佳烧成条件是900℃、保温1h,其发射主峰在614nm处,是典型的Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁.     

0.6Mg4Nb2O9-0.4SrTiO3复相陶瓷中温烧结和微波介电性能

采用传统固相反应法制备了0.6Mg4Nb2O9-0.4SrTiO3复合陶瓷.研究了LiF掺杂对其烧结特性、显微组织和微波介电性能的影响.实验结果表明:通过添加一定量的LiF,可将Mg4Nb2O9/SrTiO3陶瓷的致密化烧结温度降至1100 ℃;其中掺杂1.5wt% LiF、 1100 ℃下烧结5 h的0.6Mg4Nb2O9-0.4SrTiO3陶瓷微波介电性能为:ε=20.6,Q·f=4057 GHz; 样品的微波介电性能与杂相Sr(Ti1-xNbx)O3+δ和残留液相有关.     

溶液雾化微波等离子体CVD法制备SrTiO3薄膜

研究了一种新型高效制备多组分陶瓷薄膜的方法，它采用可溶性无机盐溶液雾化为反应膜，利用微波等离子体化学气相沉积工艺在Al2O3基片上制备了SrTiO3基陶瓷薄膜，实验结果表明，薄膜沉积时衬底温度对成膜的相组成与结构产生重要影响，本实验中当沉积薄膜衬底温度在700℃时，可以制备出单一相组成，符合化学计量比，结晶性较好，晶粒度呈球形且均匀分布的SrTiO3薄膜，通过对不同氧分压下薄膜电阻测试，发现此SrTiO3薄膜在O2 N2气氛中氧浓度由1%变化到20%时，其电阻值由5.0MΩ变化到2.5MΩ，从而显示出一定氧敏性能。     

MgSn0.05Ti0.95O3-SrTiO3复相陶瓷的显微结构与微波介电性能

采用传统固相法制备了不同摩尔配比的(1-x)MgSn0.05Ti0.95O3-xSrTiO3微波介质复相陶瓷材料,研究了复相陶瓷的烧结特性、显微结构和微波介电性能.结果表明:MgSn0.05Ti0.95O3和SrTiO3两相共存,无固溶现象.随着SrTiO3含量的增多,(1-x) MgSn0.05Ti0.95O3-xSrTiO3的相对介电常数(εr)线性增大,品质因数(Q×f)下降,谐振频率温度系数(τf)从负值变为正值.通过调节x值,可以获得近零的τf值.陶瓷的τf变化符合Lichtenecker混合法则.0.98MgSn0.05Ti0.95O3-0.02SrTiO3复相陶瓷在1330℃烧结4h,获得最佳的微波介电性能:εr=19.32,Q×f=193.527 THz,τf=-2×10-6/℃.     

片状SrTiO_3晶体的合成及其反应机理

采用熔盐法分两步合成了片状SrTiO3晶体.研究了合成温度、熔盐种类对Sr3Ti2O7前驱体以及片状SrTiO3晶体形貌和尺寸的影响.在第1步过程中,低温下,首先生成亚微米级立方SrTiO3颗粒,随着温度的升高,SrTiO3颗粒逐渐生长成片状Sr3Ti2O7晶体.在第2步过程中,随着温度的提高,片状Sr3Ti2O7前驱体逐渐转变为片状SrTiO3晶体.熔盐的选择对片状SrTiO3晶体的最终形貌、尺寸有着显著的影响.以KC l作为熔盐,在1 200℃下合成的片状SrTiO3晶体边长为10~15μm,而使用NaC l所得SrTiO3晶体边长为30~50μm,宽厚比最高达到25∶1.片状SrTiO3晶体的形成机理是在高温条件下,由于熔盐中TiO2的作用,Sr3Ti2O7晶体中岩盐结构的SrO层被破坏,并以Sr2 、O2-形式溶出,剩余的SrTiO3结构重新叠合联结,产物基本保持原来Sr3Ti2O7片状晶体的外形,溶出的Sr2 、O2-与熔体中的TiO2反应生成SrTiO3.     

添加剂对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-Sr(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷介电性能的影响

研究了MnCO3,BaZrO3对0.35Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)-0.65Sr(Zn1/3Nb2/3)O3(SZN)陶瓷介电性能的影响.研究表明:添加MnCO3,BaZrO3时,对陶瓷的烧结均起促进作用,增大介电常数.加入1%(质量分数)的MnCO3可使陶瓷具有较小的介质损耗,同时MnCO3对陶瓷的介电常数温度系数具有正向调整作用.加入BaZrO3后通过生成液相而减少了第二相Ba5Nb4O15,BaNb2O6的生成.所制备的(0.35BZN0.65SZN)+0.1%MnCO3陶瓷的εr≈43.6,αe≈-8×10-6/K,tanδ＝0.6×10-4,且烧结温度低于1 300℃.     

添加剂对Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Sr(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响

研究了MnCO3,BaZrO3对 0 .35Ba(Zn1 /3Nb2 /3)O3(BZN) -0 .65Sr(Zn1 /3Nb2 /3)O3(SZN)陶瓷介电性能的影响。研究表明 :添加MnCO3,BaZrO3时 ,对陶瓷的烧结均起促进作用 ,增大介电常数。加入 1% (质量分数 )的MnCO3可使陶瓷具有较小的介质损耗 ,同时MnCO3对陶瓷的介电常数温度系数具有正向调整作用。加入BaZrO3后通过生成液相而减少了第二相Ba5Nb4O1 5,BaNb2 O6 的生成。所制备的 ( 0 .35BZN -0 .65SZN) 0 .1%MnCO3陶瓷的εr≈ 43.6,αε≈ -8× 10 - 6 /K ,tanδ =0 .6× 10 - 4 ,且烧结温度低于 130 0℃。     

纳米Fe2O3对钛酸铝陶瓷热稳定性能的影响

以溶胶–凝胶法制备的钛酸铝前驱体和固相合成法制备的纳米Fe2O3为原料,在不同温度煅烧保温2h制备出钛酸铝固溶体[Al2(1–x)Fe2xTiO5]。通过X射线衍射、电子探针分析并计算晶格常数和热分解率,研究了纳米Fe2O3含量以及烧成温度对烧后试样热分解性能的影响。结果表明:纳米Fe2O3很容易与Al2TiO5反应,形成固溶体,抑制钛酸铝陶瓷的热分解;随着纳米Fe2O3加入量的增加,Al2(1–x)Fe2xTiO5的晶格常数变大,热分解率降低,但当加入量超过10%时,Al2(1–x)Fe2xTiO5的晶格常数不变甚至减小,热分解率反而会增大;纳米Fe2O3作为添加剂可改善钛酸铝陶瓷的热分解性能。煅烧温度对钛酸铝的热分解率有很大影响,随着温度升高,热分解率降低,当温度大于1350℃时,钛酸铝陶瓷晶格常数保持不变,钛酸铝陶瓷的热分解率变化不大。     

SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷元件

由SrCO3与TiO2经高温合成的SrTiO3为主要原料,添加Nb2O5,La2O3等金属氧化物或稀土氧化物,在由液氨分解制得N2 H2的混合气氛中烧结,再经低温下氧化处理,低成本商品化生产的SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷元件,主要电性能指标达到国际先进水平。该元件应用范围十分广泛,特别是作为微电机灭弧消噪的EMI对策元件受到世界的瞩目。     

多层陶瓷电容器用的SrTiO3纳米粉体制备

采用溶液-溶胶-凝胶法,从Sr(NO3)2-Ti(OC4H9)4-H2O-C2H5OH体系制备多层陶瓷电容器用的纳米SrTiO3粉体.用热重-差示扫描分析研究了由前驱体干凝胶形成纳米SrTiO3粉体的加热过程.用X射线衍射等方法研究了醋酸、水、温度对凝胶化、纳米SrTiO3粉体的粒径和比表面积的影响.用扫描电镜和透射电镜观察了纳米SrTiO3粉体的形貌和颗粒大小.所制备的SrTiO3粉体分散性好,粒径为40～50 nm,比表面积为9～10 m2/g.     

低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

介绍了四种典型的相对介电常数在10-15之间的低介微波介质陶瓷系列(Al2O3系、Mg4Nb2O9系、Mg5(Nb,Ta)4O15系、R2BacuO5系)的晶体结构和微波介电性能,并指出其目前存在的普遍问题和解决的方法.     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

ZST微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。并介绍了用掺入玻璃的ZST系微波陶瓷材料制作贴片式介质滤波器的方法；分析了影响滤波器尺寸的主要因素。通过对制造的滤波器测试结果表明：其尺寸和电性能满足设计要求。     

高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析

在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2.电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数.     

高温介电强度试验器

本文介绍HC—7型高温介电强度试验器的性能、结构特点、控制电路和应用概况.     

高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结的研究进展

高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料,针对多层结构设计的器件要求,需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结研究的最新进展,指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。     

RELATION BETWEEN CHEMICAL COMPOSITION AND DIELECTRIC PROPERTIES OF CERAMIC MATERIALS WITH LOW DIELECTRIC LOSSES*

A number of steatite ceramics were prepared under carefully controlled conditions, and their dielectric losses and direct-current resistances were measured at elevated temperatures. It was found that variations of the ratio of talc to kaolin within certain limits had little effect on the dielectric properties. These properties, however, were changed to a considerable extent by varying the amounts, proportions, and kinds of alkaline earth oxides added as fluxes. The data indicate also that the conditions in a ceramic favorable to a high specific resistance are not necessarily those favorable to a low dielectric loss.     

AlN陶瓷的介电性能

着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理,应用基本的电介质物理理论,结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点,研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性,结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理及空间电荷极化;经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷;ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好,导热率较高崦有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瘊性能更加优良的基板材料。